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公开(公告)号：CN116280421A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310206698.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
Abstract: 本发明具体涉及一种真空封装装置。本发明旨在解决现有真空封装装置无法有效兼顾封装气密性与封装真空度的技术问题。为此目的，本发明提供了一种真空封装装置，用于将封装件封装至待封装件，真空封装装置包括：真空腔室；设置于真空腔室的封装夹具，封装夹具的内部形成有具有开口并与真空腔室连通的封装空间，待封装件放置于封装空间，封装夹具靠近开口的侧壁设置有放置封装件的弹性凸起；施力机构，施力机构设置于封装夹具的开口处，并能够通过开口伸至封装空间以驱动封装件越过弹性凸起后封装至待封装件。本发明的真空封装装置能够在封装件与待封装件之间的真空度满足要求后，再将封装件封装至待封装件，以此有效地兼顾封装气密性与封装真空度。
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公开(公告)号：CN114873555A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210374909.8
申请日：2022-04-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种调制超润滑界面间摩擦力的方法及器件。该方法包括：1)在两个发生相对滑动运动的物体界面分别放置超润滑材料层，使其具有超润滑特性，形成超润滑界面；2)所述两个发生相对滑动运动的物体中至少一个物体除包含所述超润滑材料层之外，还包括介质层和导电层，所述介质层位于所述超润滑材料层和所述导电层之间；3)在所述导电层和所述超润滑材料层之间施加偏压，改变所述超润滑材料层表面的电学状态，从而调制所述超润滑界面的摩擦力。本发明还实现一种基于调制超润滑界面间摩擦力的传动器件和制动器件。本发明可以实现对微纳固体界面面接触超润滑摩擦力的静电可逆调制，可适用于微机电系统高压、高温、高速等极端工况。
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公开(公告)号：CN114617216A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011452791.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京大学
IPC: A23L3/26 , A23L3/3418 , A23L3/36 , G01D21/02
Abstract: 本申请公开了一种食品保鲜方法及系统、控制器，可以控制至少一个X射线源的输出，以使X射线源以持续性或间歇性照射待保鲜食品，以延长被照射的待保鲜食品的保存时长，至少一个X射线源可以设置于食品保鲜装置中，用于产生X射线，待保鲜食品可以置于食品保鲜装置中的食品放置区域。X射线源的辐照强度可以较好的控制，因此具有更高的安全性，且X射线可以被控制用于持续性或间歇性照射待保鲜食品，具有较高的辐照效率和保鲜效果，因此能够利用较少的资源消耗保证优异的食品储藏和保鲜的效果。
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公开(公告)号：CN111192806B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010020242.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/073 , H01J9/18
Abstract: 本发明实施例公开了一种表面隧穿微型电子源及其阵列和实现方法，所述表面隧穿微型电子源是平面多区结构，包括一绝缘衬底，在绝缘衬底表面具有两个导电区域和一个绝缘区域，其中，所述绝缘区域位于两个导电区域之间并与两个导电区域相连，两个导电区域的最小间隔即所述绝缘区域的最小宽度≤100nm。相比于现有垂直多层结构的隧穿电子源，本发明电子源及其阵列具有电子发射效率高、结构简单、加工方便、易于大规模阵列集成等优点，可以广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件，例如X射线管、微波管、平板显示器等。
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公开(公告)号：CN111392688A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010121652.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请实施例中提供了一种基于阳极键合的封装装置及方法，本申请基于阳极键合的封装装置包括玻璃片部、硅片部，所述玻璃片部与所述硅片部构成封装空腔，封装空腔内部的硅片上设置有芯片，芯片连接电极一端，电极另一端设置于玻璃片部与硅片部的接触面处；具体的，玻璃片部的内部设置有导电通道，导电通道的第一开口设置于接触面的电极处，导电通道的第二开口设置于玻璃片部的外表面；导电通道内设置有导电介质，导电介质通过第一开口连接所述电极，通过第二开口连接外部电路。本申请避免了电极裸露在大气内，解决了因键合界面缝隙暴露在空气中而影响封装空腔真空度的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111141448A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010019531.0
