公开(公告)号：CN110911278A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN109749743A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811319973.6

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 韩勋 ,  裴相元 ,  洪荣泽 ,  朴宰完 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。