公开(公告)号：CN102486696A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110032825.8

申请日：2011-01-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供一种特别是相对于压入荷重等的纵向的耐久性优异，难以发生断线或经时的电阻增加，可靠性高的触摸板传感器，其具有透明导电膜和与所述透明导电膜连接的布线，所述布线以从基板侧开始的顺序，由高熔点金属膜、Al合金膜和高熔点金属膜构成，所述Al合金膜含有0.05～1原子％的稀土元素，并且，硬度为2～3.5GPa，在Al合金组织中存在的晶界三重点的密度为2×108个/mm2以上。

公开(公告)号：CN102313849A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110163468.9

申请日：2011-06-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  森田晋也 ,  前田刚彰 ,  三木绫

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法，其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波，在测定因上述激励光的照射而发生变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止上述激励光的照射，并测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化，根据上述测定的值算出寿命值，由此判定上述氧化物半导体薄膜的迁移率。

公开(公告)号：CN100499137C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610114890.4

申请日：2006-08-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  后藤裕史

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1-6原子%的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。

公开(公告)号：CN101253447A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031383.2

申请日：2006-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/136295 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明可提供一种薄膜晶体管基板，构成源极、漏极配线的铝合金膜和透明电极直接连接，该源极、漏极配线和栅极配线的特性都良好，可使用大幅简化了的工序进行制造。即，上述薄膜晶体管基板具有栅极配线合于此正交配置的源极配线及漏极配线。另外，上述薄膜晶体管基板，构成上述栅极配线的单层铝合金膜的组成和构成上述源极配线及漏极配线的单层铝合金膜的组成相同。另外，本发明还提供一种具备有上述薄膜晶体管基板的显示器件。

公开(公告)号：CN100412661C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200610091236.6

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  富久胜文 ,  日野绫 ,  高木胜寿

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133 ,  G09F9/00

Abstract: 一种显示装置，其中互连—包含Cu合金膜和透明导电膜的电极不经由难熔金属薄膜而直接连接，其中所述Cu合金膜含有总量为0.1原子%～3.0原子%的Zn和/或Mg或总量为0.1原子%～0.5原子%的Ni和/或Mn，从而不使用势垒金属，能够在Cu合金膜与透明电极之间低电阻率地直接连接，并且在例如应用到液晶显示器的情况中给出高的显示质量。

公开(公告)号：CN1769985A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510118731.7

申请日：2005-10-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 钉宫敏洋 ,  富久胜文 ,  高木胜寿 ,  中井淳一

IPC: G02F1/1343 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01L23/53233 ,  C23C14/185 ,  G02F2001/136295 ,  H01J29/02 ,  H01J2211/225 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种铜合金薄膜，含有Fe和P以及余量基本上是Cu，其中Fe和P的含量满足所有下列条件(1)～(3)，并且，其中，在200～500℃下热处理1～120分钟之后，Fe2P析出在Cu的晶界上：1.4NFe+8NP＜1.3(1)；NFe+48NP＞1.0 (2)；12NFe+NP＞0.5(3)；其中，NFe表示Fe的含量(原子百分比)；NP表示P的含量(原子百分比)。

公开(公告)号：CN1508615A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310123124.0

申请日：2003-12-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  中井淳一 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/133553 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件及其制造方法、溅射靶，所述电子器件由：由金属氧化物构成的第一电极、与所述第一电极直接接触、电连接的由铝合金膜构成的第二电极构成；在所述第一电极和所述第二电极直接接触的接触界面中，构成所述铝合金膜的合金成分的至少一部分作为析出物或浓化层存在。根据本发明，能提供使铝合金膜和金属氧化物电极直接接触，能省略阻碍金属的电子器件及其制造技术。

公开(公告)号：CN106575629B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201580035431.4

申请日：2015-07-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  林和志 ,  钉宫敏洋 ,  越智元隆

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

公开(公告)号：CN104584200B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380044372.8

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  后藤裕史 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管，是具备氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其中，对于光或偏压应力等，阈值电压的变化量小且应力耐受性优异。本发明的薄膜晶体管是具备栅电极、用于沟道层的两层以上的氧化物半导体层、用于保护氧化物半导体层的表面的蚀刻阻挡层、源‑漏电极和配置在栅电极与沟道层之间的栅极绝缘膜的薄膜晶体管，其中，构成与栅极绝缘膜直接接触的氧化物半导体层的金属元素由In、Zn和Sn构成，并且与所述氧化物半导体层直接接触的栅极绝缘膜中的氢浓度被控制在4原子％以下。

公开(公告)号：CN104681625B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201510088765.X

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安秉斗 ,  金建熙 ,  金连洪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为：Ga：5％以上、In：25％以下(不含0％)、Zn：35～65％及Sn：8～30％。