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公开(公告)号:CN101393834A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200810137761.6
申请日:2008-07-18
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J11/30 , G09G3/293 , G09G3/2986 , G09G2320/043 , H01J11/12
Abstract: 提供一种等离子体显示器面板及具备该面板的图像显示装置,可抑制寻址放电延迟的随时间的恶化,实现明亮、且保证寿命、可稳定驱动、低功耗、高精细、高画质的PDP。在前面基板上具有沿行方向延伸、形成显示线的维持放电电极对,通过以不通过二等分放电单元的沿列方向延伸的中心线的方式,将不与外部电极连接的浮置电极与维持放电电极对配置在同一基板上,增强寻址放电时未受到MgO表面的维持放电造成的溅射影响的区域的局部电位,促进来自该区域的电子放出,抑制寻址放电延迟的恶化。
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公开(公告)号:CN100459017C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN03155367.2
申请日:2003-08-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J11/12 , H01J11/36 , H01J11/44 , H01J2211/361 , H01J2211/444
Abstract: 本发明涉及一种具有提高的对比度的等离子体显示装置,该装置具有较高的装置发光效能(即以较低的功耗提供高亮显示图像)和较高的亮室对比度。发光效能hs和显示放电电压Vs通过增大放电中的乘积pd或增大放电的Xe比例aXe来增大。结果,显示放电区的面积比Ad和显示区反射率β可以通过以近似与Vs2反比例地减小显示电极面积Sse来减小,由此增大装置发光效能hs、装置亮度Bpons和亮室对比度Cb。
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公开(公告)号:CN101046932A
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200610126470.8
申请日:2006-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G09G3/2942 , G09G2310/066 , G09G2320/0228 , H01J2211/323
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示装置,该等离子体显示装置通过提高Xe的分压来谋求发光效率的提高,并且防止因驱动电压上升造成的保护膜寿命减少,使放电稳定。上述等离子体显示装置,进行至少包含用于发光显示的维持放电的驱动,其特征在于:进行发生前置放电和紧随其后的主放电的2阶段放电驱动,设主放电时的电压为Vs,最小维持电压为Vsmin,2阶段放电稳定的前置放电时的前置电压Vp为Vpmin,设定Vp使得Vpmin≤Vp<Vs-10,Vpmin=2Vsmin-Vs-α(α依赖于单元结构)。
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公开(公告)号:CN1299500C
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN02130590.0
申请日:2002-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所 , 富士通日立等离子显示器股份有限公司
CPC classification number: H01J11/12 , G09G3/2022 , G09G3/288 , G09G3/293 , G09G3/294 , G09G2320/02 , H01J11/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体显示板和一种成像装置,它们具有高的发光效率、能保证长寿命和稳定的驱动。所述的等离子体显示板利用了至少含Xe、Ne、He的放电混合气体。该放电混合气体中Xe的比例范围为2%-20%,He的比例范围为15%-50%,且He的比例高于Xe的比例,而且该放电混合气体的总压范围为400乇-550乇,施加给寻址电极的电压脉冲宽度小于或等于2μs。
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公开(公告)号:CN1577693A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN03155367.2
申请日:2003-08-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J11/12 , H01J11/36 , H01J11/44 , H01J2211/361 , H01J2211/444
Abstract: 本发明涉及一种具有提高的对比度的等离子体显示装置,该装置具有较高的装置发光效能(即以较低的功耗提供高亮显示图像)和较高的亮室对比度。发光效能hs和显示放电电压Vs通过增大放电中的乘积pd或增大放电的Xe比例aXe来增大。结果,显示放电区的面积比Ad和显示区反射率β可以通过以近似与Vs2反比例地减小显示电极面积Sse来减小,由此增大装置发光效能hs、装置亮度Bpons和亮室对比度Cb。
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公开(公告)号:CN1132407A
公开(公告)日:1996-10-02
申请号:CN95118750.3
申请日:1995-11-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01J37/305 , H01L21/3065 , C30B33/12
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32706
Abstract: 为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形,提供一种占空比等于或低于5%和重复频率等于或高于400KHz脉冲电压。因此,在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期,从而使电子遮蔽现象不出现。
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