公开(公告)号：CN101427353B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200780014194.9

申请日：2007-04-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32366

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的CF4中，添加露点成为10℃～40℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间(26)，这样，生成含有非自由基的作为氟系中间气体的COF4且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)>1.5的氟系反应性气体；向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射含有可以使硅氧化的作为氧化性气体的O3和在所述等离子空间(26)中生成的氟系反应性气体的反应性气体；氟系中间气体的COF4与水反应进而成为能够对氧化硅进行蚀刻的HF等氟系蚀刻气体。

公开(公告)号：CN101427353A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014194.9

申请日：2007-04-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 石井彻哉 ,  中岛节男 ,  大塚智弘

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32366

Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其可以提高硅的蚀刻速度。在该蚀刻方法中，在含有氟且不具有与硅的反应性的作为氟系原料的CF4中，添加露点成为10℃～40℃的量的水；使得到的低露点氟系原料通过大气压附近的等离子空间(26)，这样，生成含有非自由基的作为氟系中间气体的COF4且氟原子数(F)与氢原子数(H)之比为(F)/(H)＞1.5的氟系反应性气体；向温度设定在10℃～50℃的被处理物喷射含有可以使硅氧化的作为氧化性气体的O3和在所述等离子空间(26)中生成的氟系反应性气体的反应性气体；氟系中间气体的COF4与水反应进而成为能够对氧化硅进行蚀刻的HF等氟系蚀刻气体。