薄膜形成装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1061444A

    公开(公告)日:1992-05-27

    申请号:CN91110723.1

    申请日:1991-11-08

    Abstract: 一种薄膜形成装置,包括一真空室;从真空室抽去空气以向真空室提供真空的抽真空装置;和在真空室内生成沉淀物集结的熔炉。该薄膜形成装置进一步包括把熔炉生成的部分集结物予以电离的电离装置;加速由电离装置电离的集结物和未电离的集结物以使两者与真空室内的基片碰撞的加速装置;和滤去小于预定大小的集结物的过滤装置,该集结物系由电离装置电离。

    薄膜形成装置
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1057492A

    公开(公告)日:1992-01-01

    申请号:CN91104119.2

    申请日:1991-06-15

    Inventor: 伊藤弘基

    CPC classification number: C23C14/221

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜形成装置,包括真空室, 真空室中有基板和相对设置的、喷出蒸镀物质蒸气产 生蒸镀物质结团粒子的蒸气发生源,使所述结团粒子 部分电离的电离的装置以及提供电离的结团粒子动 能向所述基板碰撞的加速装置;还具有将较小尺度电 离的结团粒子去除的过滤装置。其加速装置还可以 由正偏置的加速电极和相对于该加速电极成负偏置 的引出电极以及接地电极构成。

    磁记录介质
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1032598A

    公开(公告)日:1989-04-26

    申请号:CN88106996

    申请日:1988-10-03

    CPC classification number: G11B5/85 G11B5/64 G11B5/72

    Abstract: 本发明的磁记录介质,是在磁盘基片的磁性层的表面,用离子束镀膜法来形成一个表面保护层,其材质可以是铝、硅、钛的氧化物、氮化物或碳化物,以及金刚石或碳。该表面保护层的附着强度很高,表面平滑、硬度很高,不仅具有很优良的耐磨性、耐磁头的冲击性,而且也有很好的耐湿性,由于在低温过程中形成,从而可廉价制造,品质也很稳定。

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