公开(公告)号：CN103996725A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410056335.5

申请日：2014-02-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金正勋 ,  安商爀 ,  金炫彻 ,  车始英 ,  白南锡

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0749

Abstract: 公开了太阳能电池，其包括：包括p-型化合物半导体的光吸收层；和在所述光吸收层上的包括第一缓冲层和第二缓冲层的缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一缓冲层和光吸收层之间，且所述第一缓冲层的硫化锌(ZnS)浓度大于所述第二缓冲层的ZnS浓度。还公开了制造所述太阳能电池的方法。