公开(公告)号：CN102891120A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201110209118.1

申请日：2011-07-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  陈键辉 ,  刘沧宇 ,  尤龙生

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底的该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一沟槽，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一孔洞，自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸，其中该孔洞的一侧壁垂直于该基底的该下表面，且该孔洞的该侧壁或一底部露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。

公开(公告)号：CN102082120A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010256060.1

申请日：2010-08-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  郑家明 ,  尤龙生

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。