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公开(公告)号：CN113126812A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110044448.3
申请日：2021-01-13
Applicant: SK新技术株式会社 , 延世大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及一种包括指纹传感器的触摸显示装置。本发明是为了在应用触摸传感器和指纹传感器的触摸显示装置中消除应用触摸传感器和指纹传感器的部分的亮度差以提供亮度均匀的显示器而提供的，其特征在于，通过单独控制指纹传感器和触摸传感器所位于的部分的亮度，或者改变结构以使指纹传感器和触摸传感器的透光率相同或相似，从而能够使显示器输出均匀的亮度。
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公开(公告)号：CN104733465A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410805919.8
申请日：2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y30/00 , H01L21/28273 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 一种非易失性存储设备包括：用于在柔性衬底上面进行电荷的充电和放电的浮栅，其中所述浮栅包含：在所述衬底上面形成并包括被结合到多个金属离子的多个连接基团的连接层；以及在所述连接层上面由所述金属离子形成的多个金属纳米粒子。
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公开(公告)号：CN104733408A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370989.5
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
CPC classification number: C07F7/10 , B05D1/185 , B82Y30/00 , C07F1/005 , H01L29/0665 , H01L29/40114 , H01L51/0504 , H01L51/42 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及利用此纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一基板；多个连接分子(linker)，形成于基板上；以及由与连接分子键结的多个金属离子所形成的一或多个金属纳米粒子。在此纳米结构中，金属离子可具有约0.5～3.0nm的一平均粒径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104724665A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370747.6
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: B82B1/00
CPC classification number: C23C18/1882 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/1204 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/168 , C23C18/1682 , Y10T428/25 , Y10T428/31507 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31721 , Y10T428/31786 , Y10T428/31938 , Y10T428/31971
Abstract: 本发明提供一种可挠性纳米结构、其制造方法、及利用此可挠性纳米结构的应用装置。此纳米结构包括：一可挠性基板；多个介电粒子支撑体(dielectric particle supporters)，形成于可挠性基板之上；多个连接分子(linker)，与介电粒子支撑体键结；以及一或多个金属纳米粒子，与连接分子键结。
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公开(公告)号：CN113130133A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110050665.3
申请日：2021-01-14
Applicant: SK新技术株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种制造图案化的柔性电极的方法，更详细地，本发明的制造方法包括：纳米线形成步骤，在从收卷状态解开的第一薄片上涂布含有金属纳米线的第一分散液，以形成纳米线网格；纤维形成步骤，将含有金属纳米颗粒的第二分散液进行静电纺丝到所述纳米线网格上，以形成纳米线网格中混入金属纳米颗粒聚集而成的金属性纤维(fiber)的纤维‑纳米线网格；以及烧结步骤，对所述纤维‑纳米线网格进行光子烧结，以形成导电性网格，并且进行图案化步骤，其中，在所述烧结步骤前对纤维‑纳米线网格进行图案化，或者在所述烧结步骤后对导电性网格进行图案化。
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公开(公告)号：CN104733464B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201410803148.9
申请日：2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/11568 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/792
Abstract: 一种非易失性存储装置包括：用于捕获电荷的电荷捕获层，其中所述电荷捕获层包括：在衬底上形成的并且包括将结合到金属离子的连接基团的连接层；在连接层上由金属离子形成金属纳米粒子；以及填充金属纳米粒子之间的间隙的氮化物。
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公开(公告)号：CN104733464A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410803148.9
申请日：2014-12-19
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 一种非易失性存储装置包括：用于捕获电荷的电荷捕获层，其中所述电荷捕获层包括：在衬底上形成的并且包括将结合到金属离子的连接基团的连接层；在连接层上由金属离子形成金属纳米粒子；以及填充金属纳米粒子之间的间隙的氮化物。
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公开(公告)号：CN104724668A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410370828.6
申请日：2014-07-30
Applicant: SK新技术株式会社
Inventor： 金俊亨
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/45525 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种纳米结构、其制造方法、及其应用装置。包括：形成一可挠性基板；形成多个连接分子(linkers)于可挠性基板之上；形成多个金属离子于连接分子之上；以及形成一或多个金属纳米粒子于连接分子之上。
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