公开(公告)号：CN103548100B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201280024544.0

申请日：2012-05-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 花房庆 ,  本田元气 ,  大木康太郎 ,  中西毅 ,  种子田贤宏 ,  永石龙起

IPC: H01B12/06 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B12/02 ,  H01L39/143 ,  H01L39/2422 ,  H01L39/2425 ,  H01L39/2448 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供了表现出优异超导特性的超导薄膜材料和制造该超导薄膜材料的方法。超导薄膜材料（1）包括基板（10）和形成在基板（10）上的超导膜（30）。超导膜（30）包括通过金属有机沉积形成的MOD层（31）和通过气相工艺形成在MOD层（31）上的气相形成层（32）。因此，首先形成MOD层（31），并且随后形成气相形成层（32），因此可以防止由于在形成MOD层（31）的过程中应用的热处理（MOD工艺中的热处理）导致气相形成层（32）的特性劣化。

公开(公告)号：CN105474446A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480044422.7

申请日：2014-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 加来宏一 ,  董雍容 ,  花房庆 ,  关根良润

IPC: H01M8/18

CPC classification number: H01M8/08 ,  H01M8/188 ,  H01M8/20 ,  H01M2300/0005 ,  H01M2300/0011 ,  Y02E60/528

Abstract: 本发明提供能够抑制沉淀的生成并且具有高能量密度的氧化还原液流电池。所述氧化还原液流电池向电池单元供应正极电解质和负极电解质并对其进行充放电，所述电池单元包含正极、负极和置于两个电极之间的隔膜。所述正极电解质包含锰离子、钛离子和反应性金属离子。所述负极电解质包含选自钛离子、钒离子、铬离子和锌离子中的至少一种类型的金属离子。所述反应性金属离子为选自如下的至少一种类型：钒离子、铬离子、铁离子、钴离子、铜离子、钼离子、钌离子、钯离子、银离子、钨离子、汞离子和铈离子。

公开(公告)号：CN105009344A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480012780.X

申请日：2014-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 董雍容 ,  加来宏一 ,  花房庆 ,  关根良润

IPC: H01M8/18 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/188 ,  H01M8/20 ,  H01M2300/0011 ,  Y02E60/528

Abstract: 本发明提供了氧化还原液流电池，其可以抑制正极上的沉积物生成。所述氧化还原液流电池通过将正极电解液和负极电解液供给至电池单元来进行充放电，所述电池单元包含正极、负极和置于所述两个电极之间的隔膜。所述正极电解液含有锰离子和附加金属离子，所述负极电解液含有选自钛离子、钒离子、铬离子和锌离子中的至少一种金属离子。所述正极电解液中含有的所述附加金属离子为如下的至少一种：铝离子、镉离子、铟离子、锡离子、锑离子、铱离子、金离子、铅离子、铋离子和镁离子。

公开(公告)号：CN103947024A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280057488.0

申请日：2012-11-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 片山宽一 ,  奥田泰弘 ,  新原直树 ,  重松敏夫 ,  董雍容 ,  花房庆 ,  林文弘 ,  大矢彩

IPC: H01M8/02 ,  H01M8/18

CPC classification number: H01M8/1067 ,  H01M8/0289 ,  H01M8/188 ,  H01M8/20 ,  H01M2300/0082 ,  Y02E60/528

Abstract: 本发明的氧化还原液流电池用隔膜包括多孔膜(10)，其平均流量孔径为100nm以下、厚度为500μm以下，并且空气流速为0.1ml/s·cm2以上。在将该氧化还原液流电池用隔膜用于V-V氧化还原液流电池的情况下，多孔膜(10)的平均流量孔径优选为30nm以下。