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公开(公告)号：CN113471814A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010240434.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器、其制作方法及应用。所述氮化物半导体垂直腔面发射激光器(VCSEL)包括沿设定方向依次设置的n侧DBR结构、有源区和p侧DBR结构，所述激光器的n侧形成有电流限制结构。进一步的，所述激光器的p侧与支撑片键合。本发明提供的氮化物半导体垂直腔面发射激光器具有器件电阻低、工作电压小，热阻低、散热效果好、结温低，工艺简单等优点，可大幅增强氮化物半导体VCSEL的性能和寿命，提高激光器工作稳定性。
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公开(公告)号：CN111916351A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910388910.4
申请日：2019-05-10
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。所述的制备方法包括：制作形成半导体材料层，其包括层叠设置的两个半导体层，该两个半导体层之间设置有刻蚀转化层；对其中一个半导体层位于选定区域内的部分进行刻蚀，直至到达或进入刻蚀转换层后停止刻蚀，之后通过热处理使刻蚀转换层位于所述选定区域内的部分被热分解而完全去除，并在另一个半导体层实现热分解终止，从而在半导体材料层内精准地形成凹槽结构。本发明既能够实现在半导体材料上刻蚀凹槽深度的精确控制，又可以彻底避免刻蚀引起的表面损伤，且高温过程可以充分清洁下势层表面，并使得悬挂键充分打开，从而在后续工艺中获得高质量的界面，进而确保器件电学特性不受刻蚀工艺波动的影响。
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公开(公告)号：CN111748414A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010586346.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
IPC: C11D1/04 , C11D3/04 , C11D3/08 , C11D3/10 , C11D3/16 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/33 , C11D3/37 , C11D3/60 , C11D7/02 , C11D7/24 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D11/00 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件金锡焊接后的清洗方法，包括：一、将金锡焊接后的半导体器件浸泡在清洗液中；二、将半导体器件浸泡在装有纯水的水槽内，除去半导体器件上的清洗液；三、将半导体器件浸泡在纯水溶液中，除去半导体器件上的纯水；四、采用热风来风干半导体器件，除去半导体器件上的纯水。本发明的清洗方法通过步骤(一)、(二)和(三)的相互配合，有效除去金锡焊接后的助焊剂及其他污染物质，提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN108305918B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710022586.5
申请日：2017-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III‑V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。
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公开(公告)号：CN107768248A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610693110.X
申请日：2016-08-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN基增强型HEMT的制备方法，包括：以含氧的刻蚀气体等对HEMT的外延结构中的选定区域进行刻蚀，使所述选定区域中的选定材料(例如含铝物质)与含氧物质反应，直至形成能将刻蚀面覆盖的耐刻蚀物质，从而阻止刻蚀试剂对外延结构的刻蚀，实现刻蚀的自动终止，同时获得所需HEMT器件结构。籍由本发明可以实现HEMT器件制备过程中的刻蚀操作的精确控制，确保器件电学特性，极大降低采用诸如p型栅技术、槽栅技术等制备增强型HEMT的难度，保证器件工艺的重复性、均匀性、稳定性，同时在刻蚀过程中，还可于刻蚀面上自然形成原位钝化层，从而有效消除由于后续钝化层沉积工艺而造成的表面损伤等问题，进而消除材料与器件电学特性恶化等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106898948A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510953170.6
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳睿光电有限公司
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法。所述外延结构包括从下到上依次设置的Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN波导层、n型AlGaN层、n型或i型InGaN下波导层、有源区、p型或i型InGaN上波导层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN上光学限制层、p型或n型GaN或InGaN接触层。优选的，所述有源区采用i型InGaN/GaN多量子阱或量子点有源区。所述GaN波导层的厚度与所述超辐射发光二极管或激光器的脊形条宽相当。藉由本发明的所述外延结构，注入的载流子可以被有效的限制在很薄的有源区中，其复合产生的光强能够从有源区扩展到第一波导结构中，而因其中的GaN波导层较厚，该波导结构可以显著提高超辐射发光二极管、激光器的光束质量。
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公开(公告)号：CN106756875A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510990660.3
申请日：2015-12-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供了一种InAlGaN系列合金材料的制备方法，包括如下步骤：在H2载气下控制温度为1000～1100℃，在衬底上生长第一非掺杂层；在载气下控制温度为1000～1100℃，在所述第一非掺杂层上生长第二掺杂层；在载气下控制生长温度为650～1000℃，在所述第二掺杂层上生长第三掺杂层；停止镓源供给并将载气切换为氮氢混合气体，以0.5-2℃/s的升温速度逐步升温至退火温度并保持0-10min，所述退火温度高于所述生长温度；恢复温度至所述设定温度。本发明可以形成界面平整、不含V型缺陷的叠层结构，有助于减小反向漏电，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119287520A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411725978.4
申请日：2024-11-28
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C30B29/40 , H01L21/02 , H01L21/205 , C30B29/68 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种高质量AlN薄膜材料及其制备方法。所述外延结构包括：AlN基础层、形成层和合并层；基础层为密实层，具有600‑750nm的厚度；形成层和合并层中内嵌有多个孔洞结构，开口于形成层中，闭合于合并层中；并且具有选定截面形状的孔洞的占比在50%以上。本发明所提供的技术方案通过适当的AlN基础层厚度控制减少不规则孔洞形成的机会，并调整孔洞结构的生成密度，以及通过AlN形成层生长条件的控制引导孔洞结构趋向于统一的截面形状，从而阻止孔洞结构形成不规则不统一的截面形状，避免孔洞结构合并时对准困难，减少新增位错的产生，显著提升了AlN外延层的品质。
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公开(公告)号：CN113539786B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010309521.0
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化镓材料外延结构及其制备方法。所述硅基氮化镓外延结构的制备方法包括：在硅衬底上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长准二维GaN超薄浸润岛；使所述准二维GaN超薄浸润岛在很小的厚度范围内合并，形成GaN超薄过渡层；以及，在所述GaN超薄过渡层上继续生长高质量GaN膜。本发明以上实施例提供的硅基氮化镓外延结构及其制备方法可以在不生长AlGaN三元合金缓冲层的基础上，实现硅衬底AlN成核层上连续、无间隔、高质量的GaN厚层薄膜的外延生长，从而兼顾实际器件对散热、外延片翘曲、电流垂直输运等的要求，还可以显著提高生产效率，大幅降低器件生产成本。
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公开(公告)号：CN118040453A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211420232.3
申请日：2022-11-14
Applicant: 广东中科半导体微纳制造技术研究院 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/0237 , G01N19/04 , H01S5/02 , H01S5/024
Abstract: 本申请公开了一种提高氮化镓基激光器管芯焊接强度的结构及方法。所述的方法包括：提供氮化镓基激光器的外延结构：在导电衬底的第二面即激光器的N侧面上加工形成一个以上沟槽，第二面与第一面相背设置，之后在导电衬底的第二面上形成N型电极，然后通过导热焊料层将N型电极表面与高导热率过渡热沉焊接结合，其中各沟槽被N型电极和导热焊料层的局部区域填充。本申请通过在氮化镓基激光器管芯的N侧表面形成沟槽结构，并将该N侧表面与高导热率过渡热沉通过共晶焊方法焊接，可以大幅增加焊接面积，显著提高焊接强度，使得管芯与高导热率过渡热沉不易脱落，有效提升了氮化镓基激光器管芯焊接的可靠性和成品率。
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