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公开(公告)号：CN113964121A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111208889.9
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/085 , G06N3/063
Abstract: 本发明公布了一种适用于树突网络硬件的跨导可变场效应晶体管阵列及应用，属于半导体集成电路技术领域。本发明基于单个跨导可变场效应晶体管实现存储变量与两个输入变量的三元素乘法，并基于互补器件阵列实现了树突网络核心算法的映射。相比于利用神经元激活电路实现非线性变换的传统神经网络硬件，本发明利用器件的本征非线性实现非线性变换，有效降低了设计复杂性，优化了系统外围电路的面积和功耗，对高性能人工智能计算系统的设计具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113867689A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111142701.5
申请日：2021-09-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种可调随机振荡器及其应用，该可调随机振荡器由可调电阻与叠层器件串联形成，叠层器件包括金属顶电极，阈值开关材料层，阻变材料层和金属底电极，通过改变可调电阻的阻值以及阻变材料的电阻实现随机性和采样帧间隔的调节。本发明可调随机振荡器适用于压缩感知采样系统，可调随机振荡器输出的周期性电压信号作为传输门和数模转换器的使能信号，当可调随机振荡器的输出电压超过传输门和模数转换器的使能电压后，模数转换器开始采集外界信号；当可调随机振荡器的输出电压低于传输门和模数转换器的使能电压后，采集停止，压缩感知采样系统完成采样帧。本发明实现了低成本、高效率的信息采集，对搭建万物互联的信息网络有着重要意义。
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公开(公告)号：CN109698273B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811555661.5
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS制备工艺的氧化物非易失性存储器及其制备方法，克服了现有存储器阵列与CMOS后端工艺集成的问题，通过合理设计和优化工艺流程使得材料和工艺在兼容现有CMOS后端工艺基础上，同时实现高性能、高可靠存储和电子突触特性的存储器阵列芯片。本发明有助于研究阻变存储器的阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经形态器件和芯片的研究有着重要意义。
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公开(公告)号：CN109994604A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811492161.1
申请日：2018-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提出了一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法，属于基于采用传统CMOS后端工艺实现的大规模忆阻器及其阵列集成的制备方法，通过合理设计和优化工艺流程使得材料和工艺在兼容现有CMOS后端工艺基础上，同时实现高性能、高可靠存储和电子突触特性的忆阻器阵列芯片。
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公开(公告)号：CN109698273A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811555661.5
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS制备工艺的氧化物非易失性存储器及其制备方法，克服了现有存储器阵列与CMOS后端工艺集成的问题，通过合理设计和优化工艺流程使得材料和工艺在兼容现有CMOS后端工艺基础上，同时实现高性能、高可靠存储和电子突触特性的存储器阵列芯片。本发明有助于研究阻变存储器的阻变机理、可靠性、耐久性等等大规模制备相关的能力，对于新一代存储器以及人工神经形态器件和芯片的研究有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098932B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610425841.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种线性缓变忆阻器及其制备方法，该忆阻器在电极和阻变材料的界面处插入了一层对离子扩散速率具有调制效应的扩散调制层，本发明使得忆阻器导电细丝的形成和熔断处的离子扩散速率可以通过插入的扩散调制层达到不同的调制效果，从而实现对忆阻器特性的优化，使器件展现出阻值连续线性变化且更趋近于生物突触的特性。同时，器件具有低功耗及制备工艺与传统CMOS工艺相兼容的优点，对于神经网络计算硬件的最终实现有着重要的意义。
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公开(公告)号：CN105895152A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610202361.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/004
Abstract: 本发明提供一种基于单向导通存储单元的存储阵列读取方法，该存储阵列包括多条字线和与字线交叉的多条位线；设于各字线和各位线交叉点并与字线和位线连接的多个存储单元，该存储单元单向导通；以及外围读出电路，对连接到同一位线的存储单元进行读写；其步骤包括：对选中的存储单元所属字线施加一第一电压，对存储阵列的其它字线施加一第二电压；同时对该存储单元所属位线施加一第二电压，对其它位线施加一第一电压；通过外围读出电路读写该存储单元所在位线。
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公开(公告)号：CN105870321A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610183126.6
申请日：2016-03-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种非线性自整流阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极?阻变层?能带修饰层?顶电极结构。本发明还提供一种非线性自整流阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积能带修饰层；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和能带修饰层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在修饰层上制备顶电极。
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公开(公告)号：CN104485416A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410669565.9
申请日：2014-11-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种采用超材料电极结构的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底和位于衬底上的电极-阻变层-电极结构，所述电极采用能够对电磁场产生共振的超材料结构。首先在衬底上采用传统半导体CMOS工艺生长阻变薄膜材料层；然后利用光刻胶作为牺牲层，利用传统半导体CMOS工艺的光刻技术，通过牺牲层在阻变薄膜材料层上刻蚀出超材料结构的电极图形；再在刻蚀出的图形上淀积金属电极材料，去除牺牲层后即形成阻变存储器结构。本发明将超材料做成电极结构应用在阻变存储器中，通过电磁波的非接触式激励来实现存储状态的改变，可以应用到电磁开关、电磁波探测等方面，极大的丰富了阻变存储器的应用。
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公开(公告)号：CN103035839B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210555341.6
申请日：2012-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器形成于衬底上，所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极，所述第一电极、阻变材料和第二电极均生长在所述衬底表面，所述第一电极和所述第二电极相对设置，所述阻变材料位于所述第一电极和所述第二电极之间，且同时与所述第一电极和所述第二电极接触；所述第一电极与所述衬底的接触面面积大于所述第一电极与所述阻变材料相接触的第一接触面的面积，和/或所述第二电极与所述衬底的接触面面积大于所述第二电极与所述阻变材料相接触的第二接触面的面积。本发明实施例所提供的阻变存储器，大大减小了电极与阻变材料的接触面积，从而在很大程度上减小了操作电流。
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