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公开(公告)号:CN113316558B
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN201980085896.9
申请日:2019-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
IPC: C01B32/162 , B01J31/22 , B82Y40/00 , C01B32/164 , C01B32/168 , C30B29/02 , C30B29/62
Abstract: 一种碳纳米管的制造方法,包括:通过将含碳气体供给至浮游状态的催化剂粒子,从而使碳纳米管从所述催化剂粒子开始生长的生长工序;以及通过对浮游状态的所述碳纳米管施加拉伸力,从而使所述碳纳米管伸长的伸长工序。(56)对比文件CN 107083556 A,2017.08.22CN 103298738 A,2013.09.11US 2005118090 A1,2005.06.02WO 2007013579 A1,2007.02.01CN 101143707 A,2008.03.19CN 1365946 A,2002.08.28CN 102328925 A,2012.01.25CN 101743475 A,2010.06.16
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公开(公告)号:CN111587220B
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN201880073819.7
申请日:2018-06-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人筑波大学
Abstract: 根据本发明的实施方案的制造碳纳米结构体的方法涉及:通过在含碳气体流中使紧密附着在一起的多个催化剂颗粒分离,从而在多个催化剂颗粒之间生长碳纳米管的生长步骤;以及保持至少一个催化剂颗粒并且借助于含碳气体的风压使碳纳米管延伸的延伸步骤。
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公开(公告)号:CN109328177B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201780035892.0
申请日:2017-03-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明一个方面的制造碳纳米结构体的方法是如下所述的方法:在将可分离体以远离基体的方式相对地移动的同时在所述基体与所述可分离体之间制造碳纳米结构体,所述基体包含作为主要成分的可渗碳金属,所述可分离体以线状或带状与所述基体接合或接触并且包含作为主要成分的可渗碳金属。所述方法包括:渗碳气体供给步骤;氧化气体供给步骤;加热步骤,其中对所述基体的所述基体与所述可分离体相互接合或接触的部分进行加热;以及分离步骤,其中将所述可分离体以远离所述基体的方式相对地移动。
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公开(公告)号:CN108349729B
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201680066044.1
申请日:2016-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明的一个实施方式的制造碳纳米结构体的方法是如下的制造碳纳米结构体的方法,所述方法包括:准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤;以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤,其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。优选通过对所述基材进行剪切来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的裂开。优选通过用激光照射所述基材的裂开部分来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的加热。所述准备步骤优选包括在所述基材中形成用于诱导裂开的切口。优选地,在所述碳纳米结构体生长步骤中的所述基材未被氧化。
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公开(公告)号:CN108349729A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680066044.1
申请日:2016-07-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00
Abstract: 本发明的一个实施方式的制造碳纳米结构体的方法是如下的制造碳纳米结构体的方法,所述方法包括:准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤;以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤,其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。优选通过对所述基材进行剪切来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的裂开。优选通过用激光照射所述基材的裂开部分来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的加热。所述准备步骤优选包括在所述基材中形成用于诱导裂开的切口。优选地,在所述碳纳米结构体生长步骤中的所述基材未被氧化。
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公开(公告)号:CN103387218B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201310165948.8
申请日:2013-05-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B32/15
CPC classification number: C01B31/0226 , B01J4/008 , B01J15/005 , B01J19/1887 , B01J2219/00058 , B01J2219/00135 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , Y10T428/19
Abstract: 本发明提供一种用于制造弯曲等的发生得以减少的碳纳米结构体的方法。本发明的制造碳纳米结构体的方法包括以下步骤:制备基体,其由包括催化剂的催化剂部件和分离部件形成,催化剂部件和分离部件彼此接触或彼此成为一体制备步骤(S10));将基体中催化剂部件和分离部件的接触部分或一体化部分中的至少一部分氧化(氧化步骤(S20));使含碳原料气体与催化剂部件和/或分离部件接触(CNT生长步骤S30));以及使碳纳米结构体生长(CNT生长步骤S30))。在CNT生长步骤(S30)中,通过加热基体同时将分离部件与催化剂部件分开,使碳纳米结构体在催化剂部件和分离部件之间的分离界面区域中生长。
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公开(公告)号:CN104380395A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201280073573.6
申请日:2012-05-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01B12/06
CPC classification number: H01B12/06 , H01B13/30 , H01L39/2425 , H01L39/2483
Abstract: 本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中充当磁通钉的纳米粒子(3)分散在所述薄膜中。本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中在所述氧化物超导薄膜中的所述纳米粒子(3)的分散密度为1020个粒子/m3~1024个粒子/m3。本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中所述纳米粒子(3)的粒径为5nm~100nm。本发明提供制造氧化物超导薄膜的方法,其中通过将充当磁通钉的纳米粒子(3)溶解在溶剂中而获得的溶液以预定量加到通过将有机金属化合物溶解在溶剂中而获得的溶液中以制备用于氧化物超导薄膜的原料溶液,并且使用所述原料溶液通过涂布-热解方法制造所述氧化物超导薄膜(2)。本发明提供制造氧化物超导薄膜的方法,其中将分散剂加到通过将所述纳米粒子(3)溶解在溶剂中获得的溶液中。
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公开(公告)号:CN102026918B9
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN200980117669.6
申请日:2009-05-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明提供一种利用具有足够低的电阻值的CNT等碳纤维形成的碳线,以及使用这种碳线的线组件。碳线(1)包括组件部分(3)和石墨层(4)。所述组件部分(3)由多根碳纤维构成,这些碳纤维是由相互接触的碳纳米管(2)形成的。所述石墨层(4)设置在所述组件部分(3)的外周。
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公开(公告)号:CN102026918B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN200980117669.6
申请日:2009-05-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: H01B13/0036 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , H01B1/04 , H01B1/24 , H01L51/0021 , H01L51/0048 , H01L51/102 , H01L51/444 , H01L51/5203 , Y10S977/89 , Y10S977/932
Abstract: 本发明提供一种利用具有足够低的电阻值的CNT等碳纤维形成的碳线,以及使用这种碳线的线组件。碳线(1)包括组件部分(3)和石墨层(4)。所述组件部分(3)由多根碳纤维构成,这些碳纤维是由相互接触的碳纳米管(2)形成的。所述石墨层(4)设置在所述组件部分(3)的外周。
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公开(公告)号:CN1964918A
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200580018793.9
申请日:2005-05-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor: 日方威
IPC: C01B31/02 , B01J23/745
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J23/686 , B01J23/89 , B01J23/8906 , B01J23/8913 , B01J23/892 , B01J37/0009 , B21C1/003 , B21C37/047 , B82Y40/00 , C01B32/162
Abstract: 本发明披露一种制备碳纳米结构体的方法,该方法能够增加碳纳米结构体形状的均匀度和纯度,并能降低生产成本。在制备碳纳米结构体的方法中,从含有催化剂材料(11)的催化剂基材(17)的晶体生长表面通过气相外延生长碳晶体,并且该催化剂基材(17)通过减小直径处理形成。催化剂基材(17)优选形成为含有多个催化剂结构体排列的集合体,分别用一种对碳晶体生长没有实质催化功能的材料的非催化剂材料(12)形成,在具有晶体生长表面作为顶面的柱状的催化剂材料(11)的至少一部分侧面上形成。此外,非催化剂材料(15)优选在该集合体侧面的至少一部分上形成,并且该催化剂结构体在该晶体生长表面上的催化剂材料(11)表面积优选具有最多CV 10%的变化。
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