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公开(公告)号：CN1428775A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157408.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了记录层和介电体层之间即使不设界面层也能确保高可靠性、良好的反复改写性能的信息记录介质。在基板1的表面上形成记录层4和介电体层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在晶相和非晶相之间产生相转变，介电体层2和6是例如用式(ZrO2)M(Cr2O3)100－M(摩尔％)(式中M在20≤M≤80)表示的材料组成的Zr－Cr－O基材料层。
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公开(公告)号：CN1424720A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02155784.5
申请日：2002-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2403 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供在高密度记录中不设界面层还能获得可靠性与重复改写性能两者兼优的信息记录介质，其解决手段是在基板上至少装备记录层(4)和反射层(8)，记录层通过光学手段或电学手段在晶相和非晶相之间引起相变，在基板上还装备由表记为(ZrO2)x－(Zn－S)100－X(摩尔％)、且X处于50≤X≤80范围内的材料构成的介电体层(2)、(6)。
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公开(公告)号：CN1010519B
公开(公告)日：1990-11-21
申请号：CN86107003
申请日：1986-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10S430/146
Abstract: 用激光对情报进行记录、重放、抹除及改写的相变化型的可逆光学情报记录介质，是在玻璃、树脂等表面平滑的基片上涂复Ge、Te、Sb(或Bi)三元素、或将Te的一部分置换成Se的四元素记录薄膜。该介质在其结晶时有以多个Te或Se构成化学量组成的化合物为主的结晶相，且各成分间存在化学量组成的稳定化合物相，从而提高了结晶速度及延长了反复记录/抹除的寿命，提高Se粘性可易于结晶化。如Te置换量适当，可得到记录/及消除兼优的膜的组成。
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