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公开(公告)号：CN1309026C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03801567.6
申请日：2003-08-08
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B23K26/382 , B23K26/082 , B23K26/0823 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/30 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24D18/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体晶片用抛光垫加工方法和半导体晶片用抛光垫，以使内表面的表面粗糙度在20μm以下，并且可形成尺寸精度高、截面形状均匀的沟槽、凹部和通孔等。在本发明的加工方法中，对具有包含交联聚合物的非水溶性基质和分散在该非水溶性基质中的水溶性颗粒的半导体晶片用抛光垫的抛光面进行切削加工等。此外，在加工时，更优选在具有吸引孔的加工桌的一个侧面上配置抛光垫，通过从加工桌的另一侧面实施吸引，将垫吸附在该加工桌的一个侧面上而使其固定后，形成所述沟槽等。
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公开(公告)号：CN1781186A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480000983.3
申请日：2004-04-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体，以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法，装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12)，其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1，2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β－环糊精)，并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100％，所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5％。此外，本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。
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公开(公告)号：CN1701919A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510072918.8
申请日：2005-05-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用垫，其适合应用在金属膜的研磨及绝缘膜的研磨中，可以得到平坦的研磨面，同时可以有效地除去浆料，具有足够长的寿命，可以提供高的研磨速度，且具有降低刮痕的效果。所述研磨垫的特征在于，在研磨面上具有槽，该槽设置在研磨面上，使自研磨面的中心部向周边部的一条假想直线和槽形成多次交叉，槽宽在0.1～1.5mm的范围，槽深在0.9～9.8mm的范围，与上述假想直线交叉的邻接交叉点间的最小距离在0.3～2.0mm的范围，并且上述槽深相对该研磨垫的厚度的比值为1/7～1/1.1的范围。
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公开(公告)号：CN1689758A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510068474.0
申请日：2005-04-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/04 , B24D18/0009
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨垫，其包括具有研磨面的研磨基体及熔合在该研磨基体上的透光性构件，且以平行于研磨面的面切断该透光性构件时的剖面形状为长径除以短径的值大于1的椭圆形。该研磨垫对于半导体晶圆的研磨面，可不降低研磨性能地透过终点检测用光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1654169A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510054230.7
申请日：2005-02-05
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24D3/22 , C08J5/00 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 一种化学机械抛光垫，包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。上述化学机械抛光垫的制造方法，其特征在于制备含有(A)苯乙烯聚合物、(B)二烯聚合物和(C)交联剂的组合物，将上述组合物成形为预定的形状，并在成形的同时或者成形后加热使其固化，以及一种化学机械抛光方法，其特征在于通过上述化学机械抛光垫对被抛光物的被抛光面进行抛光。根据本发明，可以提供一种化学机械抛光垫，其能够优选适用于金属膜的抛光或绝缘膜的抛光、特别是STI技术，在得到平坦的被抛光面的同时，还能达到较高的抛光速度，且具有足够长的寿命。
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公开(公告)号：CN1550288A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043098.5
申请日：2004-04-09
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/00 , H01L21/304 , C08J5/14
CPC classification number: B24B37/205 , B24D18/0009
Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫，一种制造该研磨垫的方法，一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1，2－聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β－环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元，研磨垫在使用期间，浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。
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公开(公告)号：CN1498723A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310120349.0
申请日：2003-11-05
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/32 , B24D3/344 , C09K3/1436
Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料，该材料含有交联聚合物如交联的1，2－聚丁二烯，和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1－10重量％，当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05－50重量％。另外，在本发明所涉及的抛光垫中，水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1－10重量％，并且在25℃，pH值为3－11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50％以内。另外，这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液，该抛光垫具有良好的浆液保留能力，同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平滑性。
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公开(公告)号：CN1494983A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03140681.5
申请日：2003-06-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/26
Abstract: 本发明目的在于提供能有效抑制擦伤发生的抛光垫和多层抛光垫。本发明的抛光垫，其特征在于其中具有在抛光面侧形成的、且从呈环状、格状和螺旋状中选出至少一种形状的沟(a)、凹部(b)和贯穿抛光垫表里的通孔(c)中的至少一个部位，该部位内表面的表面粗糙度(Ra)处于20μm以下，用于化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN1487015A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154996.9
申请日：2003-08-26
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/28 , C08L9/00 , C08L23/0853 , C08L2666/06 , C08L2666/08
Abstract: 本发明涉及研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。目的在于提供成形性及耐磨耗性优异，纵弹性模量的温度依赖性小的研磨垫用组合物以及使用它的研磨垫。本研磨垫用组合物含有非水溶性基质和分散于该非水溶性基质中的水溶性粒子，其中，上述非水溶性基质含有交联乙烯－醋酸乙烯共聚物、和/或不含有交联1，2－聚丁二烯，且相对于上述非水溶性基质全体，含有规定量。
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