公开(公告)号：CN114180818A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111452119.9

申请日：2021-12-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 李瑛 ,  胡永峰 ,  龙昊 ,  孙家斌 ,  王常虹 ,  李文献 ,  朱明原 ,  金红明

IPC: C03B20/00 ,  C03B11/00

Abstract: 本发明涉及了一种熔铸法制备复杂形状石英玻璃制品的方法，包括设备和原料准备、洗气、熔制石英玻璃、石英玻璃成型、在线热处理、脱模后处理步骤。本发明方法利用熔融石英的可塑性，通过对熔铸温度、升降温速率、压力以及退火温度等工艺参数的控制，一次成型制备出性能稳定、质量可靠的复杂形状石英玻璃制品，解决石英玻璃熔铸过程粘度大、成型难的问题，较传统工艺提高了制备效率，同时降低损耗率、减少原材料浪费，为复杂形状石英玻璃制品批量化、低成本、高效率的生产奠定基础。

公开(公告)号：CN108295870B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201810086455.8

申请日：2018-01-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 李文献 ,  葛日月 ,  何小芳 ,  于上家 ,  康吉祥 ,  胡业旻 ,  朱明原 ,  李瑛

IPC: B01J27/051 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06

Abstract: 本发明公开了一种硫化物‑石墨烯复合材料光电催化剂的制备方法，先将氧化石墨烯粉末于水中分散，得到氧化石墨烯分散液；再向分散液中加入可溶性金属盐，静置之后，洗涤沉淀物、干燥、研磨，得到金属离子掺杂的氧化石墨烯粉末；再将其再次分散在去离子水中，搅拌后，加入硫化物前驱体盐溶液，加入硫脲并搅拌，再通过一步水热法得到反应产物，自然冷却至室温后，将反应产物离心洗涤，干燥得到固体粉末。本发明合成硫化物/石墨烯复合物制备方法简单，将金属离子作为硫化物与石墨烯表面的界面连接剂及硫化物生长的种子层，促进了硫化物片层均匀分散，抑制石墨烯片层的堆叠，大的比表面积可提供较多的活性位点，继而有效提高复合材料的催化性能。

公开(公告)号：CN108320857A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810086190.1

申请日：2018-01-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 李文献 ,  王岩 ,  闫佳 ,  何小芳 ,  于上家 ,  胡业旻 ,  朱明原 ,  李瑛

IPC: H01B12/04 ,  H01B13/00

CPC classification number: Y02E40/641 ,  H01B12/04 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开了一种利用类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制备二硼化镁超导线材的方法，将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉充分混合后得到混合粉体；再经过热处理得到颗粒状氮化碳原位包覆的硼粉；再将类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉和镁粉混合均匀装入金属管，经过拉丝机拉拔得到线材；再将复合线材在进行热处理，得到二硼化镁超导线。本发明将类石墨相氮化碳前驱体和纳米硼粉混合后热处理，实现了类石墨相氮化碳对硼粉的原位均匀包覆。后续热处理过程中层片状氮化碳对二硼化镁晶粒实现均匀掺杂，避免了采用其他碳源掺杂二硼化镁时产生的不均匀现象；同时通过氮化碳原位包覆硼颗粒的技术可以制备出晶粒连接性好、类石墨相氮化碳掺杂均匀的MgB2线材。

公开(公告)号：CN100447084C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510111919.9

申请日：2005-12-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱明原 ,  李瑛 ,  李文献 ,  金红明 ,  任钟鸣 ,  李喜 ,  窦士学

IPC: C01B35/04 ,  H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；再按不超过Mg和B粉料总重量的15%加入掺杂物质，在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03～0.10赫兹，磁场强度为1～100T(特斯拉)；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温10-300分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。

公开(公告)号：CN100345224C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510028238.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 李瑛 ,  朱明原 ,  李文献 ,  金红明 ,  任钟鸣 ,  李喜 ,  窦士学

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  C01B35/04

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用频率为0.03～0.1赫兹，强度为1～100T(特斯拉)的脉冲磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。

公开(公告)号：CN1794365A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510111916.5

申请日：2005-12-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 李文献 ,  朱明原 ,  李瑛 ,  金红明 ,  陈荣华

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导块材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导块材。本发明方法制得的MgB2超导块材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。

公开(公告)号：CN1794364A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510111915.0

申请日：2005-12-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 李文献 ,  李瑛 ,  朱明原 ,  金红明 ,  陈荣华

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/24

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种高密度MgB2超导带材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导带材。本发明方法制得的MgB2超导带材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。

公开(公告)号：CN1731537A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510028238.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 李瑛 ,  朱明原 ,  李文献 ,  金红明 ,  任钟鸣 ,  李喜 ,  窦士学

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用频率为0.03～0.1赫兹，强度为1～100T(特斯拉)的脉冲磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。