公开(公告)号：CN1315034A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN00801198.2

申请日：2000-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川真也 ,  纸本彻也 ,  鸟井秀雄

IPC: G11B5/127 ,  C03C8/24

CPC classification number: C03C8/245 ,  G11B5/1272 ,  G11B5/1276 ,  G11B5/1335 ,  G11B5/1878 ,  G11B5/232 ,  G11B5/235

Abstract: 常规磁头封接玻璃因为易析晶、强度低,所以容易因切割和磨削磁头片时的冲击力而破裂,不利于制造近年来高密度记录所需磁道窄、隙宽短的磁头。用组成为13－17wt%SiO2,5－6.8wt%B2O3,70－77wt%PbO,0.1－5wt%Al2O3和ZnO至少其一,和0.1－3wt%Na2O和K2O至少其一的玻璃为前封接玻璃,并使用组成为3－9wt%SiO2,11－17wt%B2O3,66－77wt%PbO,3－15wt%Al2O3和ZnO至少其一的玻璃为后前封接玻璃,可高得率地制得高强度、高性能磁头。

公开(公告)号：CN1212955A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98120357.4

申请日：1998-09-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 服部章良 ,  长谷川真也 ,  吉池信幸

IPC: C03C17/42 ,  G03B27/62

CPC classification number: G03G15/605 ,  C03C17/3417

Abstract: 一种抗静电功能增强板,在其基底上包括:两层其上按不同量掺杂锡的掺锡氧化铟薄膜;两层其上按不同量掺杂锑的掺锑氧化锡薄膜;或两层其上按不同量掺铝的掺铝氧化锌薄膜。在上述的掺锡氧化铟薄膜、上述的掺锑氧化锡薄膜或上述的掺铝氧化锌薄膜的上(表面)层中锡、锑或铝的搀杂量大于下层锡、锑或铝的搀杂量。