公开(公告)号：CN107954996B

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN201711202921.6

申请日：2017-11-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  李杏 ,  郑才俊

IPC: C07D409/14 ,  C07D339/08 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种噻蒽‑S,S‑四氧化物衍生物及制备方法及在有机电致发光器件的应用，其结构如通式(1)所示，其中，R表示包含至少一个氮的富电子芳香胺取代基，并且胺基氮和噻蒽‑S,S‑四氧化物直接连接，本发明在噻蒽‑S,S‑四氧化物的1,2,3,4位键连不同电子特性的基团，能够有效地抑制分子振动，增大该化合物的有限分子量。以本发明的噻蒽‑S,S‑四氧化物衍生物作为荧光掺杂染料热稳定性好、成膜性好，能够实现溶液法有机电致发光器件，具有低工作电压和高效率。

公开(公告)号：CN111192960A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201811354384.1

申请日：2018-11-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张秀娟 ,  张晓宏 ,  揭建胜 ,  邓巍

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法、紫外-可见光双波段光电探测器件及其制备方法。该钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构的制备方法包括：获得钙钛矿的二甲基甲酰胺或二甲基亚砜溶液；将上述溶液加入易挥发有机溶剂中并搅拌直至溶液呈灰褐色；将呈灰褐色溶液离心分离，去除上清液后获得钙钛矿纳米颗粒；获得钙钛矿纳米颗粒与有机半导体溶液的混合溶液；将生长基底浸入混合溶液；以预定速度提拉生长基底，从而在生长基底上获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构。本发明利用一种新的方法制备获得钙钛矿杂化有机半导体单晶阵列复合结构，可应用在紫外-可见光双波段光电探测器件上，并具有极高的光电性能。

公开(公告)号：CN110634983A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910920590.2

申请日：2019-09-26

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院 ,  苏州大学

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  况亚伟 ,  钱洪强 ,  丁可 ,  揭建胜 ,  张晓宏 ,  李跃 ,  连维飞 ,  倪志春 ,  刘玉申 ,  杨希峰

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有正面N型硅，所述P型硅基体与所述正面N型硅连接形成浮动结；采用浮动结作为正面的钝化结构，在保证正面钝化效果的前提下，一方面简化制备流程，另一方面规避了硼扩散的高温对P型硅基体少子寿命的影响，提高了电池的效率。

公开(公告)号：CN109776535A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201711129461.9

申请日：2017-11-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  陈嘉雄 ,  郑才俊

IPC: C07D471/16 ,  C07D471/06 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明提供的一种具有平面结构的橙光-红光材料，具有较高的荧光量子产率，具有热激活延迟荧光的性质，因此可用于有机电致发光器件的材料，尤其可用于荧光掺杂剂。作为荧光掺杂剂构成的有机电致发光器件具有低驱动电压、高效率以及低效率滚降等特点。因此，由本发明的大平面橙光-红光材料（1）（6）可用作能够以低电压驱动的、高效率的和低效率滚降有机电致发光器件构成成分。

公开(公告)号：CN109449221A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811629271.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  苏州大学 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  丁可 ,  钱洪强 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  揭建胜 ,  张晓宏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶硅太阳电池，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本发明相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。

公开(公告)号：CN109309138A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201811527126.9

申请日：2018-12-13

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  苏州大学

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  钱洪强 ,  连维飞 ,  揭建胜 ,  张晓宏

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0288

Abstract: 本申请公开了一种异质结太阳电池，包括衬底层；位于衬底层第一表面的表面钝化层；位于表面钝化层背离衬底层的表面的空穴选择性接触层，且空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层；位于空穴选择性接触层背离表面钝化层的表面的第一电极；位于衬底层第二表面的本征层；位于本征层背离衬底层的表面的掺杂层；位于掺杂层背离本征层的表面的第二电极；其中，第一表面与第二表面相对。本申请中的异质结太阳电池中空穴选择性接触层为宽带隙空穴选择性接触层，空穴选择性接触层的带隙宽，空穴选择性接触层吸光范围小，可以大幅减小寄生光吸收，提升太阳电池短路电流密度和光电转换效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的异质结太阳电池制备方法。

