公开(公告)号：CN113512416B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202110848617.9

申请日：2021-07-27

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 李福山 ,  陈祥 ,  胡海龙 ,  赵等临 ,  杨开宇 ,  郭太良

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其是在以卤化锌为催化剂的条件下，将铟源与磷源经反应制成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再在其表面包覆一层ZnS外壳，以提高量子点的稳定性以及发光效率，最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合，进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属，对环境十分友好，并能溶于水，扩大了量子点的应用场景。

公开(公告)号：CN112625681B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202011585748.4

申请日：2020-12-29

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 李福山 ,  陈祥 ,  胡海龙 ,  鞠松蔓 ,  杨开宇 ,  郭太良

IPC: C09K11/70 ,  C09K11/56 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。