薄膜晶体管及制备方法、显示装置

    公开(公告)号:CN108258060B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN201810040934.6

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管及制备方法、显示装置。该薄膜晶体管包括:衬底;栅极,栅极设置在衬底上;栅绝缘层,栅绝缘层设置在栅极远离衬底的一侧;屏蔽结构,屏蔽结构设置在栅绝缘层远离栅极的一侧;有源层,有源层设置在屏蔽结构远离栅绝缘层的一侧,有源层具有沟道区;源极以及漏极,源极以及漏极设置在有源层远离屏蔽结构的一侧,其中,屏蔽结构在衬底上的正投影,与沟道区在衬底上的正投影具有重叠区域,且屏蔽结构在衬底上的正投影,与漏极和源极的至少之一在衬底上的正投影,也具有重叠区域。由此,可以缓解或防止应用该薄膜晶体管的液晶显示屏发生闪烁不良以及残像不良的问题,提升应用该薄膜晶体管的液晶显示屏的显示品质。

    显示面板
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113724595A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202111003332.1

    申请日:2021-08-30

    Abstract: 本发明实施例提供一种显示面板,其包括衬底基板、公共电极层、像素电极层以及设置在公共电极层和像素电极层之间的绝缘层;其中,公共电极层包括多个间隔分布的第一电极;像素电极层包括多个间隔分布的第二电极;显示面板还包括数据线,在平行于衬底基板的方向上,数据线位于相邻的两个第二电极之间,且数据线边缘到位于其两侧的第二电极边缘的距离均为第一距离;第一电极衬底基板上的正投影,均与位于数据线两侧的第二电极的在衬底基板上的正投影部分重叠,以在第一电极和第二电极之间形成像素存储电容;第一距离满足像素存储电容能够达到指定电容值。本发明提出的显示面板,其能够有效提高像素存储电容,以保证显示面板各个像素放电时长。

    一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置

    公开(公告)号:CN110571228A

    公开(公告)日:2019-12-13

    申请号:CN201910918583.9

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,包括:衬底基板,在衬底基板上依次层叠设置的栅金属层(包括相互独立的多条栅线和多个伪栅极)和源漏金属层(包括相互独立的多条数据线和多个伪漏极);伪栅极包括:位于栅线与数据线所限定像素区域内的主体部,以及在栅线延伸方向上的引出部;引出部与主体部远离栅线一侧的边缘部分相接触;伪漏极位于像素区域内,包括:与主体部相互重合的第一分部,以及与主体部互不重叠的第二分部。由于第一分部与主体部之间的正对电容,以及第二分部与主体部之间的耦合电容共同构成像素电极的存储电容,使得像素电极的存储电容较大,有效降低了漏电流的影响,改善了画面闪烁程度,提高了画面显示质量。

    导电球及其制备方法、各向异性导电胶、显示装置

    公开(公告)号:CN106125410B

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201610494408.8

    申请日:2016-06-28

    Inventor: 韩林 王建 蒋昆

    Abstract: 本发明提供了一种导电球及其制备方法、各向异性导电胶、显示装置,将包括该导电球的各向异性导电胶应用到显示装置时,可以有效改善因胶黏剂包裹导电球引起导通不良的问题。一种导电球,应用于各向异性导电胶中,所述导电球包括:聚合物球、包覆所述聚合物球的基底层、以及生长在所述基底层表面的导电层,所述导电层的表面凹凸不平,且所述导电层的材料和所述基底层的材料至少在一个晶面上晶格参数匹配。本发明适用于导电球、包括该导电球的各向异性导电胶的制作。

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