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公开(公告)号：CN117206628A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311215582.0
申请日：2023-09-20
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Abstract: 本发明属于焊接技术领域，具体涉及一种红外探测器杜瓦外壳的双热源锡焊方法。本发明采用双热源锡焊方法，双热源指热风枪与电烙铁，先使用热风枪熔化杜瓦外壳焊缝处的焊锡丝，然后使用电烙铁尖端将已熔化的焊锡丝涂抹均匀，解决了因杜瓦外壳工件为薄壳金属件，散热快而导致常规电烙铁焊接速度慢，焊接质量差和焊接过程困难的问题，同时，热风枪和电烙铁仅对焊接区域进行局部加热，不会影响到杜瓦外壳工件内部的芯片，不会造成杜瓦外壳工件内部受损，且双热源锡焊的杜瓦外壳工件具有表面平整，密封性高的优势。
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公开(公告)号：CN116666363A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310957727.8
申请日：2023-08-01
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Inventor： 肖钰
IPC: H01L23/544 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种卡槽式对位标记及防止铟柱滑移的互连方法，每组对位标记包括设置在芯片上主标记，以及设置于基板上的辅标记，主标记由中心的点状槽及围绕点状槽的环状槽构成，辅标记大小匹配主标记的外轮廓大小。芯片与电路进行互连时，电路上辅标记处的较大铟柱先接触到芯片上主标记正中央的点状槽，其凹槽的结构对铟柱顶部的球面进行位置的限制。本发明卡槽式对位标记在原有的对位标记区域内进行设计即可，无需增加额外的工序，且具有倒装时的对位以及互连时的芯片固定双重作用。本发明的互连方法，即可适用单面铟的互连，也可用于双面铟的互连工艺，且受压方向和受压力度更准确，可有效防止芯片的偏移，并大幅度缩短工艺时长。
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公开(公告)号：CN119542189A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411642058.6
申请日：2024-11-18
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种锑化铟芯片清洗装置及清洗方法，应用在锑化铟芯片清洗领域，包括壳体，所述壳体内转动连接有转动柱，所述壳体上设有用于驱动转动柱转动的驱动单元，所述转动柱的外缘设有若干放置环，若干所述放置环上分别设有若干用于放置芯片的清洗单元，所述壳体上设有用于喷淋清洗剂的喷淋单元。本申请具有的技术效果是：启动驱动单元，带动转动柱转动，转动柱带动放置环和清洗单元同步转动，启动喷淋单元，向清洗单元内的芯片喷淋清洗剂，从而实现对锑化铟芯片自动清洗的效果，省时省力，减少人工成本，提高了对芯片的清洁效率。
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公开(公告)号：CN119002182B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411481708.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防止颗粒污染的光刻胶涂布装置，涉及光刻胶涂布技术领域，包括试剂桶，还包括防护装置，其中，所述试剂桶顶部固定安装有密封盖，所述密封盖圆周面设置有气压设备，所述密封盖内壁设置有橡胶软塞，所述气压设备表面开设有固定孔，所述气压设备表面固定安装有固定杆，所述固定杆顶部固定安装有固定板，所述试剂桶圆周面开设有导胶孔，保护杆移动带动空心块移动，空心块移动与防护孔内壁接触并对防护板进行固定，防护板受到空心块的限位恢复对导胶孔的遮挡，通过防护板遮挡导胶孔防止颗粒污染物进入试剂桶内部可以确保光刻胶的纯净性和稳定性，从而保证产品的制造质量和一致性。
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公开(公告)号：CN118578535B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411067595.2
申请日：2024-08-06
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
IPC: B28D5/04 , B28D7/00 , B28D7/04 , B24B3/36 , B24B27/033
Abstract: 本发明公开了一种防崩边的晶圆划片切割装置，涉及晶圆技术领域，包括底座，所述底座的顶部设置有第一直线驱动机构，所述第一直线驱动机构包括驱动装置和搭载架，所述底座的顶部固定安装有驱动装置，所述驱动装置的输出端固定安装有搭载架，所述搭载架的底部固定安装有第二直线驱动机构，所述第二直线驱动机构的输出端设置有切割机构，所述切割机构包括电机和划片刀，所述电机固定安装在第二直线驱动机构的输出端固定安装有电机，所述电机的输出端固定安装有划片刀，通过磨刀块与晶圆接触增加夹持面积，再利用磨刀块对切割机构进行自动修刀，有效清除划片刀表面粘附的金属，从而提高切割的精确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118398549A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410824433.2
申请日：2024-06-25
