公开(公告)号：CN116162369A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211477433.7

申请日：2022-11-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新井田惠介 ,  山本靖之

IPC: C09D4/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、半导体装置制造用基板、有机膜的形成方法、及图案形成方法。本发明提供一种有机膜形成材料，其在半导体装置制造步骤中的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，不仅是在即使具有宽广沟渠结构(wid trench)等特别难以平坦化的部分的被加工基板上仍能形成平坦性、成膜性优异的有机膜，而且对于在以CVD法形成无机硬掩膜中间膜时的高温的加热亦能够耐受。一种有机膜形成材料，其特征为含有：(A)下列通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。

公开(公告)号：CN113359390A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110240480.9

申请日：2021-03-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新井田惠介 ,  郡大佑 ,  山本靖之 ,  中原贵佳 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。

公开(公告)号：CN113281964A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110190159.4

申请日：2021-02-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  泽村昂志 ,  新井田惠介 ,  橘诚一郎

IPC: G03F7/004 ,  C08G8/04 ,  C08G8/20 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。上述通式(1A)中，W1表示4价有机基团，W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团，R1表示氢原子或碳数1～10的1价有机基团，n1表示0或1的整数，n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。R2及R3各自独立地为氢、碳数为1～30个的有机基团，有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。

公开(公告)号：CN110615732A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910539258.1

申请日：2019-06-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 橘诚一郎 ,  渡边武 ,  新井田惠介 ,  长井洋子 ,  泽村昂志 ,  荻原勤 ,  亚历山大·爱德华·赫斯 ,  格雷戈里·布雷塔 ,  丹尼尔·保罗·桑德斯 ,  鲁迪·J·沃伊泰茨基

IPC: C07C43/21 ,  C07C41/30 ,  C07C41/16 ,  C07C49/84 ,  C07C45/64 ,  C07C43/23 ,  C07D213/80 ,  C07D221/16 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1-1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。