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公开(公告)号：CN110064956B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910497339.X
申请日：2019-06-10
Applicant: 广东工业大学
IPC: B23Q5/00
Abstract: 本发明公开了一种微位移驱动机构，包括框架以及设置在所述框架中的第一柔性铰链机构和第二柔性铰链机构，所述第一柔性铰链机构的第一端固定连接在所述框架上、第二端可拆卸固定连接在所述框架上，所述第二柔性铰链机构位于所述第一柔性铰链机构下方且固定连接在所述框架上，第一驱动器的上端相对所述框架固定、下端接触所述第一柔性铰链机构，第二驱动器的上端相对所述第一柔性铰链机构固定、下端接触所述第二柔性铰链机构，所述第二柔性铰链机构下侧与刀具相连。上述微位移驱动机构能够实现多种位移输出方式，满足了高频率、高速度和高精度的加工要求，灵活控制输出方式，满足了不同加工方式的需求。
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公开(公告)号：CN108453676B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201810241650.3
申请日：2018-03-22
Applicant: 广东工业大学
IPC: B25H1/00
Abstract: 本发明公开了一种二维精密运动平台，包括：平台基座、宏运动平台和微运动平台；宏运动平台包括宏运动平台传动结构，宏运动平台传动结构包括：宏运动X轴传动结构和宏运动Y轴传动结构；宏运动X轴传动结构和宏运动Y轴传动结构在平台基座顶面的投影构成坐标系的一个象限，微运动平台在平台基座顶面的投影位于象限的区域内。本发明通过设置空间错位的宏运动平台和微运动平台，宏运动平台和微运动平台互相分离且独立控制，使得运动平台可以在较大空间区域内运动的同时满足高精度的要求，解决了现有运动平台因宏微运动结构的相互干扰导致运动精度下降的技术问题。
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公开(公告)号：CN117524927B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311467578.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片转移封装技术领域，提供了一种LED芯片刺晶转移过程的检测装置，其包括刺晶拍摄平台、计算机和气压控制器；其中，所述刺晶拍摄平台包括固定架、可滑动连接于所述固定架上的相机和三轴微调滑台、设置于所述三轴微调滑台上的夹具、设置于所述夹具上的光源支架、设置于所述光源支架上的光源、设置于所述固定架一侧的Z轴微调滑台、设置于所述Z轴微调滑台上的剥离基板支架、龙门架、设置于所述龙门架的一侧的刺晶座以及设置于所述刺晶座上且位于所述剥离基板支架的顶部的刺针。本发明中的LED芯片刺晶转移过程的检测装置可以检测刺晶过程中刺针的运动路径以及刺晶转移效果，以减少刺晶工艺参数调节的成本且提升效率。
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公开(公告)号：CN108206155B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201810188240.7
申请日：2018-03-07
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明提供了一种层架式解耦的XY高速运动平台，包括：第一基座、第二基座、x轴运动模块、y轴运动模块和动平台；所述x轴运动模块安装在所述第一基座上；所述y轴运动模块安装在所述第二基座上；所述第一基座架空设置在第二基座上；所述动平台基于所述x轴运动模块进行x轴方向直线运动和/或基于所述y轴运动模块进行y轴方向直线运动。本发明采用并联解耦方式，结构简单，在工作中更容易保证动平台在运动方向的一致，有利于控制平面运动的轨迹轮廓精度，且该运动平台通过一种简单稳固的的结构方式将x轴运动模块、y轴运动模块与动平台分隔在高度不同的平面内，减少了运动组件以及其连带运动的复杂性，实现了XY平面空间的最优利用。
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公开(公告)号：CN117742363A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311760116.0
申请日：2023-12-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: G05D1/46
