公开(公告)号：CN102656667A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080059237.7

申请日：2010-12-22

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 ,  JSR株式会社

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/288 ,  H01L29/665

Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。