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公开(公告)号：CN105938786B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610118322.5
申请日：2016-03-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种电子倍增体、光电倍增管及光电倍增器。本发明提供一种电子倍增体，其具备：主体部、在主体部的一端面开口的电子入射部、在主体部的另一端面开口并且达到电子入射部放出二次电子的通道，通道具有相互相对的第一内面及第二内面，第一内面包含凸状的第一弯折部及凹状的第二弯折部、规定第一弯折部及第二弯折部的每一个的多个第一倾斜面，第二内面包含凸状的第三弯折部及凹状的第四弯折部、规定第三弯折部及第四弯折部的每个的多个第二倾斜面，第一弯折部和第四弯折部相互相对，第二弯折部和第三弯折部相互相对，第一弯折部的前端和第三弯折部的前端的距离、相互相对的第一倾斜面及第二倾斜面的间隔、规定第一弯折部的一对第一倾斜面形成的角度、通道的长度满足规定式。
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公开(公告)号：CN107710380A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680037897.2
申请日：2016-06-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , G01T1/241 , G01T1/28 , H01J43/24 , H01J49/06 , H01J49/067
Abstract: 本实施方式所涉及的带电粒子检测器(1)在组合具有偏角的MCP(10)和PD(80)的结构中，为了与现有技术相比更加提高响应特性，具备夹着聚焦电极(60)而配置的MCP和PD。MCP具有分别仅倾斜了偏角(θ)的多个贯通孔，以相对于MCP的中心轴(AX1)电子入射面的中心沿偏角方向(S3)仅偏离规定距离的方式，PD被偏心配置。
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公开(公告)号：CN103227097B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201310021535.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01T1/28
Abstract: 本发明提供一种能够谋求到检测精度的提高以及结构的单纯化的离子检测装置。检测正离子的离子检测装置（1A）具备：设置有使正离子进入的离子进入口（3）的腔室（2）、被配置于腔室（2）内并且被施加负电位的转换倍增极（9）、被配置于腔室（2）内并具有与转换倍增极（9）相对并且入射从转换倍增极（9）释放出来的二次电子的电子入射面（30a）的雪崩光电二极管（30）；电子入射面（30a）在被接地的腔室（2）中相对于支撑雪崩光电二极管（30）的定位部（14）而言位于转换倍增极（9）一侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105938787A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610117976.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/10 , B32B3/00 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B2457/20 , C23C14/00 , C23C16/45555 , H01J9/125 , H01J43/16 , H01J43/24
Abstract: 本发明提供电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器，该电子倍增体包括主体部以及在主体部的一个端面和另一个端面开口并且放出二次电子的通道，该电子倍增体的制造方法包括：准备具有表面和背面的第一板状部件和一对第二板状部件的工序；在第一板状部件形成从表面至背面且沿表面和背面延伸的孔部的工序；通过以由一对第二板状部件夹着第一板状部件的方式将第一板状部件和第二板状部件相互叠层而构成叠层体、从而在叠层体形成由孔部规定的通道的工序；将叠层体一体化的工序；通过将一体化的叠层体以使得通道在一个端面和另一个端面开口的方式切断而构成主体部的工序；和在通道的内面形成电阻层和二次电子倍增层的工序。
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公开(公告)号：CN115721312A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211041513.8
申请日：2022-08-29
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 一种脑测量装置，包括：地磁校正线圈；地磁梯度校正线圈；发送线圈；接收线圈；与接收线圈分别对应地设置且用于输出从接收线圈输出的电流的规定的共振频率的信号的多个共振调节电路；与多个共振调节电路分别对应地设置且用于检测从共振调节电路输出的共振频率的信号的多个OPM模块；和基于由OPM模块检测到的信号生成MR图像的控制装置，在以与受试者的头部的中心轴平行的方向为Z轴方向的情况下，多个共振调节电路各自所涉及的共振频率，根据对应的接收线圈的Z轴方向上的位置、和通过倾斜磁场的控制生成的Z轴方向的磁场梯度而被设定。
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公开(公告)号：CN115436853A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210616585.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 本发明提供一种脑测量装置和脑测量方法。用于生成受试者的MR图像和脑磁场分布的脑测量装置具备：MRI模块，其具有用于向受试者发送发送脉冲的发送线圈、和用于检测通过发送脉冲而在受试者产生的核磁共振信号的检测线圈；光激发磁传感器，其用于检测受试者的脑磁场；生成部，其用于基于由检测线圈检测出的核磁共振信号来生成MR图像，并且基于由光激发磁传感器检测出的脑磁场来生成脑磁场分布；标记物，其能够显示于生成部所生成的MR图像；和头盔型的框架，其安装有检测线圈、光激发磁传感器和标记物，并佩戴于受试者的头部。
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公开(公告)号：CN114127885A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080046309.8
申请日：2020-06-19
IPC: H01J1/34
Abstract: 本发明涉及一种真空系统用光电阴极，其中，所述光电阴极被构成为接收具有入射波长的电磁辐射并且响应于此而发射电子。所述光电阴极包括具有几何形状的导电结构，所述几何形状包括尖端部分。当用电磁辐射照射导电结构时，尖端部分适合于提供场增强β，其中，β大于约102。所述光电阴极还包括基板，所述基板是电介质基板或包括电介质基板，所述基板支撑导电结构。
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公开(公告)号：CN113805119A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110660216.0
申请日：2021-06-15
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: G01R33/032 , A61B5/245
Abstract: 脑测量装置(M1)具有：脑磁计，具有：光激发磁传感器(1A)、测量光激发磁传感器(1A)的位置的静磁场的磁传感器(2)，以及用于修正静磁场的修正线圈(16)；MRI装置，具有：用于施加静磁场的永久磁铁、用于施加倾斜磁场的倾斜磁场线圈(8)、发送发送脉冲的发送线圈(21)，以及检测由发送脉冲的发送而生产的核磁共振信号的接收线圈(22)；以及控制装置(5)，其在脑磁场的测量时，基于磁传感器(2)的测量值，来控制供给至修正线圈(16)的电流，以抵消光激发磁传感器(1A)的各个的位置的、与地磁相关的静磁场和由永久磁铁施加的静磁场的方式进行操作，并且在MR图像的测量时，控制供给至倾斜磁场线圈(8)的电流并且倾斜磁场，并且基于接收线圈(22)的输出来生MR图像。
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