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公开(公告)号：CN102622771A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210050383.4
申请日：2012-02-29
Applicant: 浙江大学
IPC: G06T9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于主动学习和半监督学习的图像压缩方法。本发明的方法是基于主动学习的方式，选取图像中一些最具有代表性的像素点的颜色信息来学习一个能够预测图像剩下的像素点的颜色的模型。方法主要步骤如下：给出一张图像的所有像素点，本发明的方法首先简单地将图像分割为若干个矩形区域，在这些矩形区域中随机各选一个像素点，然后对这些点进行主动学习选出最具代表性的像素点，记录其灰度及颜色值，对图像剩余像素点则只记录其灰度值，完成压缩过程；在解压时使用拉普拉斯正则化最小二乘LapRLS这一种半监督学习的算法来预测还原所有像素点颜色。
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公开(公告)号：CN114217261A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111533515.4
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学
IPC: G01R35/04
Abstract: 本发明公开了一种用于功率循环测试的功率器件老化参数校正方法，包括以下步骤：S1、对老化特征参数的采集时序进行设计；S2、在功率循环的每个测试周期对老化参数进行采集，刻画出原始的老化参数退化曲线；S3、每隔固定的功率循环测试周期，对各个老化参数的温敏特性进行测量。在功率循环测试结束后，利用数据拟合等方法得到不同阶段的老化参数的温敏系数；S4、利用老化参数采集时刻的温度和老化参数的温敏系数对老化参数退化曲线进行温度解耦校正。本发明解决了传统功率循环测试中得到的老化参数退化曲线同时耦合了老化和温度变化影响的问题，利用老化参数自身的温敏特性进行了温度解耦校正，从而得到更真实的老化参数退化曲线。
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公开(公告)号：CN112886558A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110073570.3
申请日：2021-01-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片并联结构及其驱动回路过流失效抑制方法，属于电力电子器件技术领域。本发明设计了一种新型的功率半导体芯片并联结构，包括功率漏极端口、功率源极端口、辅助源极端口、栅极端口和若干个并联的功率半导体芯片，基于对并联功率半导体芯片的源极至辅助源极过流失效现象的分析，在辅助源极和芯片源极间加入了呈正温度特性的热敏元件，在正常运行过程中可充当驱动回路电阻，不影响运行；在并联结构老化或故障状态下，失衡电流流经热敏电阻，使其升温以及阻值增大，抑制芯片驱动回路上失衡电流的幅值，避免驱动回路过流失效，提高了功率半导体模块的使用寿命和运行可靠性。
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公开(公告)号：CN112466819A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011332479.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/14 , H01L25/16 , H01L23/538
Abstract: 本发明涉及一种带辅助绝缘衬底的功率半导体模块，包括至少主绝缘衬底和辅助绝缘衬底两个绝缘衬底，所述主绝缘衬底从上到下依次包含第一金属层、第一陶瓷层和第二金属层，所述第一金属层承载功率半导体芯片和辅助绝缘衬底；辅助绝缘衬底从上到下依次包含第三金属层、第二陶瓷层和第四金属层，与所述功率半导体芯片的驱动电极通过连接装置连接，所述第三金属层承载驱动元件，所述第四金属层与所述第一金属层连接。通过将驱动元件集成在辅助绝缘衬底上，增大主绝缘衬底上功率回路铜层的面积，减小功率回路杂散电感和电阻，进而降低关断电压过冲和铜层发热，提高模块可靠性和功率输出能力，为并联芯片间瞬态电流均衡程度的提升提供更大的优化空间。
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公开(公告)号：CN109271344B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201810893877.6
申请日：2018-08-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于申威芯片架构并行文件读取的数据预处理方法，包括以下步骤：(1)将内存运行模式设置为全片共享模式；(2)预处理进程读取数据文件的元数据信息，根据所述的元数据信息对计算进程进行分组；(3)预处理进程根据计算进程分组信息，建立对应的MPI模型，调用MPI‑IO并行读取函数读取数据文件；(4)对预处理进程所读取的数据进行维度转化，使对应计算进程组中每个计算进程所对应的数据块连续排布；将维度转化后的数据写回到对应的计算进程组对应的数据文件中，并建立对应的元数据文件。本发明的数据预处理方法，可大大提高大文件的读取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110867438A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910940010.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 臻驱科技(上海)有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/495
Abstract: 本发明揭示了一种功率半导体模块衬底。功率半导体模块衬底包括：第一功率金属敷层、第二功率金属敷层、第三功率金属敷层、第四功率金属敷层、以及辅助金属敷层，该辅助金属敷层形成于第一功率金属敷层与第二功率金属敷层之间以及第三功率金属敷层与第四功率金属敷层之间，在该辅助金属敷层上形成有栅极信号端子，辅助金属敷层在晶体管芯片和二极管芯片的排列方向上延伸，至少延伸至与排列方向上位于最边缘处的晶体管芯片的控制电极正对的位置。根据本发明，能够通过合理的驱动回路布置从而减小并联芯片的杂散电感和不均程度。
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公开(公告)号：CN110797328A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910940772.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 浙江大学 , 臻驱科技(上海)有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，包括上桥臂单元、下桥臂单元、联通连接装置和衬底，所述上桥臂单元及所述下桥臂单元设置在所述衬底上，所述上桥臂单元与所述下桥臂单元相对称设置；采用本发明的功率半导体模块的桥臂单元设计，将门极信号端子布置于对称中心位置，实现了多芯片并联情况下控制回路杂散参数的均衡，并有效减小了杂散参数的绝对值。
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公开(公告)号：CN109905020A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910238021.X
申请日：2019-03-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H02M1/34
Abstract: 本发明公开了一种集成缓冲电路的驱动装置，该驱动装置用于驱动功率模块，功率模块的信号端子在驱动装置上引出；该驱动装置包括驱动电路和缓冲电路，缓冲电路集成在驱动装置上，由无源元件组成，连接在功率模块的两信号端子之间，两信号端子分别为与母线正极等电位的端子和与母线负极等电位的端子，用于抑制功率器件开关过程的电压尖峰；驱动电路包括驱动芯片、供电电源电路、推挽电路和故障保护电路，其用于驱动功率器件的通断。本发明在功率端子包含缓冲电路的基础上在信号端子之间增加缓冲电路，更有效地抑制功率器件开关过程的电压峰值，保证了功率器件的安全。
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公开(公告)号：CN102622771B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210050383.4
申请日：2012-02-29
Applicant: 浙江大学
IPC: G06T9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于主动学习和半监督学习的图像压缩方法。本发明的方法是基于主动学习的方式，选取图像中一些最具有代表性的像素点的颜色信息来学习一个能够预测图像剩下的像素点的颜色的模型。方法主要步骤如下：给出一张图像的所有像素点，本发明的方法首先简单地将图像分割为若干个矩形区域，在这些矩形区域中随机各选一个像素点，然后对这些点进行主动学习选出最具代表性的像素点，记录其灰度及颜色值，对图像剩余像素点则只记录其灰度值，完成压缩过程；在解压时使用拉普拉斯正则化最小二乘LapRLS这一种半监督学习的算法来预测还原所有像素点颜色。
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