制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置

    公开(公告)号:CN109328177B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201780035892.0

    申请日:2017-03-14

    Abstract: 本发明一个方面的制造碳纳米结构体的方法是如下所述的方法:在将可分离体以远离基体的方式相对地移动的同时在所述基体与所述可分离体之间制造碳纳米结构体,所述基体包含作为主要成分的可渗碳金属,所述可分离体以线状或带状与所述基体接合或接触并且包含作为主要成分的可渗碳金属。所述方法包括:渗碳气体供给步骤;氧化气体供给步骤;加热步骤,其中对所述基体的所述基体与所述可分离体相互接合或接触的部分进行加热;以及分离步骤,其中将所述可分离体以远离所述基体的方式相对地移动。

    制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置

    公开(公告)号:CN108349729B

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201680066044.1

    申请日:2016-07-21

    Abstract: 本发明的一个实施方式的制造碳纳米结构体的方法是如下的制造碳纳米结构体的方法,所述方法包括:准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤;以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤,其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。优选通过对所述基材进行剪切来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的裂开。优选通过用激光照射所述基材的裂开部分来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的加热。所述准备步骤优选包括在所述基材中形成用于诱导裂开的切口。优选地,在所述碳纳米结构体生长步骤中的所述基材未被氧化。

    制造碳纳米结构体的方法和制造碳纳米结构体的装置

    公开(公告)号:CN108349729A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201680066044.1

    申请日:2016-07-21

    CPC classification number: B82Y40/00

    Abstract: 本发明的一个实施方式的制造碳纳米结构体的方法是如下的制造碳纳米结构体的方法,所述方法包括:准备含有可渗碳金属作为主要成分的基材的准备步骤;以及在加热所述基材的同时供给含碳气体的碳纳米结构体生长步骤,其中所述碳纳米结构体生长步骤包括使所述基材的加热部分逐渐裂开。优选通过对所述基材进行剪切来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的裂开。优选通过用激光照射所述基材的裂开部分来实施所述碳纳米结构体生长步骤中的加热。所述准备步骤优选包括在所述基材中形成用于诱导裂开的切口。优选地,在所述碳纳米结构体生长步骤中的所述基材未被氧化。

    氧化物超导薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:CN104380395A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201280073573.6

    申请日:2012-05-31

    CPC classification number: H01B12/06 H01B13/30 H01L39/2425 H01L39/2483

    Abstract: 本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中充当磁通钉的纳米粒子(3)分散在所述薄膜中。本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中在所述氧化物超导薄膜中的所述纳米粒子(3)的分散密度为1020个粒子/m3~1024个粒子/m3。本发明提供氧化物超导薄膜(2),其中所述纳米粒子(3)的粒径为5nm~100nm。本发明提供制造氧化物超导薄膜的方法,其中通过将充当磁通钉的纳米粒子(3)溶解在溶剂中而获得的溶液以预定量加到通过将有机金属化合物溶解在溶剂中而获得的溶液中以制备用于氧化物超导薄膜的原料溶液,并且使用所述原料溶液通过涂布-热解方法制造所述氧化物超导薄膜(2)。本发明提供制造氧化物超导薄膜的方法,其中将分散剂加到通过将所述纳米粒子(3)溶解在溶剂中获得的溶液中。

    制备碳纳米结构体的方法
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1964918A

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200580018793.9

    申请日:2005-05-19

    Inventor: 日方威

    Abstract: 本发明披露一种制备碳纳米结构体的方法,该方法能够增加碳纳米结构体形状的均匀度和纯度,并能降低生产成本。在制备碳纳米结构体的方法中,从含有催化剂材料(11)的催化剂基材(17)的晶体生长表面通过气相外延生长碳晶体,并且该催化剂基材(17)通过减小直径处理形成。催化剂基材(17)优选形成为含有多个催化剂结构体排列的集合体,分别用一种对碳晶体生长没有实质催化功能的材料的非催化剂材料(12)形成,在具有晶体生长表面作为顶面的柱状的催化剂材料(11)的至少一部分侧面上形成。此外,非催化剂材料(15)优选在该集合体侧面的至少一部分上形成,并且该催化剂结构体在该晶体生长表面上的催化剂材料(11)表面积优选具有最多CV 10%的变化。

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