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公开(公告)号：CN100588609C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200810001675.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/082 , C01B21/04 , C01B31/06 , C01B31/04
Abstract: 一种用于调控氮化碳材料物相的溶剂热恒压合成方法，属于化工生产和新材料领域。该方法包括碳源液和氮源液的配制、装釜，加热之前先施加40～2000MPa的恒定压力，控制温度以0.01～60℃/分钟的速度加热到220～1000℃，反应结束，冷却至室温，对产品进行后处理。本发明的方法合成硼碳氮时，反应体系的温度和压力可以独立地分别调控，既能使反应过程在恒定的压力下进行，又可以根据需要改变体系的压力，从而对合成氮化碳的反应进行的速度和方向进行控制。利用本发明的方法，可得到大粒度的氮化碳晶体。
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公开(公告)号：CN101270226A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810015999.1
申请日：2008-05-14
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种聚酰亚胺/氧化物复合多孔纳米固体的制备方法，将合成聚酰亚胺用的原料均苯四甲酸二酐(PMDA)和4，4’－二氨基二苯醚(ODA)首先溶于造孔剂中，恒温一段时间，反应完全生成聚酰亚胺酸。然后再将氧化物纳米粉加入其中，升温使聚酰亚胺酸完全亚胺化，完成聚酰亚胺的合成，接着再加压将造孔剂排出，同时完成纳米颗粒的组装成孔过程，从而得到聚酰亚胺/氧化物复合多孔纳米固体。本发明方法完全避免了固相复合过程中，有机和无机组分混合不均匀的问题，使二者之间结合更紧密。该方法操作简单、成本低廉，而且便于扩大制备规模。
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公开(公告)号：CN101254905A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810001675.2
申请日：2006-01-04
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/082 , C01B21/04 , C01B31/06 , C01B31/04
Abstract: 一种用于调控氮化碳材料物相的溶剂热恒压合成方法，属于化工生产和新材料领域。该方法包括碳源液和氮源液的配制、装釜，加热之前先施加40～2000MPa的恒定压力，控制温度以0.01～60℃/分钟的速度加热到220～1000℃，反应结束，冷却至室温，对产品进行后处理。本发明的方法合成硼碳氮时，反应体系的温度和压力可以独立地分别调控，既能使反应过程在恒定的压力下进行，又可以根据需要改变体系的压力，从而对合成氮化碳的反应进行的速度和方向进行控制。利用本发明的方法，可得到大粒度的氮化碳晶体。
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公开(公告)号：CN100336583C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200510044323.1
申请日：2005-07-29
Applicant: 山东大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 一种用于液相反应、物相转变和制备多孔固化体的组合模具，包括模具外筒、模具内筒、内筒密封塞、内筒密封圈、密封塞压环、内传压活塞、外筒密封圈和外传压活塞，内筒中间是两个相对安装的内筒密封塞，两个内筒密封塞之间是一个用于储存液体的空间，内筒密封塞外侧依次设有内筒密封圈和密封塞压环，装有内筒密封塞、内筒密封圈和密封塞压环的内筒套装在模具外筒内；外筒内两端分别设有内传压活塞和外传压活塞，内外两个传压活塞之间设有外筒密封圈，模具外筒外表面上设有加热管。利用这种模具，可以得到通常条件下无法制备的新物质和新物相，还可用于制备多孔固化体，在新材料制备、化工生产以及新型功能材料和器件研制等领域具有十分广泛的用途。
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公开(公告)号：CN1203921C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN03145199.3
申请日：2001-01-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及磷化物、氮化物半导体纳米材料的制备方法及其应用。将三氯化镓或三氯化铟溶入有机溶剂二甲苯、氯苯或吡啶中，使其浓度达到0.05-0.4摩尔/升；边加热边强烈搅拌，同时加入磷化钠或氮化锂，持续加热搅拌1-4小时，所得粉末抽滤直到水溶液呈中性。本发明磷化镓、磷化铟和氮化镓纳米材料，用于在200-350℃和常压条件下吸附氮气并使之活化和参加反应，用于醇类分子的催化裂解，最低裂解温度60℃。本发明纳米材料粒度均匀，制备过程可控制，产率高，操作安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1597499A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410035714.2
