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公开(公告)号：CN102385241A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110383933.X
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN1763632B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200510112619.2
申请日：2005-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08 , G03F1/14 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 本发明在光学透明的基板11的一侧主表面上设置遮光性膜12，上述遮光性膜12由第1遮光性膜13和第2遮光性膜14依次叠层而构成。第1遮光性膜13为在氟系(F类)干式蚀刻中不被实质蚀刻的膜，是主成分为铬的氧化物、氮化物、氧氮化物等的膜。而且，第2遮光性膜14是以可被F类干式蚀刻的含硅化合物为主成分的、硅或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物等的膜。
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公开(公告)号：CN101052917A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580036565.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/08
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模。
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公开(公告)号：CN1815361A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610001086.5
申请日：2006-01-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/54 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(－)、折射率为n(－)、消光系数为k(－)时，进行设计，使相位超前膜为k(－)＞a1·n(－)+b1，使相位滞后膜为k(－)＜a2·n(－)+b2。系数a及b为a1＝0.113·d(+)+0.774，b1＝－0.116·d(+)－0.281，a2＝0.113·d(－)+0.774，b2＝－0.116·d(－)－0.281。
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公开(公告)号：CN103324027B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310245718.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103324024B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN103324024A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245719.7
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/32
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN102621802A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112732.0
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明提供一种光掩模基板，其包括：设置在透明衬底上，耐氟干法蚀刻并且可通过氯干法蚀刻去除的蚀刻截止膜、设置在蚀刻截止膜上，并且至少包括一层由过渡金属/硅材料构成的层的光屏蔽膜，和设置在光屏蔽膜上的减反射膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度依赖性所引起的图案尺寸变化被减小，使得能够以高精确度制作光掩模。
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公开(公告)号：CN100568091C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610001086.5
申请日：2006-01-16
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
IPC: G03F1/00
CPC classification number: G03F1/54 , G03F1/32 , Y10T428/31616
Abstract: 半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(-)、折射率为n(-)、消光系数为k(-)时，进行设计，使相位超前膜为k(+)＞a1·n(+)+b1，使相位滞后膜为k(-)＜a2·n(-)+b2。系数a及b为a1＝0.113·d(+)+0.774，b1＝-0.116·d(+)-0.281，a2＝0.113·d(-)+0.774，b2＝-0.116·d(-)-0.281。
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公开(公告)号：CN101082768A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710136300.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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