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公开(公告)号：CN1606081A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410085725.1
申请日：2004-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/2403 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种其中可以利用激光束来记录和再现信息的光信息记录介质。所述介质包括：具有引导槽的衬底、以及至少包括第一金属层、阻挡层和第二金属层(按照该次序沉积在衬底上)的多层膜、或者至少包括金属层和记录层(按照该次序沉积在衬底上)的单层金属膜。所述第二金属层和单层金属膜的金属层是包含Al和金属元素(添加剂)作为主要成分的材料。
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公开(公告)号：CN1527299A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410002006.9
申请日：2004-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种信息记录介质及其制造方法，在基板(1)的表面上形成记录层(4)以及介质层(2)和(6)，记录层(4)通过照射光束或施加电能在晶相与非晶相之间产生相变，介质层(2)和(6)是例如由式(MO2)N(Cr2O3)100－N(摩尔％)(式中M仅为Hf或者Hf和Zr，20≤N≤80)所示的材料组成的Hf/Zr－Cr－O系材料层。根据本发明提供一种在记录层与介质层之间即使不设置界面层也能确保高可靠性和良好反复重写性能的信息记录介质。
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公开(公告)号：CN101401160B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200780009003.X
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/0045
Abstract: 本发明的多层信息记录介质，具备：基板；配置于基板上的三个以上的信息记录层；配置于相邻的信息记录层间的多个透明层；以及透明护罩层。多个透明层中的至少两个透明层的厚度互不相同。当使波长在400nm以上410nm以下的激光从透明护罩层侧垂直射入时，夹着厚度最薄的透明层的两个信息记录层的返回光强度以及调制度中的至少一者，比其他信息记录层的返回光强度以及调制度中的至少一者更高。
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公开(公告)号：CN101401160A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780009003.X
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/0045
Abstract: 本发明的多层信息记录介质，具备：基板；配置于基板上的三个以上的信息记录层；配置于相邻的信息记录层间的多个透明层；以及透明护罩层。多个透明层中的至少两个透明层的厚度互不相同。当使波长在400nm以上410nm以下的激光从透明护罩层侧垂直射入时，夹着厚度最薄的透明层的两个信息记录层的返回光强度以及调制度中的至少一者，比其他信息记录层的返回光强度以及调制度中的至少一者更高。
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公开(公告)号：CN101297363A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200680040024.3
申请日：2006-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种能够同时实现信息层的高透射率和高信号品质、且能够提高对长期保存可靠性，并且能够降低制造成本的光学信息记录介质及其制造方法。为此，在本申请中，在基板上至少设有一个信息层的光学记录介质中，信息层的至少一个含有记录层和电介质层，记录层作为主要成分含有Te、O及M，其中M是从Au、Pd、Pt中选出的一种或多种元素，电介质层的热传导率在0.01W/K·cm以上，电介质层的消光系数在0以上1.0以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100346412C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410002006.9
申请日：2004-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种信息记录介质及其制造方法，在基板(1)的表面上形成记录层(4)以及介质层(2)和(6)，记录层(4)通过照射光束或施加电能在晶相与非晶相之间产生相变，介质层(2)和(6)是例如由式(MO2)N(Cr2O3)100-N(摩尔%)(式中M仅为Hf或者Hf和Zr，20≤N≤80)所示的材料组成的Hf/Zr-Cr-O系材料层。根据本发明提供一种在记录层与介质层之间即使不设置界面层也能确保高可靠性和良好反复重写性能的信息记录介质。
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公开(公告)号：CN1314028C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN03121628.5
申请日：2003-03-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片(1)的表面形成记录层(4)及电介质层(2)和(6)，记录层(4)通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层(2)和(6)是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物-氟化系材料层。
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公开(公告)号：CN1791916A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013698.5
申请日：2004-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/24062 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 本发明涉及一种在光学信息存储介质中，表面平坦性优越，且记录时的标记间干扰较小的光学信息存储介质及其制造方法。在能够使用激光再生信息的光学信息存储介质(10)中，在基板(1)上顺次叠层有反射层(2)、记录层(5)，反射层(2)是含有Al与Ni的合金。
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公开(公告)号：CN1703745A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380101217.1
申请日：2003-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/006 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 本发明的光学信息记录介质包括在衬底上提供的多个信息层以及在彼此相邻的信息层之间提供的光学分离层，并且通过激光束的照射记录或再现信息。在多个信息层中，当最靠近激光束入射侧提供的信息层作为第一信息层，并且设置的与第一信息层接触的光学分离层作为第一光学分离层时，第一信息层包括记录层、调节第一信息层的透光率的透光率调节层以及在透光率调节层与第一光学分离层之间提供的低折射率层。
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公开(公告)号：CN1205608C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02157408.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了记录层和介电体层之间即使不设界面层也能确保高可靠性、良好的反复改写性能的信息记录介质。在基板1的表面上形成记录层4和介电体层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在晶相和非晶相之间产生相转变，介电体层2和6是例如用式(ZrO2)M(Cr2O3)100-M(摩尔%)(式中M在20≤M≤80)表示的材料组成的Zr-Cr-O基材料层。
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