公开(公告)号：CN106654032A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611240420.2

申请日：2016-12-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  陶斯禄 ,  郑才俊

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5036 ,  H01L51/5024 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/56

Abstract: 本发明公开了一种单层全磷光白光有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件结构包括：衬底，位于衬底表面的阳极层，位于阳极层表面的功能层，位于该功能层表面形成的阴极层；该功能层包含空穴传输层、阻挡层、发光层、电子传输层和电子注入层；该发光层是一层由蓝（或蓝绿）色磷光和红色磷光共同掺杂在一种由空穴传输材料与电子传输材料形成的激基复合物所成的有机薄膜层，电致发光为双色的白光光谱，发光光谱极其稳定。本发明所要解决的技术问题是提供一种单层全磷光白光有机电致发光器件的制备方法，该方法有效地提高了器件发光的稳定性，简化了器件结构的制备工艺。

公开(公告)号：CN102240573A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110088273.2

申请日：2011-04-09

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张秀娟 ,  赵翠平 ,  张晓宏

IPC: B01J31/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备有机空心结构纳米材料的方法。该方法采用能够互溶的良溶剂和不良溶剂，利用目标有机物在两种溶剂中的溶解度有较大差别，使目标有机物在溶剂交换时可以析出，有机分子与不良溶剂间的憎溶作用使有机物形成纳米晶核，分子之间在超分子相互作用力和表面活性剂辅助下生长。本发明通过调节有机小分子的浓度，使其在高的化学势下首先进行成核大爆炸过程，并在分子间作用力和表面活性剂的诱导下，定向自组装为规则形貌的纳米结构，经过ostwaldripening，得到空心结构的产物。该方法一步实现了有机空心结构纳米材料的制备和控制，简单易行，可批量生产。

公开(公告)号：CN119972086A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510460596.1

申请日：2025-04-14

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  何乐 ,  李超然 ,  周宇轩

IPC: B01J23/825 ,  B01J23/14 ,  B01J23/83 ,  B01J35/40 ,  B01J35/45 ,  B01J37/00 ,  B01J37/08 ,  B01J35/50 ,  C07C29/156 ,  C07C29/153 ,  C07C31/04

Abstract: 本发明提供了一种氧化铟基纳米颗粒超结构催化剂的制备方法，涉及催化剂制备技术领域。本发明在制备In‑MIL‑68晶体过程中，增加了过渡金属氧化物前躯体和过渡金属掺杂剂，形成过渡金属氧化物和过渡金属共掺的In‑MIL‑68晶体，然后再对过渡金属氧化物和过渡金属共掺的In‑MIL‑68晶体进行煅烧，从而得到In2O3‑过渡金属氧化物‑过渡金属共掺的复合超结构纳米管，本发明采用MOF模板法制备In2O3‑过渡金属氧化物界面纳米管骨架结构，构建异质界面协同体系，同时通过引入过渡金属离子掺杂，可以调控氧空位和界面电子状态，提高了催化性能，增强二氧化碳活化。

公开(公告)号：CN119804582A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411970870.1

申请日：2024-12-30

Applicant: 苏州思萃新能源光电技术研究所有限公司 ,  苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  张丙昌 ,  秦加浩 ,  黄达 ,  吴晓峰

IPC: G01N27/26 ,  A41D13/11 ,  A61B5/00 ,  A61B5/08 ,  A61F13/42 ,  A61F13/49 ,  H02N3/00 ,  G01N27/30

Abstract: 本申请公开了一种自驱动湿度传感器及应用，自驱动湿度传感器包括传感器单体，传感器单体包括：基底；功能层，布置在基底表面，包括分散堆叠的纳米硅颗粒以及布置在纳米硅颗粒之间的纳米孔道，纳米硅颗粒配合形成导电通路；一对电极，分设在功能层两端。本申请的自驱动湿度传感器可对湿度进行快速电压响应，具有优异的可重复性和稳定性，可应用于柔性可穿戴场景中，可贴合在任何弯曲表面以及随附着物变形而不影响正常工作；本申请以来源广泛的硅基为原料，成本极低，可应用于口罩、尿不湿等一次性产品中进行湿度监测，大大提高了自驱动湿度传感器的应用前景。