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公开(公告)号：CN101859797B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201010179760.5
申请日：2010-05-24
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种深沟槽功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、氧化层(202)、沟道区(203)、栅电极(204)、源电极(205)、n+层(206)、分裂电极(207)、漂移区(208)；所述漂移区为n型漂移区，在n型漂移区的两侧设置有n+层(206)，且分裂电极(207)上方的源电极(205)和栅电极(204)在横向上交替排列。本发明通过在n型漂移区中加入n+层，分裂电极上方的源电极和栅电极在横向上交替排列，在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN101819998B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010159170.6
申请日：2010-04-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明提供的是一种具有应变硅结构的高压低功耗SOI LDMOS晶体管。包括源区(9)、体区(8)、漏区(5)、超结结构中n柱(3)、超结结构中p柱(4)、源电极(10)、漏电极(12)、栅电极(11)、埋置介质层(6)，所述超结结构中p柱(4)为与硅材料晶格不匹配的单晶材料，所述单晶材料是如Ge或SiGe使硅能够生成应变的材料，所述超结结构中n柱(3)为在超结结构中p柱(4)基础上生成的n型平行于源漏电极的横向张应变硅。本发明在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规SOI LDMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN101859797A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010179760.5
申请日：2010-05-24
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种深沟槽功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、氧化层(202)、沟道区(203)、栅电极(204)、源电极(205)、n+层(206)、分裂电极(207)、漂移区(208)；所述漂移区为n型漂移区，在n型漂移区的两侧设置有n+层(206)，且分裂电极(207)上方的源电极(205)和栅电极(204)在横向上交替排列。本发明通过在n型漂移区中加入n+层，分裂电极上方的源电极和栅电极在横向上交替排列，在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规MOSFET工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。
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公开(公告)号：CN104157659B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410352895.5
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/146 , H01L23/552 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构以及辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构的制作方法。辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本发明的带有气隙及沟槽场板的辐射探测器像素结构，在顶层硅MOSFET与中间电极场板间存在气隙隔离结构，该结构可以有效阻止底部电势向顶层硅MOSFET体区扩展，屏蔽辐射电离后在绝缘介质中产生TID效应；电路中MOSFET被与场板电极连接的沟槽硅包围，该结构可以进一步降低电路与传感器间寄生电容，有效屏蔽两部分信号间串扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157659A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410352895.5
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/146 , H01L23/552 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构以及辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构的制作方法。辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本发明的带有气隙及沟槽场板的辐射探测器像素结构，在顶层硅MOSFET与中间电极场板间存在气隙隔离结构，该结构可以有效阻止底部电势向顶层硅MOSFET体区扩展，屏蔽辐射电离后在绝缘介质中产生TID效应；电路中MOSFET被与场板电极连接的沟槽硅包围，该结构可以进一步降低电路与传感器间寄生电容，有效屏蔽两部分信号间串扰。
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公开(公告)号：CN103928338A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410134515.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/26
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L29/0634
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法，其特征在于：其特征在于：将功率半导体器件漂移区按横向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个区域降低少子寿命；将功率半导体器件漂移区按纵向厚度均匀分成2—4个区域，针对其中一个区域降低少子寿命。
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公开(公告)号：CN102569403A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210010923.6
申请日：2012-01-14
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供的是分裂栅型沟槽功率MOS器件的终端结构及其制造方法。包括栅引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)、厚氧化层(103)、栅电极连接金属(104)、源电极(105)、漂移区(N-)(106)、漏电极(107)；栅电极引出电极(101)、栅电极下部悬浮多晶硅电极(102)和厚氧化层(103)组合结构构成器件终端且在相同掩膜板及相同工艺中形成。本发明通过5块光刻板的工艺制造流程实现分裂栅型沟槽功率MOS器件结构，在保证器件有超低的导通电阻的同时，不影响器件的击穿电压及寄生电容，在优化了工艺制造流程的同时，降低了器件的制作成本。
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公开(公告)号：CN202816955U
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201220467212.7
申请日：2012-09-14
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本实用新型涉及MOS器件版图边缘设计领域，具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本实用新型的分裂栅型沟槽功率MOS器件，有源区中沟槽结构同终端结构连通，有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构，半圆形的直径同台面宽度相同。本实用新型中分裂栅沟槽功率MOS器件为沟槽包围台面结构，这样可以保证器件的有源区台面结构一致，优化器件内台面结构中的电场分布，从而整体上提高分裂栅型沟槽功率MOS器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN204029811U
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201420409094.3
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/146 , H01L23/552
Abstract: 本实用新型涉及一种辐射探测器串扰隔离及辐射加固像素结构，包括电极场板，P阱，P+区域，绝缘介质材料，N型体硅，N型MOSFET，P型MOSFET，背部电极，场板金属电极，P+引出电极，连接场板沟槽。根据本实用新型的带有气隙及沟槽场板的辐射探测器像素结构，在顶层硅MOSFET与中间电极场板间存在气隙隔离结构，该结构可以有效阻止底部电势向顶层硅MOSFET体区扩展，屏蔽辐射电离后在绝缘介质中产生TID效应；电路中MOSFET被与场板电极连接的沟槽硅包围，该结构可以进一步降低电路与传感器间寄生电容，有效屏蔽两部分信号间串扰。
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