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    具有质量分离的带状离子束
    31.
    发明公开
    具有质量分离的带状离子束 无效

    公开(公告)号：CN1886817A

    公开(公告)日：2006-12-27

    申请号：CN200480034791.4

    申请日：2004-09-21

    Applicant: 艾克塞利斯技术公司

    Inventor： V·班威尼斯特

    IPC: H01J37/30 ,  H01J37/317

    CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/31713

    Abstract: 本发明使用一个质量分析器，包括一对永久磁体，以从带状型离子束中的多个种类选择所需的种类。这些永久磁体在一个小区域中提供一适当大小的实质均匀的磁场，其无法利用在一所需方向施加一特定力的电磁体而获得。施加力到带状离子束的通过粒子，并且使粒子的路径根据他们各自的质量而改变。因此，选择的种类可以从射束藉由该力而获得，这个力使被拒绝的种类以及/或是污染物无法通过质量分析器(例如，撞击磁体本身以及/或是在分析器内的其它障壁)。由于质量分析器，可以使用产生多个种类的掺杂剂/种类源，而不是使用仅仅提供单一掺杂剂/种类的来源。

    施加单相方波交流吸附电压时通过使用力延迟在具有微加工表面的J－R静电吸盘上吸附和释放半导体晶圆
    32.
    发明公开
    施加单相方波交流吸附电压时通过使用力延迟在具有微加工表面的J－R静电吸盘上吸附和释放半导体晶圆 失效

    公开(公告)号：CN1875472A

    公开(公告)日：2006-12-06

    申请号：CN200480032676.3

    申请日：2004-09-10

    Applicant: 艾克塞利斯技术公司

    Inventor： 秦舒 ,  P·克雷曼

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: H01L21/6833

    Abstract: 本发明旨在提供使用单相方波交流吸附电压将晶圆吸附到J－R静电吸盘的方法和系统。该方法包括为J－R静电吸盘确定单相方波吸附电压，其中，所述确定至少部分地基于与晶圆和静电吸盘以及泄漏电介质层的表面形态相关的最小剩余吸附力。将晶圆放置在静电吸盘上；并向静电吸盘施加所确定的吸附电压，这样，便以静电的方式将晶圆吸附到静电吸盘，在单相方波吸附电压的极性转换过程中，至少保持所述的最小剩余吸附力。确定表面形态的操作包含确定晶圆和静电吸盘之间的第一间隙和第二间隙以及岛面积比，其中，分别与所述第一间隙和第二间隙相关的RC时间常数之间存在差异，使得在所述极性转换过程中保持了至少最小的剩余吸附力。当去掉方波吸附电压时，释放时间大幅减少，该释放时间对应于方波吸附电压的脉宽。

    在静电吸盘上吸附半导体晶圆
    33.
    发明公开
    在静电吸盘上吸附半导体晶圆 失效

    公开(公告)号：CN1875471A

    公开(公告)日：2006-12-06

    申请号：CN200480032631.6

    申请日：2004-09-08

    Applicant: 艾克塞利斯技术公司

    Inventor： P·凯勒曼 ,  S·秦 ,  W·迪韦尔吉利奥

    IPC: H01L21/68 ,  H02N13/00

    CPC classification number: H01L21/6833 ,  H02N13/00

    Abstract: 本发明旨在于提供一种利用单相方波交流吸附电压将晶圆吸附到静电吸盘上的方法。该方法包含确定用于静电吸盘的单相方波吸附电压，其中的确定操作至少部分地基于晶圆的惯性响应时间。晶圆被放到静电吸盘上，其中静电吸盘和晶圆之间的间隙被限定。接着被施加已确定的单相方波吸附电压，其中晶圆通常在预定的距离内被吸附到静电吸盘上，且通常不让静电电荷量被积累，从而使晶圆的快速释放成为可能。

    二十硼烷注入方法和系统
    34.
    发明授权
    二十硼烷注入方法和系统 失效

    公开(公告)号：CN1269990C

    公开(公告)日：2006-08-16

    申请号：CN01822666.3

    申请日：2001-12-11

    Applicant: 艾克塞利斯技术公司

    Inventor： A·S·佩雷尔

    IPC: C23C14/48 ,  H01L21/265 ,  H01J27/08

    CPC classification number: H01L21/26513 ,  C23C14/48 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658