Abstract: 本发明公开了一种飞行刺晶路径规划方法、装置、设备及介质，包括按照预置阶段运动时间对应的预置控制点个数对飞行刺晶的多个控制点坐标进行初始化，生成预置阶段运动时间对应的多个初始控制点坐标；采用各初始控制点坐标、预置控制点个数和预置阶段运动时间，构建预置阶段运动时间对应的初始贝塞尔曲线；根据各初始控制点坐标和预置规划矩阵，构建路径损失函数和运动约束；基于运动约束，采用投影梯度算法对路径损失函数进行最小值求解，输出目标控制点总向量；采用目标控制点总向量和初始贝塞尔曲线，生成飞行刺晶对应的目标运动路径；解决了现有的飞行刺晶的路径规划方法所需运动时间较长，导致芯片转移的加工效率较低的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117672841A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311653726.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种硅柱阵列的器件连接结构的制造方法及器件连接结构，所述制造方法包括以下步骤：S1、硅片准备：对硅片晶圆进行初步清洗烘干；S2、刻蚀晶向寻找：通过硅晶圆中心初步预刻蚀来观察目标刻蚀晶向；S3、掩膜制备：通过热氧化在所述硅片晶圆的表面制备出SiO2掩膜，再用光刻机制备定向刻蚀胶层图案；S4、碱性湿法刻蚀：将所述目标硅片晶圆浸泡在KOH和TMAH混合液中刻蚀；S5、制备玻璃保护层：去除刻蚀后的表面杂质并依次进行离心洗涤与真空干燥，随后在其表面浇筑熔融玻璃以保护所述硅片晶圆。本发明的硅柱阵列的器件连接结构的制造方法制造效率高，质量好，可靠性高，生产成本低。
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公开(公告)号：CN116140938B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310204429.1
申请日：2023-03-06
Applicant: 广东工业大学
IPC: B23P15/00 , B23K26/352 , B23K26/60
Abstract: 本发明公开了一种宏微复合阵列耐磨超疏水表面的加工方法和金属件，一种宏微复合阵列耐磨超疏水表面的加工方法，包括以下步骤：S1、对金属件进行清洗；S2、以红外激光在金属件表面加工得到阵列图案，所述阵列图案由小图案组成，所述小图案的边缘为微米结构，所述小图案的内部为纳米结构，所述微米结构的顶面高于所述纳米结构的顶面；S3、将红外激光加工完成后的金属件在真空环境进行退火处理，在金属件形成耐磨超疏水表面。红外激光加工设备成本低，获得的耐磨超疏水表面有优秀的耐磨性能，且加工周期短。金属件具有以上述的加工方法所得的耐磨超疏水表面，该耐磨超疏水表面有优秀的耐(56)对比文件洪文生;邓宇;黄志刚;郭钟宁;麦文豪.纳秒紫外激光制备聚二甲基硅氧烷超疏水表面.高分子材料科学与工程.2018,(第01期),全文.阮敏;王嘉伟;刘巧玲;陈跃;占彦龙;胡良云;马福民;于占龙;冯伟.光刻技术制备仿生铝超疏水表面的研究.湖北理工学院学报.2016,(第02期),全文.
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公开(公告)号：CN117276063A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311230415.3
申请日：2023-09-22
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/306 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L21/67
Abstract: 本申请属于微纳结构技术领域，尤其涉及一种曲折型硅纳米结构的刻蚀加工方法及装置；本申请提供的曲折型硅纳米结构的刻蚀加工装置利用控制系统控制入口蠕动泵将组分添加容器中的刻蚀溶液输入刻蚀容器刻蚀硅基体，并通过控制入口蠕动泵和出口蠕动泵的泵速，实现了不同刻蚀溶液的无级调节，刻蚀溶液的组分浓度调节精确度高，从而提高了曲折型硅纳米结构的刻蚀精确度，能够解决现有技术中曲折型硅纳米结构的刻蚀精确度较低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117225441A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311038210.5
申请日：2023-08-16
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及光催化剂技术领域，尤其涉及一种制备g‑C3N4负载Pt复合材料的方法。该方法采用三聚氰胺作为原料，造价低廉，用料广泛；采用周期脉冲电流控制加工过程的温度，通过多个短周期的退火过程产生的焦耳热来处理原料，该过程可通过编程控制，能够对g‑C3N4的结晶的缺陷和临界可见光吸收波长进行调控；最后将Pt直接通过焦耳热解的方式形成Pt颗粒沉积到g‑C3N4上，电流焦耳热解工艺过程的周期短、效率高、能耗低、操作简单，降低了g‑C3N4负载Pt复合材料的制备难度。
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公开(公告)号：CN117038762A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310867233.0
申请日：2023-07-14
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了涉及光电探测器领域，尤其涉及一种自供电柔性氮化镓纳米线阵列光电探测器及加工方法，包括以下步骤：A、准备氮化镓晶圆和柔性基底；B、将氮化镓晶圆浸没于刻蚀液中，进行无电极光电化学刻蚀得到氮化镓纳米线阵列；C、利用紫外激光器在柔性基底加工出石墨烯电极；D、将氮化镓纳米线阵列组装在石墨烯电极；E、在氮化镓纳米线阵列加工出金属电极；F、通过导线分别将石墨烯电极与金属电极引出，并封装。本案提出的一种自供电柔性氮化镓纳米线阵列光电探测器及加工方法，采用无电极光电化学刻蚀加工出氮化镓纳米线阵列101，能有效地改善晶体质量，从而提高利用上述氮化镓纳米线阵列101组装而成的光电探测器的光电性质性能。
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