申请日：2004-09-01
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 一种用于控制氮化硼物相的选相原位合成方法，属于化工技术领域。将硼源或氮源熔于有机溶剂配制成溶液或悬浊液，其中之一放入反应釜中，另一种置于隔离罐中分次加入反应体系，控制反应釜的温度以0.01℃/分钟－60℃/分钟的速度加热到120℃～600℃反应10小时～300小时，反应生成氮化硼。反应产物在真空中加热到60～200℃干燥，得到粒度均匀的BN微晶。本发明方法制备的立方氮化硼微晶可应用于精密机械加工刀具和高稳定性高硬度钻头的制造、超硬耐腐蚀防护涂层制造等，还可以用于高稳定性耐高温加热容器、高热导率绝缘材料，高性能纳米润滑液体、军用特种窗口材料等。
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公开(公告)号：CN1364728A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN02110066.7
申请日：2002-02-07
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/06 , C01B21/064 , C01B21/072
Abstract: 一种水热条件下制备氮化物超微粉和氮化物晶体的方法,属于纳米材料和晶体生长技术领域。本方法的特征在于:首先把硼、铝、镓、铟源溶解到去离子水中,再加入金属氮化物(包括迭氮化物)或氨(氨盐等)并搅拌,最后加入磷、锌等作为还原剂,加热到100～800℃并恒温10～120小时,利用反应耦合现象制备了氮化硼、氮化镓、氮化铝、氮化铟等晶体和超微粉。这种方法的优点在于不需要大型贵重仪器设备,操作过程不需要无氧无水条件,且易于得到大的晶体。该方法操作简单,可以大幅度降低氮化物的制备成本,便于实现规模生产。
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公开(公告)号：CN1317832A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN01115034.3
申请日：2001-06-06
Applicant: 山东大学
IPC: H01L29/737 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种GaAsSb/InP双异质结晶体三极管以及金属有机化学气相沉积技术制备三极管材料的方法。本发明晶体三极管由以下三部分组成：集电区、基区和发射区，衬底采用半绝缘的InP单晶片，集电区由生长在衬底之上的N+－InGaAs和低掺杂的N－－InP组成，基区由P+－GaAsSb组成，发射区由N－－InP或AlInAs和N+－InGaAs欧姆接触层组成。本发明技术重复性好，制备的器件性能优异，是一种理想的制备微波无线通讯及光通讯半导体器件材料的方法。
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公开(公告)号：CN115448262B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210892048.2
申请日：2022-07-27
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/064 , C09K11/63
Abstract: 本发明提供了一种宽温域的长寿命氮化硼磷光材料及其制备方法与应用。其制备包括步骤：将硼酸和氟源溶解在去离子水中，再加入氮碳源，搅拌混合均匀后进行反应；反应完成后，经冷却、洗涤、干燥，得到宽温域的长寿命氮化硼磷光材料。本发明制备过程简单，成本低，绿色环保，不需要复杂的后处理，可快速实现大批量的制备，所得宽温域磷光材料毒性低，光稳定性好。本发明得到的宽温域的长寿命氮化硼磷光材料粉末具有蓝色荧光和绿色磷光，并且磷光发射可以覆盖到150℃的高温环境，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110596564A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201911001470.9
申请日：2019-10-21
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及一种多用途光电性能联合原位测试池及其应用，属于半导体光电功能材料和器件领域，包括高压密封系统、样品加热/测试台、宽光谱透光窗口和安全阀；高压密封系统包括高压池体、主密封系统，高压池体的下部设置有宽光谱透光窗口，样品台导热板的表面安装测试探针，高压密封系统的主密封系统上还设置有进气管、热电偶插管、排气管和加热/测试电极。本发明可以在测试高压、加热、特殊气氛、强激光、强磁场等因素单独或两种以上联合作用下，连续、原位地测定半导体材料和器件的电输运性能。通过这个过程，一方面实现对半导体材料和器件性能的有效调控，另一方面可以发现新的性质和现象，为研制具有特殊功能的半导体光电器件奠定基础。
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