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公开(公告)号:CN1913086A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610087897.1
申请日:2006-05-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种可易于进行制造并且能够减少由热膨胀所造成的损伤的等离子体显示面板(PDP),包括:彼此相对进行布置且彼此隔开的第一基板和第二基板;布置在所述第一基板与所述第二基板之间且具有隔开放电室的障肋和适于在放电室中产生放电的多对放电电极的电极片;和布置在所述电极片的侧面上且适于将所述电极片固定在所述第一基板与所述第二基板之间的固定构件。
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公开(公告)号:CN1912968A
公开(公告)日:2007-02-14
申请号:CN200610073361.4
申请日:2006-03-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: G09G3/2022 , G09G3/2927 , G09G3/2983 , G09G2310/066 , G09G2320/0257 , G09G2320/0261 , G09G2320/043
Abstract: 在改进等离子体显示板(PDP)地址放电效率的方法和设备中,PDP有改进发光效率和减少持久后像的新结构。PDP包括:彼此间隔的第一和第二衬底;隔离肋,与第一和第二衬底一起划分放电单元;第一和第二电极,在隔离肋中彼此交叉延伸;磷光体层,形成在放电单元中;放电单元中的放电气体。该方法和设备中,表示图像的各单位帧分成多个子场,各子场分成初始化所有放电单元的复位周期、从所有放电单元选择接通或断开的放电单元的地址周期和根据分配给各子场的灰度权对在地址周期中选择接通的放电单元执行持续放电的持续周期。此外,在复位周期下降脉冲加到第一电极,在地址周期扫描脉冲顺序加到第一电极。扫描脉冲低电平电位低于下降脉冲最小电平电位。
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公开(公告)号:CN1609934A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN200410100527.8
申请日:2004-10-18
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 李东映
CPC classification number: G09G3/296 , G09G3/293 , G09G3/294 , G09G2330/025 , G09G2330/045
Abstract: 一种便于在高压下操作的等离子体显示板的开关装置。该开关装置可由并联连接的至少一个绝缘栅双极晶体管(IGBT)形成。该开关装置还可以由并联连接的绝缘栅双极晶体管以及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成。该MOSFET可用作低电流区域中的开关装置,而IGBT可用作高电流区域中的开关装置。
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