申请日：2020-01-08
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: G01L21/30
Abstract: 本申请公开了一种片上平面式微型电离真空传感器和制造方法，包括：位于同一衬底上的电子源和多个环形电极；所述电子源，用于发射电子；多个所述环形电极环绕在所述电子源外，用于根据输入电压，对所述电子施加正偏压，收集电子，确定电子电流，或对离子施加负偏压，收集离子，确定离子电流。使用位于同一衬底上的电子源和多个环形电极能够减小电离真空传感器的体积和质量；使用片上电子源能够降低耗能和产热，从而减少放气；通过从多个环绕在所述电子源外的环形电极中选择两个，能够选择量程范围；由于能够采用微纳加工的加工方式大批量的制备，因此能够提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109285740A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811340399.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法。该片上微型电子源中设置有导热层，并且同一电极对中的至少一个电极通过绝缘层的通孔与导热层连接，如此，该片上微型电子源产生的热量可以通过该电极和导热层散发出去，从而显著提高了片上电子源的散热能力，因而，该片上微型电子源能够将多个单电子源集成在同一衬底上，形成集成度较高的电子源集成阵列，从而使该片上电子源具有较大的整体发射电流，进而使其满足较多的应用需求。例如，本申请提供的片上微型电子源可以广泛地应用于涉及电子源的各种电子器件，例如X射线管、微波管、平板显示器等。
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公开(公告)号：CN104992890B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510250562.6
申请日：2015-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种电子发射体功函数可调的阴极，包括一电子发射体；位于所述电子发射体两端，并和所述电子发射体电连接的一电极对；调制所述电子发射体功函数的一栅电极；隔离所述栅电极和所述电子发射体的一隔离层。还提供一种电子发射体功函数可调的阴极阵列，其包含一定数量的以上任意一种电子发射体功函数可调的阴极，所述一定数量的阴极排布在同一衬底表面。本发明提出的电子发射体功函数可调的新型电子发射阴极及其阵列，可通过栅电极的调制来降低电子发射体的功函数，从而提高阴极的性能，可以广泛地应用于涉及电子发射阴极的各种电子设备。
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公开(公告)号：CN1935631A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610113318.6
申请日：2006-09-22
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明属于纳米加工领域，提出了一种切断、削薄或连接纳米材料的方法：在两个具有良好导电性的纳米材料之间施加一定的电压，然后让两个纳米材料接触，利用它们在热导率、比热、密度及几何尺寸等因素中存在的差异，使其中一个纳米材料在接触处的温度首先到达可被破坏(如热蒸发)所需的温度，使之在接触处被破坏而被切断或削薄，而被切掉的部分可以以两个纳米材料接触时的姿势连接到另一个纳米材料上，形成互连结构。本发明对纳米材料的研究和应用具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景，可用于制造碳纳米管的扫描探针针尖或制造碳纳米管场发射针尖，控制一维纳米材料的长度，修饰一维纳米材料的尖端和管身形貌以及构建纳米材料的互连结构等等。
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公开(公告)号：CN112903183B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201911132811.6
申请日：2019-11-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01L21/30
Abstract: 本发明提供了一种片上微型电离真空传感器及其制造方法，包括片上微型电子源、第一绝缘层、第一收集极、第二绝缘层和第二收集极；片上微型电子源朝向第一绝缘层的一侧具有电子发射结构；第一绝缘层具有第一通孔，第一通孔贯穿第一绝缘层；第一收集极具有第一网孔，第一网孔贯穿第一收集极；第二绝缘层具有第二通孔，第二通孔贯穿第二绝缘层；第二收集极具有第二网孔，第二网孔贯穿第二收集极；第一通孔、第一网孔、第二通孔以及第二网孔相互贯通。本发明采用片上微型电子源代替了常规的灯丝，由于该片上微型电离真空传感器通过微纳加工工艺和键合工艺制备而成，尺寸小，因此，可以扩大电离真空传感器测量真空度的上限，即可以应用在中低真空领域。
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