电子发射元件,电子源以及图像显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN1448977A

    公开(公告)日:2003-10-15

    申请号:CN03106605.4

    申请日:2003-02-26

    CPC classification number: H01J9/027 H01J31/127

    Abstract: 本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序,而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法,电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法,在把高分子膜碳化,使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中,在上述高分子膜上,在把每单位面积,每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时,满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T:把高分子膜在1×10-4Pa以上的真空中加热保持1小时,使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃],Csub:上述基体的比热[J/kg·K],ρsub:上述基体的比重[kg/m3],λsub:上述基体的热传导率[W/m·K],1×10-9sec≤τ≤10sec)。

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