公开(公告)号：CN102184944B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110112400.8

申请日：2011-04-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  钟大伟 ,  夏晓娟 ,  张长春 ,  张瑛

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种横向功率器件结终端结构至少包含依次相连的三个半导体掺杂区、一个侧壁氧化区和两端的侧壁场板区。其中位于一端的掺杂区为第一类导电类型，构成器件的沟道区(或阳极)，另一端的掺杂区为第二类导电类型，构成器件的漏极区(或阴极)，夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构成器件的漂移区。漂移区的下部与外延层相接，上部与场氧层相接，边侧与氧化区相接，在源区和漏区的侧壁氧化区内刻蚀淀积多晶硅形成斜坡形或多阶梯形3D场板，分别与栅极和漏极电学接触，同时侧壁场板需要垂直延伸超过衬底表面进入衬底内部。采用该结构制造横向PN二极管、横向扩散场效应晶体管LDMOS、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有击穿电压高、导通电阻小、工艺简单、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN102520756A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110448348.3

申请日：2011-12-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 夏晓娟 ,  郭宇锋 ,  陈德媛 ,  方玉明

IPC: G05F3/16

Abstract: 一种偏置电流产生电路，包括：电压-电流转换电路，将基准电压Vref转换成电流I1，产生第一偏置电压Vb1；稳定偏置电流产生电路，用来获得高稳定性的偏置电流，产生第二偏置电压Vb2；稳定偏置电流输出电路，利用NMOS管电流镜的原理产生稳定的偏置电流输出。本发明电路直接采用系统中存在的基准电压Vref（相对于电源电压Vdd），利用Vref的高精度和低温漂的特点，获得同样高精度和低温漂的偏置电流，解决了一些电路设计中对偏置电流精度和温度系数高要求的问题。

公开(公告)号：CN106130483A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610446825.5

申请日：2016-06-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 吉新村 ,  夏晓娟 ,  郭宇锋 ,  王子轩 ,  丁敏 ,  徐严

IPC: H03B5/12 ,  H03L7/099

Abstract: 一种压控振荡器调谐电路中的可变电容电路，该可变电容电路由积累型AMOS晶体管与PMOS晶体管并联构成，连接于压控振荡器电压输出端VB和调谐电压控制端VC之间，PMOS晶体管的源极和漏极接地，PMOS晶体管的衬底连接调谐电压控制端VC，PMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，使PMOS晶体管工作于积累区和耗尽区；AMOS晶体管的栅极连接压控振荡器电压输出端VB，AMOS晶体管的源极、漏极以及衬底共同与调谐电压控制端VC连接；可变电容值由PMOS晶体管的栅极‑衬底电容与积累型AMOS晶体管的栅极‑衬底电容合成，通过调谐电压控制可变电容的大小，以改变振荡频率。

公开(公告)号：CN104658941A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510089321.8

申请日：2015-02-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  李曼 ,  张长春 ,  吉新村 ,  夏晓娟

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明提供了一种芯片叠层结构参数的测试方法。它利用电容—电压测试仪测得芯片叠层结构的高频电容—电压曲线和低频电容—电压曲线，根据低频饱和值和高频饱和值分别测量该结构的绝缘层厚度与半导体掺杂浓度，根据低频电容—电压曲线的外加电压为零的点和特征极值点测量该结构的绝缘层固定电荷密度。采用此发明为评估三维集成中芯片叠层结构的可靠性提供了一个简单且非破坏性的表征方法。

公开(公告)号：CN102520757A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110448349.8

申请日：2011-12-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 夏晓娟 ,  方玉明 ,  陈德媛 ,  郭宇锋

IPC: G05F3/16

Abstract: 一种灌电流和拉电流产生电路，包括电压-电流转换电路，将基准电压Vref转换成电流I1，产生第一偏置电压Vb1；稳定偏置电流产生电路，用来获得高稳定性的偏置电流，产生第二偏置电压Vb2；拉电流输出电路，利用PMOS管电流镜的原理产生PMOS拉电流的输出支路；灌电流输出电路，利用NMOS管电流镜的原理产生NMOS灌电流的输出支路。本发明直接采用系统中存在的基准电压Vref，利用Vref的高精度和低温漂的特点，获得同样高精度和低温漂的偏置电流，解决了一些电路设计中对偏置电流精度和温度系数高要求的问题。

公开(公告)号：CN102184944A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110112400.8

申请日：2011-04-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭宇锋 ,  钟大伟 ,  夏晓娟 ,  张长春 ,  张瑛

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816

Abstract: 一种横向功率器件结终端结构至少包含依次相连的三个半导体掺杂区、一个侧壁氧化区和两端的侧壁场板区。其中位于一端的掺杂区为第一类导电类型，构成器件的沟道区(或阳极)，另一端的掺杂区为第二类导电类型，构成器件的漏极区(或阴极)，夹在中间的半导体区为第二类导电类型，构成器件的漂移区。漂移区的下部与外延层相接，上部与场氧层相接，边侧与氧化区相接，在源区和漏区的侧壁氧化区内刻蚀淀积多晶硅形成斜坡形或多阶梯形3D场板，分别与栅极和漏极电学接触，同时侧壁场板需要垂直延伸超过衬底表面进入衬底内部。采用该结构制造横向PN二极管、横向扩散场效应晶体管LDMOS、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT，具有击穿电压高、导通电阻小、工艺简单、成本低廉等优点。