公开(公告)号：CN112113669A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010884901.7

申请日：2020-08-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  王金忠 ,  任帅 ,  刘烁 ,  张勇

IPC: G01J5/10 ,  G01J5/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种鱼鳞状中空SnSe纳米管自供能红外探测器及其制备方法。本发明属于光电探测器件及其制备领域。本发明的目的在于解决SnSe纳米管需要高温合成，并且要使用化学试剂去除硬模板，易引入杂质的技术问题。红外探测器件包括工作电极、对电极和电解液；所述工作电极与对电极通过热封膜相连接，内部形成空腔，空腔内注入电解液，工作电极为表面旋涂有SnSe纳米管的ITO玻璃或FTO玻璃；所述SnSe纳米管表面呈鱼鳞片状，内部呈现中空结构。方法：一、Se纳米线的制备；二、Se@SnSe纳米材料的制备；三、SnSe纳米管的制备；四、红外探测器的制作。本发明利用溶液法合成的SnSe纳米管结构具有独特的鱼鳞状中空结构，且方法具有成本低、易操作、环境友好等优点，适合大规模生产及应用。

公开(公告)号：CN112071652A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010968833.2

申请日：2020-09-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  王金忠 ,  任帅 ,  毛谋文 ,  张勇

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种三维刺猬状ZnO/SnO2异质结构及其制备方法与应用，所述异质结构由ZnO纳米棒和SnO2八面体块构成，SnO2八面体生长在衬底上，ZnO纳米棒生长在SnO2八面体块的表面，整体呈刺猬状结构。本发明使用溶液合成的方法在衬底上生长大面积的刺猬状ZnO/SnO2异质结构，进一步将其作为工作电极，Pt作为对电极，两电极通过热封膜连接，器件中间注入碘电解质或去离子水，获得具有良好自供能特性的紫外探测器，应用于紫外探测领域。该方法操作简单、成本低、适合大规模生产，具有很高的实用价值。

公开(公告)号：CN118316203A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410374927.5

申请日：2024-03-29

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院

Inventor： 宋贝贝 ,  史士炜 ,  崔淑梅 ,  任帅

IPC: H02J50/10 ,  H01F27/26 ,  H02K11/042 ,  H02K23/02

Abstract: 本发明提出一种电励磁电机无线励磁装置，本发明将耦合机构与旋转整流电路集成在一起，所述装置的旋转电路采用径向型安装方式，极大降低了无线励磁装置的轴向距离与体积，增大其功率密度。同时所述装置的旋转侧采用无磁芯的结构，可以降低高速下的离心力，保证其机械可靠性。相比于其他电励磁电机无线励磁装置，本发明所述的无线励磁装置具有高集成度、高功率密度、高机械可靠性等特点。

公开(公告)号：CN117353536A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311259554.9

申请日：2023-09-27

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院

Inventor： 崔淑梅 ,  任帅 ,  张玉琦 ,  宋贝贝 ,  董帅

IPC: H02K19/26 ,  H02K19/16 ,  H02K3/28 ,  H02J50/12 ,  H02J50/70 ,  H02P6/00 ,  H02P6/28

Abstract: 本发明提出一种双频双通道的电励磁同步电机谐振耦合式无刷化系统，所述系统构建了电机低频电流与无线高频电流传输的双通道，将两种频率的电流分别注入定子发射绕组中，拓宽了高频补偿拓扑的可选范围，实现对双频电流的单独控制，提高控制精度，实现无刷化励磁。为谐振耦合式无刷化的实现提供实施方案，对无刷化励磁有重要意义。

公开(公告)号：CN114843106A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210476168.4

申请日：2022-04-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王金忠 ,  张翔宇 ,  任帅 ,  高世勇

IPC: H01G9/00 ,  H01G9/20 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种铋氧基异质结的制备方法和铋氧基异质结宽波段光电探测器及其制备方法，属于光电探测器制备技术领域，所述宽波段光电探测器以Bi2O2Se/BiCuOSe异质结为基体材料，由工作电极、对电极和电解质三部分制备而成。制备步骤如下：首先利用一步水热法通过调控铋源和铜源比例原位合成Bi2O2Se/BiCuOSe异质结；然后将所得产物制备工作电极；最后将工作电极、对电极和电解质连接，得到铋氧基异质结宽波段光电探测器。该器件在紫外、可见、近红外波段都会产生光子吸收和光响应，而且由于异质结的作用具有比Bi2O2Se更大的响应度，同时该器件响应迅速，具有较好的光电探测性能，这对宽波段光电探测器的发展具有重要意义。

公开(公告)号：CN114509163A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210011149.4

申请日：2022-01-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  任帅 ,  王金忠 ,  容萍 ,  张勇 ,  苑野

IPC: G01J1/42 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的Bi2O3、Bi2S3是一种大面积生长在导电衬底表面的纳米管阵列，所述光电探测器是以所生长的大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为探测材料所制备。首先，利用水热法合成ZnO纳米棒；然后，通过磁控溅射结合溶液法制备了具有核壳结构的ZnO纳米棒/Bi2O3薄膜和ZnO纳米棒/Bi2S3薄膜；接下来去除ZnO纳米棒后获得大面积Bi2O3或Bi2S3纳米管阵列；最后将Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为工作电极制备了光电探测器。本发明主要利用简便、易操作的室温溶液法结合磁控溅射的方式合成了大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列结构，进而构造了光电探测器。

公开(公告)号：CN113921286A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111152229.3

申请日：2021-09-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高世勇 ,  容萍 ,  王金忠 ,  刘祎 ,  任帅 ,  张勇

IPC: H01G9/20

Abstract: 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法，所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构，在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中，ZnO为二维纳米片结构，均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极，通过热封膜将其与对电极连接，并在中间注入聚硫电解质或去离子水，分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料，并基于其分别制备了高性能的光电探测器，拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。