    Abstract: 本发明提供一种将已电离的二十硼烷(B20HX)、三十硼烷(B30HX)和四十硼烷(B40HX)注入工件的方法，包括以下步骤：(i)使离子源(50)中的十硼烷汽化和电离以产生等离子体；(ii)通过源孔(126)引出等离子体内的已电离的二十硼烷、三十硼烷和四十硼烷，它们统称为“高次硼烷”，形成一个离子束；(iii)采用质量分析磁体(127)对离子束作质量分析，使已电离二十硼烷(B20HX)或其它高次硼烷中的一种通过；(iv)将已电离二十硼烷(B20HX)或一种其它高次硼烷注入工件。使十硼烷汽化和电离的步骤包括两个子步骤：(i)在汽化器(51)内使十硼烷汽化和(ii)在电离器(53)内电离已汽化的十硼烷。

    用于集成电路制造的对准系统
    36.
    发明公开
    用于集成电路制造的对准系统 失效

    公开(公告)号：CN1757094A

    公开(公告)日：2006-04-05

    申请号：CN200480006092.9

    申请日：2004-03-05

    Applicant: 艾克塞利斯技术公司

    Inventor： S·D·维德 ,  A·D·维德

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/67775 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/14

    Abstract: 本发明提供了用于关于集成电路制造工具放置例如硅晶片等工件的设备和方法。关于该工具安装的机械手将工件移入和移出该工具。隔离片具有背离工具的暴露表面。所述暴露的隔离片表面的相对位置关于工具可调整。可移动盒支承物支承一个或多个工件，且放置为与隔离片表面邻接。例如高架运输装置将包含例如工件的盒传送到所述盒支承表面上，以供工具的随后处理。

    使用线性扫描马达的离子束注入器的注入角可调的工件支承结构
    37.
    发明公开
    使用线性扫描马达的离子束注入器的注入角可调的工件支承结构 失效

    公开(公告)号：CN1751375A

    公开(公告)日：2006-03-22

    申请号：CN200480004805.8

    申请日：2004-02-20

    Applicant: 艾克塞利斯技术公司

    Inventor： R·米切尔

    IPC: H01J37/20

    CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/202

    Abstract: 一种离子束注入器包括用于产生沿线束移动的离子束的离子束源和真空腔或注入腔，其中工件被放置以与所述离子束交叉用以通过所述离子束对所述工件的表面进行离子注入。所述离子束注入器进一步包括联接到所述注入腔上且支承所述工件的工件支承结构。所述工件支承结构包括可转动地附到所述注入腔上的旋转构件。所述旋转构件相对于所述注入腔的旋转改变了所述工件相对于所述注入腔内的所述部分所述离子束的束线的注入角度。所述工件支承结构进一步包括设置在所述注入腔内、活动地联接到所述旋转构件上并且支承所述工件以进行沿传送路径的线性运动的传送构件。所述传送构件包括线性马达。

    离子源及用于离子源的蒸发器
    38.
    发明授权
    离子源及用于离子源的蒸发器 失效

    公开(公告)号：CN1227709C

    公开(公告)日：2005-11-16

    申请号：CN99105339.7

    申请日：1999-04-30

    Applicant: 艾克塞利斯技术公司

    Inventor： T·N·霍斯基

    IPC: H01J37/08 ,  H01L21/265 ,  C30B31/22 ,  C23C14/48

    CPC classification number: H01L21/2658 ,  H01J27/08

    Abstract: 一种用于离子注入装置的离子源(50)，它包括：(i)一个升华装置(52)，它有一腔室(66)，用来容纳被升华的源材料(68)并使此源材料升华，其中所述源材料是一种分子固体，它有1.333Pa到133.32kPa(10-2到103乇)之间的蒸汽压和20℃到150℃之间的升华温度；(ii)一电离腔室(58)，用来把升华了的源材料电离，所述电离腔室与所述升华装置分开地设置，并且与所述升华装置热绝缘；(iii)一送料管(62)，用来把所述升华装置(52)连接到所述电离腔室(58)上；(iv)一加热介质(70)，用来加热所述升华装置(52)和所述送料管(62)的至少一部分：以及一控制机构，用来控制加热介质(70)的温度。

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