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公开(公告)号:CN101159171A
公开(公告)日:2008-04-09
申请号:CN200710092110.5
申请日:2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括:掺杂有第一杂质的电阻性尖端,具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区,并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区;和悬臂,在其边缘上具有所述电阻性尖端,其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
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公开(公告)号:CN101118750A
公开(公告)日:2008-02-06
申请号:CN200710008044.9
申请日:2007-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上,绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
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