公开(公告)号：CN100419959C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510015747.5

申请日：2005-10-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 孟志国 ,  吴春亚 ,  熊绍珍 ,  赵淑云

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；厚度30nm-500nm。采用有机碱进行PH值调节的低浓度镍盐溶液为浸沾溶液，非晶硅薄膜表面浸沾在该溶液中，控制无电电镀镍的量。水洗去掉多余的沉淀物。在氮气的保护下，550-590℃下退火。本发明具有良好的晶体结构和高迁移率，成本低廉，适合制备平板显示器基板和面阵传感器中的多晶硅TFT。适合于大面积衬底大批量生产高质量多晶硅薄膜，是具有重要产业应用价值的技术。

公开(公告)号：CN101257056A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810052621.9

申请日：2008-04-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  魏长春 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/045

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。

公开(公告)号：CN100397661C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510014465.3

申请日：2005-07-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 孟志国 ,  吴春亚 ,  熊绍珍

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管器件及其制备方法。采用催化金属镍在选择晶化区域的低温氧化硅覆盖层下覆盖的非晶硅薄膜上形成周边晶化的多晶硅岛，并选择多晶硅岛的适当位置形成金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管的沟道。将各种金属诱导的多晶硅材料进行了优化使用，既可获得高性能的多晶硅TFT器件，明显的减少晶化的时间，有效的减低衬底收缩和衬底中金属离子扩散的影响，提高制备产率。该技术适合与制备低温多晶硅电路、低温多晶硅显示器有源选址基板，以及面阵图象传感器等多种微电子和光电子产品的制备，是具有重要产业应用价值技术。

公开(公告)号：CN101159297A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710150231.0

申请日：2007-11-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  熊绍珍 ,  耿新华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。本发明采用与制备微晶硅太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。

公开(公告)号：CN1794424A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510015748.X

申请日：2005-10-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴春亚 ,  孟志国 ,  熊绍珍 ,  赵淑云

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、或在100℃烘箱中烘干，或置于盐可以快速结晶或分解为氧化物的温度加热后，再在400℃－600℃温度下退火；在加温退火过程中先形成晶化诱导点，以诱导点为中心辐射横向诱导晶化成晶粒尺寸在10－200微米量级的多晶硅。通过控制镍浓度、甩干速度、升温过程，可控制晶粒的大小。本发明可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、半导体集成电路或MEMs中的多晶硅栅等技术领域。

公开(公告)号：CN1697201A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510013862.9

申请日：2005-06-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵颖 ,  张晓丹 ,  耿新华 ,  魏长春 ,  薛俊明 ,  侯国付 ,  仁慧志 ,  张德坤 ,  孙建 ,  张建军 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为P1和P2两层，P1层是具有高晶化率宽带隙纳米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优势。

公开(公告)号：CN1432985A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03105079.4

申请日：2003-03-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 熊绍珍 ,  吴春亚 ,  郭斌 ,  赵颖

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明是一种可应用于有机发光二极管(OLED)显示屏的电流分场显示驱动电路。它包括受子场变换信号控制的参考电流单元电路部分，电流输入电路部分和能产生多路相等电流输出的电流输出电路部分。通过将显示周期分为n个时间相等的子场，每个子场输出给OLED显示屏的电流分别为1，2，4，…，2n－1倍单位电流，利用OLED发光与电流的线性关系，实现总共达2n个灰度级的显示。本发明不需要附加电路就能达到精确而且较高的灰度级表示。本发明的电流分场显示驱动电路可以应用到信息显示领域中的各种形式和规模的无源或有源矩阵OLED显示器中，适应于产业化应用。

公开(公告)号：CN104766893A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510184202.0

申请日：2015-04-17

Applicant: 南开大学

Inventor： 李娟 ,  张建军 ,  吴玉祥 ,  熊绍珍 ,  蔡宏琨 ,  倪牮 ,  杜阳阳

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/26 ,  H01L29/66742

Abstract: 一种薄膜晶体管，由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200-400nm、有源沟道层200-300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是：该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层，结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜，低温易制备等优点，既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力，同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力；其制备方法简单易行，有利于工业化应用。

公开(公告)号：CN101246942B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200810052484.9

申请日：2008-03-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 孟志国 ,  吴春亚 ,  熊绍珍 ,  李娟

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层；位于LED的N层上的LED发光层；位于LED的发光层上的LED的P层；形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层；位于LD的N层之上的LD的有源层；位于LD的有源层之上的LD的P层；形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光，可提高LED和LD的发光效率。

公开(公告)号：CN101257056B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810052621.9

申请日：2008-04-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  魏长春 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/045

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。