准分子灯
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101661866B

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN200910166640.9

    申请日:2009-08-24

    Abstract: 一种准分子灯,具备形成有剖面为矩形的管的放电容器,能够防止边缘部成为破损的起点而导致放电容器破裂。上述准分子灯(10)在放电容器(11)的放电空间(S)内产生准分子放电,在与端面(14a、14b)平行地切断的剖面中,与连接长边面(12a、12b)与短边面(13a、13b)的边缘部(16a、16b、16c、16d)相比,放电容器(11)的长边面(12a、12b)的中央部(18a、18b)朝向放电空间(S)内侧弯曲,在放电容器(11)的暴露于放电空间(S)的表面形成有紫外线反射膜(20),该紫外线反射膜(20)在该边缘部侧的膜厚比该中央部侧厚。

    准分子灯
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101409206B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN200810169268.2

    申请日:2008-10-10

    Abstract: 本发明提供一种即使长时间点灯时也把紫外线反射膜的反射率降低的程度抑制得较小、而且在放电容器的轴方向可得到均匀的照度分布的准分子灯。本发明的准分子灯,包括具有放电空间的由二氧化硅玻璃构成的放电容器,在夹着形成该放电容器的二氧化硅玻璃的状态下设有一对电极,在上述放电容器的放电空间内产生准分子放电,其中,在上述放电容器的曝露于放电空间中的表面上,形成由二氧化硅粒子和氧化铝粒子形成的紫外线反射膜,上述二氧化硅粒子的中心粒径的大小为上述氧化铝粒子的中心粒径的0.67倍以上。紫外线反射膜中的氧化铝粒子的含有比率,优选是二氧化硅粒子和氧化铝粒子的合计的5wt%以上,更优选10wt%以上。

    准分子灯
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101540264A

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200910126162.9

    申请日:2009-03-05

    Abstract: 本发明提供一种在放电空间内发生准分子放电而放射真空紫外光的准分子灯,由熔融石英玻璃构成放电容器的一部分。该准分子灯(1)具有内侧管(4)与外侧管(3)配置在同轴方向的双重管构造的石英玻璃构成的放电容器(2),在介设有形成该放电容器(2)的石英玻璃的状态下设置一对电极(5)、(6),在放电空间(S)内封入有氙气体,在放电容器(2)的放电空间(S)内发生准分子放电,其特征在于,内侧管(4)由熔融石英玻璃形成,外侧管(3)由合成石英玻璃形成。

    准分子灯
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101409207A

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200810169269.7

    申请日:2008-10-10

    Abstract: 本发明提供一种即使长时间点灯时也把紫外线反射膜的反射率降低的程度抑制得较小、不会产生紫外线反射膜的剥落,因此可有效率地出射真空紫外光的准分子灯。本发明的准分子灯,包括具有放电空间的由二氧化硅玻璃构成的放电容器,在夹着形成该放电容器的二氧化硅玻璃的状态下设有一对电极,在上述放电容器的放电空间内产生准分子放电,其中,在上述放电容器的曝露于放电空间中的表面上,形成由二氧化硅粒子和氧化铝粒子形成的紫外线反射膜,该紫外线反射膜,在将上述放电容器的管壁负荷设为b[W/cm2]时,在曝露于放电空间中的表面层部分以(10b-4)wt%以上、70wt%以下的比率含有氧化铝粒子。

    紫外光照射装置
    35.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218853160U

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202222823913.6

    申请日:2022-10-26

    Abstract: 本实用新型提供一种紫外光照射装置,其对人及动物确保了较高的安全性,并且对病原体提高了灭活能力。紫外光照射装置具备:光源,其发出属于200nm以上且小于240nm的波长频带的紫外光的光源;以及光学滤波器,其供所述紫外光入射;所述光学滤波器的、以0度的入射角入射的透射光谱具有使0度光透过的第一透射频带及第二透射频带和限制所述0度光的透过的第一限制频带,所述第一透射频带存在于200nm以上且小于240nm的波长频带内,所述第二透射频带存在于超过300nm且小于400nm的波长频带内,所述第一限制频带至少存在于240nm以上且小于300nm的整个波长区域,并且所述第一限制频带的上限形成在超过300nm且为380nm以下的范围内。

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