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 本发明涉及芯片生产技术领域，且公开了一种半导体芯片生产加工用批量芯片管芯位置固定装置，包括浸泡箱，所述浸泡箱的内侧设置有固定架，所述固定架的上方固定连接有固定板，所述固定板的侧面铰接有终止元件，所述终止元件的右侧面固定连接有定位件，定位件将芯片卡住，使得多组芯片同时固定，方便对多组芯片同时进行浸泡，提升了加工效率，托底平台带动固定结构和芯片进入浸泡池中从而对芯片表面进行腐蚀，无需人工手动将芯片放置浸泡池，提升了操作安全性的效率，夹持斜块夹住固定板，使得托底平台和固定组件下降后稳定停止，防止固定组件受到撞击后松动，提升了在移动后的固定效果。
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公开(公告)号：CN116666292B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310964784.9
申请日：2023-08-02
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Inventor： 肖钰
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , B05C13/02 , B05C9/14 , B05D3/02
Abstract: 本发明公开了一种芯片点胶定位放置槽，包括第一框架和第二框架，所述第一框架和第二框架均包括若干直角卡块，所述直角卡块成阵列设置，所述第一框架的直角卡块与第二框架的直角卡块的数量和位置对应设置，每个第一框架的直角卡块与其对应的第二框架的直角卡块可以拼接为一个完整的矩形，当第一框架与第二框架在同一水平线上沿直角卡块对角线拼接时，第一框架的直角卡块与对应位置上的第二框架的直角卡块拼接为芯片放置槽。本发明能够有效的对芯片进行固定，避免了芯片因移动板而发生偏移晃动，省去了人工再将每个芯片调整的工序，避免了人为误差，点胶机设备进行程序编辑时，无需再对每个芯片的点胶定位点进行重新定位。
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公开(公告)号：CN116298819B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310419312.5
申请日：2023-04-19
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Inventor： 肖钰
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器芯片的成像测试装置，包括测试杜瓦主体和红外探测器芯片固定单元，红外探测器芯片固定单元包括连接座和红外探测器芯片支撑台，连接座设置在红外探测芯片支撑台与测试杜瓦主体的冷台之间，连接座上设有单芯信号接口，单芯信号接口一端与冷台连接，另一端与红外探测器芯片支撑台连接，红外探测器芯片支撑台上设有信号插头和芯片槽，信号插头一端与单芯信号接口连接，另一端固定测试探针，测试探针用于与芯片槽内的红外探测器芯片焊盘接触式连接，通过信号插头与单芯信号接口连接传输红外探测器芯片信号。本发明能有效避免芯片经过金丝键合过程的损伤，无需使用胶水粘接芯片，避免芯片的污染，保证了芯片的合格率。
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公开(公告)号：CN116656209A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310643814.6
申请日：2023-06-01
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
IPC: C09D163/00 , C09D175/04 , C09D5/08
Abstract: 本发明属于化工涂料技术领域，具体涉及一种离子束溅射镀膜机用样品盘保护涂层及其制备方法。本发明采用水性聚氨酯底漆、环氧树脂、乙酸丁酯、消泡剂、腰果酚固化剂和偶联剂制备保护涂层，保护涂层平整光滑、粘附性强，不易脱落，耐化学腐蚀性和耐高温性能强，同时对环境和人体健康无害。本发明的保护涂层均匀涂覆在样品盘表面，在镀膜过程中对样品盘具有保护作用，镀膜后利用溶剂将涂料溶解的同时去除了保护涂层表面沉积的金属薄膜，这种方法操作简单方便，清理耗时短，且不会对样品盘表面造成损伤，能够保证样品盘表面平整。
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公开(公告)号：CN113299571B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110555962.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 无锡兴华衡辉科技有限公司
Inventor： 张新宇
Abstract: 本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体涉及一种提高Au‑Al键合强度和可靠性的方法。本发明通过在Al表面使用离子溅射的方法依次沉积一层Zn和一层Cu，使得键合过程中Au和Al之间形成一层Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层，阻止金与铝之间的直接接触和相互扩散，同时Cu‑Al‑Zn三元化合物薄层能够继续阻碍在电流作用下Au和Al之间的相互扩散，从而抑制键合连接部位的金属间化合物的生长，提高Au‑Al键合的强度和可靠性，能够有效解决传统半导体器件Au‑Al键合方法中存在的无法有效抑制金属间化合物生长，导致Au‑Al键合强度和键合可靠性较差，进而影响半导体器件的功能和寿命的问题。
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