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公开(公告)号：CN101695206A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910249704.1
申请日：2006-11-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 所提供的是高频电介质加热功率控制方法，用于控制用于整流AC电源的电压的逆变器电路、调制开关晶体管的高频切换的导通时间、以及转换为高频功率，所述高频电介质加热功率控制方法包括以下步骤：检测从AC电源到逆变器电路的输入电流；获取相应于输入电流的输入电流波形信息；检测从AC电源到逆变器电路的输入电压；获取相应于输入电压的输入电压波形信息；检测磁控管的振荡；输出输入电压波形信息直到检测到磁控管的振荡为止；相加输入直到检测到磁控管的振荡为止输出的输入电压波形信息和输入电流波形信息；以及将输入电流波形信息和输入电压波形信息的相加结果转换为逆变器电路的开关晶体管的驱动信号。
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公开(公告)号：CN102687383B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080058657.3
申请日：2010-12-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M3/28 , H02M1/08 , H02M1/32 , H02M3/335 , H02M2001/0058 , H05B6/666 , Y02B70/1491
Abstract: 构成为，既能可靠地安装用于防止半导体开关元件的电压破坏的施加电压抑制电路，又能够在不破坏周边电路的IC等的情况下对其设定电压进行检查。在具有半导体开关元件（3）的电力转换器中，子基板（16）（另外的单元）是与安装了半导体开关元件（3）、驱动电路（13）、控制电路等的母基板分离的结构，并且与母基板电连接，将控制半导体开关元件（3）的施加电压的施加电压抑制电路（15）和作为驱动电路（13）的构成部件的至少一个部件转移配置到该子基板（16）上，如果欠缺该至少一个部件，则半导体开关元件（3）断开。
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公开(公告)号：CN103716931A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310454359.1
申请日：2013-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 本发明提供高频介质加热用电力控制装置，其为了防止对磁控管（12）和漏磁变压器（2）的二次侧整流电路施加过大的电压并且缩短直到磁控管开始振荡所需的时间而具有磁控管振荡检测部（54），该磁控管振荡检测部（54）在检测到磁控管开始振荡之后，在经过了预定时间后使得磁控管振荡检测信息（23）有效，该高频介质加热用电力控制装置具有如下结构：根据磁控管振荡检测信息，切换到对磁控管的施加电压进行控制的电压控制或者对逆变器电源电路的输入电流进行控制的功率控制，并且将开关频率的最低频率切换为第1频率（f1）或比第1频率高的第2频率（f11）。
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公开(公告)号：CN101695205B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910249702.2
申请日：2006-11-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 所提供的是高频电介质加热功率控制单元，用于不受磁控管类型、特性不规则性或者电源电压波动的影响而高频电介质加热。该高频电介质加热功率控制单元包括输入电流检测单元(71，72)，用于检测用于整流(31)AC电源电压(20)的逆变器电路(10)的输入电流，执行高频切换，和将其转换为高频功率。混频电路(81)将输入电流检测单元上的输入电流波形信息(90)和用于控制输入电流检测单元的输出为预定值的电源控制信息(91)混频，从而输出ON电压信息(92)。PWM比较器(82)将ON电压信息与来自锯齿波生成电路(83)的锯齿波进行比较。执行脉冲宽度调制，并且将驱动信号输出以执行逆变器电路的切换晶体管(39)的ON/OFF控制。
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公开(公告)号：CN101848569A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010114159.8
申请日：2007-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 提供了不受磁控管类型、特性变化、以及电源电压波动等影响的高频介质加热功率控制设备。该功率控制设备被提供有输入电流检测部分(71、72)，用于检测逆变器(10)的输入电流，其对交流电源电压(20)进行整流(31)，并通过执行电压的高频开关L来将其转换为高频功率。混合了来自输入电流检测部分的输入电流波形信息(90)和功率控制信息(91)的开关频率控制信号(92)被转换为逆变器的半导体开关元件(3、4)的驱动信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101754510A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010114124.4
