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公开(公告)号:CN103328591A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201280006708.7
申请日:2012-01-30
Applicant: 长濑化成株式会社
IPC: C09D201/02 , B32B27/00 , C09D5/33 , C09D7/12 , C09D181/00
CPC classification number: G02B1/10 , C03C17/32 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/51 , C08G2261/794 , C08G2261/90 , C08J7/047 , C08J2367/02 , C08J2465/00 , C09D5/004 , C09D165/00 , G02B1/04 , G02B5/0808 , G02B5/208 , G02B5/26 , C08L25/18 , C08K5/13 , C08L67/00
Abstract: 本发明提供通过涂布在基材表面可以简单地制造,示出薄的膜厚以及较高的光线透过性,且示出优异的红外线反射性能的红外线反射基体。红外线反射基体包含对于所述透明基体涂布含有聚(3,4-二取代噻吩)和聚阴离子的复合体的涂布剂而形成的红外线反射层,并且全光纤透过率为60%以上。优选的是所述复合体的导电率为0.15(S/cm)以上,优选的是所述红外线反射层的膜厚为0.50μm以下。
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公开(公告)号:CN102952423A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210292322.9
申请日:2012-08-16
Applicant: 长濑化成株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供耐久性优异的有机导电膜。本发明的有机导电膜为使用至少含有导电性聚合物的导电性组合物而形成的有机导电膜,该有机导电膜的特征在于,其单面的最大高度(RZ)相对于平均膜厚为35%以上。
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公开(公告)号:CN101336263A
公开(公告)日:2008-12-31
申请号:CN200680051866.9
申请日:2006-12-01
CPC classification number: C08G77/60 , C08L83/16 , C09D183/16
Abstract: 公开了通过以下方法获得具有优异功能性(例如在溶剂中的溶解性和反应性)的聚硅烷:通过具有Si-H键的二卤硅烷的反应将下式(1)结构单元引入聚硅烷中,使可氢化硅烷化的化合物(例如具有碳碳不饱和键的化合物)添加至Si-H键。在式(1)中,R1代表氢原子、有机基团或甲硅烷基,n代表不小于1的整数。
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