-
公开(公告)号：CN116137684A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211411003.5
申请日：2022-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种图像传感器。图像传感器包括：在行和列方向上排列的像素的像素阵列。提供在像素阵列的第一行中的第一像素包括与第一金属线连接的第一子像素、与第二金属线连接的第二子像素、与第三金属线连接的第三子像素以及与第四金属线连接的第四子像素。当对第一像素执行读出操作时，依次使能施加到第一至第四金属线的信号。基于所施加的信号，累积在第一至第四子像素中的电荷的至少一部分扩散到第一浮置扩散节点。第一子像素和第三子像素在列方向上相邻，并且第一子像素和第二子像素在行方向上相邻。
-
公开(公告)号：CN112702544A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011138684.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据示例实施例的图像传感器包括：多个图像像素组；多个自动聚焦像素组；第一传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第一像素；第二传输控制信号线，其连接到所述多个图像像素组中的每一个的第二像素；第三传输控制信号线，其连接到所述多个自动聚焦像素组中的每一个的第一像素；以及第四传输控制信号线，其连接到少数多个自动聚焦像素组中的每一个的第二像素，其中，所述第四传输控制信号线与所述第一传输控制信号线至所述第三传输控制信号线电隔离，并且其中，所述多个图像像素组和所述多个自动聚焦像素组中的每一个设置在单个微透镜下方。
-
公开(公告)号：CN112310130A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010557071.7
申请日：2020-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：光电二极管，响应于光来生成电荷；转移晶体管，连接光电二极管和浮置扩散体；复位晶体管，连接在浮置扩散体和电力节点之间；增压电容器，连接到浮置扩散体，并响应于增压控制信号来调整浮置扩散体的容量；以及偏置电路，具有第一电流电路和第二电流电路，用于向输出节点供应不同的偏置电流，其中向所述输出节点输出与浮置扩散体中累积的电荷相对应的电压信号。在转移晶体管断开之后，增压控制信号从高电平下降到低电平，并且当将第一电流电路和第二电流电路的偏置电流同时提供给输出节点时，复位晶体管从导通状态切换到断开状态。
-
公开(公告)号：CN111916468A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010374637.2
申请日：2020-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。一种在包括低分辨率模式和高分辨率模式的多种分辨率模式下操作的图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列，其中，所述多个像素中的每个像素包括：具有第一光电二极管的第一子像素和具有第二光电二极管的第二子像素，并且所述第一子像素和所述第二子像素相邻地设置，并且共享浮置扩散区。所述图像传感器还包括行驱动器，向所述像素阵列提供控制信号以控制自动聚焦(AF)功能的执行，使得所述AF功能的执行包括：在所述高分辨率模式下以像素为单位执行所述AF功能，在所述低分辨率模式下以像素组为单位执行所述AF功能。
-
公开(公告)号：CN111192888A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010004598.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110035241A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811451035.1
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N5/341
Abstract: 公开一种图像传感器。一种图像传感器包括：光电转换单元，被配置为接收光以产生电荷并将所述电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为响应于第一信号而将第一节点的电压电平提供给浮置扩散节点；升压器，被配置为响应于第二信号而增大浮置扩散节点的电压电平；源极跟随器晶体管，被配置为将浮置扩散节点的电压电平提供给第二节点；选择晶体管，被配置为响应于第三信号而将第二节点的电压电平提供给像素输出端。在选择晶体管被导通之后，升压器被启用，并且在转移晶体管被导通之前，升压器被禁用。
-
公开(公告)号：CN108695350A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275410.5
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器可以包括：衬底，包括第一、第二、第三和第四区域；第一区域中的第一光电转换元件；第二区域中的第二光电转换元件；第三区域中的第三光电转换元件；第四区域中的第四光电转换元件；第一微透镜，至少部分地与第一光电转换元件和第二光电转换元件两者重叠；以及第二微透镜，至少部分地与第三光电转换元件和第四光电转换元件两者重叠。所述图像传感器也可以包括浮置扩散区域和被配置为执行彼此不同的功能的第一、第二和第三像素晶体管。所述第一、第二和第三像素晶体管中的每一个可以设置在第一、第二、第三和第四像素区域的至少一个中。所述第一像素晶体管可以包括多个第一像素晶体管。
-
公开(公告)号：CN108270980A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711390355.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/35581 , H04N5/243 , H04N5/345 , H04N5/35563 , H04N5/3559 , H04N5/3575 , H04N5/37457 , H04N9/045 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器包含像素阵列，该像素阵列包含沿着多个行和多个列排列的多个单元像素。多个单元像素中的每个包含：光电转换元件，该光电转换元件生成并且积累光电荷；电荷检测节点，该电荷检测节点接收在光电转换元件中积累的光电荷；读出电路，该读出电路将积累的并且从电荷检测节点输出的光电荷转换为电像素信号，该读出电路输出该电像素信号；电容元件；以及开关元件，该开关元件控制电荷检测节点与电容元件之间的连接。所述像素阵列中的所述行中的每个包含连接到第一转换增益控制线的第一像素和连接到第二转换增益控制线的第二像素。
-
公开(公告)号：CN111463223B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201911064309.6
申请日：2019-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：在半导体层中并限定多个像素区域的第一器件隔离层；在每个像素区域中的第一光电转换器件和第二光电转换器件；以及在半导体层中与第一光电转换器件和第二光电转换器件垂直地重叠的第二器件隔离层。
-
公开(公告)号：CN111835989B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010203467.1
申请日：2020-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈殷燮
Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，所述像素阵列包括连接到多条行线和多条列线的多个像素，所述多个像素中的每一个像素包括用于响应于光而产生电荷的光电二极管和具有用于存储所述电荷的浮置扩散的像素电路；以及控制器，所述控制器被配置为在第一时间周期期间将所述浮置扩散的电容调整为第一值，并且从所述像素电路获得第一像素信号，在所述第一时间周期之后的第二时间周期期间将所述浮置扩散的电容调整为大于所述第一值的第二值，并且从所述像素电路获得第二像素信号，并且使用所述第一像素信号和所述第二像素信号生成结果图像。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.044 seconds)
