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公开(公告)号：CN102280622B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110187303.5
申请日：2011-07-06
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铜掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100℃~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铜掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102515275A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110365870.5
申请日：2011-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: C01G45/02
Abstract: 本发明公开了一种以高锰酸盐、去离子水和盐酸为原料，采用水热法在金属锰基片上合成多层层状结构MnO2薄膜的方法。其特征在于薄膜的层状结构可控，通过调节合成条件可以得到双层和三层的层状结构MnO2薄膜，膜厚可由几微米变到几十微米；薄膜为多孔疏松结构，各层由尺寸不一的纳米片构成，纳米片垂直于基片排列，由纳米片构成的孔道直径从几十纳米到几百纳米不等；金属锰基片对薄膜生长的导向作用明显，有利于薄膜的生长，也有利于提高膜与基片的结合力。该法工艺简单、成本低、易于工业化，同时得到产物的结构新颖，具有作为超级电容器电极材料应用的潜力。
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公开(公告)号：CN102502782A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110365869.2
申请日：2011-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN108295870B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810086455.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 上海大学
IPC: B01J27/051 , C25B1/04 , C25B11/06
Abstract: 本发明公开了一种硫化物‑石墨烯复合材料光电催化剂的制备方法，先将氧化石墨烯粉末于水中分散，得到氧化石墨烯分散液；再向分散液中加入可溶性金属盐，静置之后，洗涤沉淀物、干燥、研磨，得到金属离子掺杂的氧化石墨烯粉末；再将其再次分散在去离子水中，搅拌后，加入硫化物前驱体盐溶液，加入硫脲并搅拌，再通过一步水热法得到反应产物，自然冷却至室温后，将反应产物离心洗涤，干燥得到固体粉末。本发明合成硫化物/石墨烯复合物制备方法简单，将金属离子作为硫化物与石墨烯表面的界面连接剂及硫化物生长的种子层，促进了硫化物片层均匀分散，抑制石墨烯片层的堆叠，大的比表面积可提供较多的活性位点，继而有效提高复合材料的催化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108320857A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810086190.1
申请日：2018-01-30
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/641 , H01B12/04 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种利用类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制备二硼化镁超导线材的方法，将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉充分混合后得到混合粉体；再经过热处理得到颗粒状氮化碳原位包覆的硼粉；再将类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉和镁粉混合均匀装入金属管，经过拉丝机拉拔得到线材；再将复合线材在进行热处理，得到二硼化镁超导线。本发明将类石墨相氮化碳前驱体和纳米硼粉混合后热处理，实现了类石墨相氮化碳对硼粉的原位均匀包覆。后续热处理过程中层片状氮化碳对二硼化镁晶粒实现均匀掺杂，避免了采用其他碳源掺杂二硼化镁时产生的不均匀现象；同时通过氮化碳原位包覆硼颗粒的技术可以制备出晶粒连接性好、类石墨相氮化碳掺杂均匀的MgB2线材。
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公开(公告)号：CN103956489B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410162008.8
申请日：2014-04-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于液相混料的两次加碳工艺制备磷酸铁锂电极材料的方法。该方法首先将锂源、铁源、磷源和碳源材料混合制成液态的单一相混合物，获得固体产物后与溶有可溶性有机化合物的易挥发溶剂混合，再对所得混合物进行机械法研磨，使有机物与固体颗粒充分混合并减小固体物的粒径。通过两次加碳的工艺，处于不同空间位置的碳源材料分别并同时起到了还原三价铁和在磷酸铁锂表面包覆碳的作用，实现了仅需一次高温加热过程就可制备具有完整碳包覆结构磷酸铁锂材料的目的，碳热反应的完全性和材料的电导性都较好。该方法具有成本低，耗能少，周期短，批次稳定性高等优点。
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公开(公告)号：CN102280623B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201110187362.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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公开(公告)号：CN102491743A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110363666.X
申请日：2011-11-17
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN102244245A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110152672.0
申请日：2011-06-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池正极材料LiFePO4/C的两步碳热还原制备方法，属于电化学储能材料领域。本制备方法首先将铁源与磷源混合球磨后烧结，制得LiFePO4的生成支架，再加入蔗糖与锂源进行碳热还原反应。最后得到的LiFePO4/C颗粒为纳米级，具有良好的电化学性能。应用此方法可以缩短碳热还原段的反应时间，抑制颗粒的长大，从而达到控制颗粒和节约能源的目的。
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