公开(公告)号：CN109534677B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN201811099672.7

申请日：2018-09-20

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 谷井史朗 ,  德永博文 ,  秋山良司 ,  松冈瑞树 ,  田中誓也 ,  大和洋太 ,  郎雨生

IPC: C03C3/118 ,  C03B18/00

Abstract: 本发明涉及硼硅酸盐玻璃及其制造方法。本发明涉及一种硼硅酸盐玻璃，其为应变点为630℃以上、50℃～350℃下的平均热膨胀系数为30×10‑7/℃～45×10‑7/℃的硼硅酸盐玻璃，其中，以氧化物基准的质量％表示，所述硼硅酸盐玻璃含有：54％～66％的SiO2、10％～25％的Al2O3、0.5％～12％的B2O3、总计7％～25％的选自由MgO、CaO、SrO和BaO构成的组中的一种以上成分、0.025％～0.2％的Na2O，并且以原子的质量％计，F含量为0.01％～0.3％。

公开(公告)号：CN114538770A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111375403.0

申请日：2021-11-19

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 谷井史朗 ,  小林大介

IPC: C03C3/091 ,  C03B18/02 ,  C03B18/16 ,  C03B18/20

Abstract: 本发明涉及无碱玻璃基板以及无碱浮法玻璃基板的制造方法。本发明涉及一种无碱玻璃基板，其特征在于，所述无碱玻璃基板的板厚为0.75mm以下，并且从玻璃基板的一个表面侧实施将Cs+作为一次离子的二次离子质谱分析而求出的内部标准化氢计数的深度方向分布满足规定的条件。

公开(公告)号：CN110818229A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910720851.6

申请日：2019-08-06

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 松冈瑞树 ,  谷井史朗 ,  田中誓也

IPC: C03B18/16

Abstract: 本发明涉及冷却结构体、浮法玻璃制造装置和浮法玻璃制造方法。本发明提供一种在浮抛槽内使用上辊等冷却结构体时能够抑制挥发物凝结并附着的冷却结构体。一种冷却结构体，其具有暴露于浮抛槽内的气氛中的露出部，其特征在于，所述冷却结构体由金属构件形成，并且在内部具有冷却介质的流路；在所述露出部中，在所述金属构件的表面上形成有包含陶瓷的热喷涂层，所述热喷涂层的平均厚度为50μm～1000μm，所述热喷涂层含有50体积％以上的选自由Al2O3、SiO2、Y2O3、ZrO2和CaO构成的组中的一种，并且所述热喷涂层的通过截面图像分析法计算出的孔隙率为8％～40％。

公开(公告)号：CN109534677A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811099672.7

申请日：2018-09-20

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 谷井史朗 ,  德永博文 ,  秋山良司 ,  松冈瑞树 ,  田中誓也 ,  大和洋太 ,  郎雨生

IPC: C03C3/118 ,  C03B18/00

Abstract: 本发明涉及硼硅酸盐玻璃及其制造方法。本发明涉及一种硼硅酸盐玻璃，其为应变点为630℃以上、50℃～350℃下的平均热膨胀系数为30×10-7/℃～45×10-7/℃的硼硅酸盐玻璃，其中，以氧化物基准的质量％表示，所述硼硅酸盐玻璃含有：54％～66％的SiO2、10％～25％的Al2O3、0.5％～12％的B2O3、总计7％～25％的选自由MgO、CaO、SrO和BaO构成的组中的一种以上成分、0.025％～0.2％的Na2O，并且以原子的质量％计，F含量为0.01％～0.3％。