申请日：2007-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 提供了不受磁控管类型、特性变化、以及电源电压波动等影响的高频介质加热功率控制设备。该功率控制设备被提供有输入电流检测部分(71、72)，用于检测逆变器(10)的输入电流，其对交流电源电压(20)进行整流(31)，并通过执行电压的高频开关L来将其转换为高频功率。混合了来自输入电流检测部分的输入电流波形信息(90)和功率控制信息(91)的开关频率控制信号(92)被转换为逆变器的半导体开关元件(3、4)的驱动信号。
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公开(公告)号：CN100584130C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200580013283.2
申请日：2005-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/666
Abstract: 提供一种能够抑制在半导体开关元件中热量损耗和噪声的发生并且能够在限制条件下无故障地导通IGBT的反相器电路。一种谐振型高频加热装置包括：直流电源；由连接到所述直流电源的两个半导体开关元件构成的串联电路；包括连接到所述两个半导体开关元件之一的两端的泄露变压器的初级绕组和电容器的串联电路；以及驱动部件，用于分别驱动两个相应的半导体开关元件，其中驱动部件中包括可变空载时间形成电路，其对于小于预定值的频率，保持空载时间不变，而对于等于或大于预定频率的频率，迅速地增加空载时间。并且其中建立一种限制，以便在所述开关频率变得更高时在不加宽空载时间。
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公开(公告)号：CN101473521A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022973.3
申请日：2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M7/537 , H02H7/1213 , H02M1/32 , H05B6/683 , Y02B40/143
Abstract: 有可能防止在功率降低控制后伴随有磁控管输出升高的诸如模变现象的故障的发生，并且进一步改善高压感应加热设备的可靠性。当在功率降低控制后热敏电阻(T1)的温度降低时，其电阻值升高，并且在点PC的电位Vpc也升高。当电势Vpc变得高于比较器(C3)的另一个输入电压的Vc3时，比较器(C1)的输入电压变为3V。如果热敏电阻(T1)的温度进一步降低，并且电势Vpc变得高于比较器(C2)的另一个输入电势的Vc2，则电场电容器(CO1)的电荷累积和点SS的电势开始升高。如果点SS的电势继续升高并且超过3V，则比较器(C4)的输出变为“1”，并且与非门的输出变为“0”。可移动触点(K1)被切换到第二固定端子b，并且比较器(C1)的输入电压开始升高。
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公开(公告)号：CN101107883A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002551.5
申请日：2006-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 提供用于驱动诸如微波炉之类的磁控管的高频加热电源和用于降低在商业电源的瞬时电压为最低的0度和180度的相位处引起的高阶的电源谐波失真的方法。当高频加热电源提供用于驱动第一和第二半导体开关元件(3、4)的信号时，高频加热电源通过平滑地改变在将商业电源的瞬时电压为最低的约为0和180度的相位处的最低切换频率限制到f1的时间段和取消该限制的时间段之间的边界附近的切换频率，即通过消除切换频率的急剧变化，以抑制高阶电源谐波失真。
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公开(公告)号：CN1947463A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013283.2
申请日：2005-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/666
Abstract: 提供一种能够抑制在半导体开关元件中热量损耗和噪声的发生并且能够在限制条件下无故障地导通IGBT的反相器电路。一种谐振型高频加热装置包括：直流电源；由连接到所述直流电源的两个半导体开关元件构成的串联电路；包括连接到所述两个半导体开关元件之一的两端的泄露变压器的初级绕组和电容器的串联电路；以及驱动部件，用于分别驱动两个相应的半导体开关元件，其中驱动部件中包括可变空载时间形成电路，其对于小于预定值的频率，保持空载时间不变，而对于等于或大于预定频率的频率，迅速地增加空载时间。并且其中建立一种限制，以便在所述开关频率变得更高时在不加宽空载时间。
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