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公开(公告)号：CN1836323A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023498.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76275 , H01L21/823807 , H01L21/84
Abstract: 提供了一种集成的半导体结构，它包含至少一个形成在对器件最佳的第一晶面上的器件，而另一器件被形成在对此另一器件最佳的不同的第二晶面上。形成此集成结构的方法包括提供键合衬底，此键合衬底至少包括第一晶向的第一半导体层和不同的第二晶向的第二半导体层。部分键合衬底被保护以确定第一器件区，而键合衬底的其它部分不被保护。键合衬底的未被保护部分然后被腐蚀，以便暴露第二半导体层的表面，并在暴露的表面上再生长半导体材料。在整平之后，第一半导体器件被形成在第一器件区中，而第二半导体器件被形成在再生长材料中。
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公开(公告)号：CN101676905A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810211673.6
申请日：2008-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了一种产生由用户定制的布局修改规则的方法和系统，以及修改资源内容布局的方法和系统。用于产生由用户定制的布局修改规则的方法，包括如下步骤：接收包括文档结构的资源内容；响应于用户对所述资源内容的布局中的选定部分的修改，创建用于控制与所述选定部分相对应的所述文档结构的部分的显示的自定义样式表代码；以及产生描述对所述资源内容布局中的选定部分的修改的由用户定制的布局修改规则。
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公开(公告)号：CN100544022C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200480039512.3
申请日：2004-12-15
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈永聪 , 玛斯莫·V.·菲斯切特 , 约翰·M.·赫根罗瑟 , 杨美基 , 拉杰施·仁加拉简 , 亚历山大·里兹尼克 , 保罗·所罗门 , 宋均镛 , 杨敏
IPC: H01L29/02 , H01L21/762 , H01L29/04
Abstract: 具有 晶体取向含硅层的半导体材料及其形成方法，该半导体材料具有增强的电子和空穴迁移率，该材料包括在双轴压缩应变下的具有 晶体取向的含硅层。术语“双轴压缩应变”在此处用来描述由纵向压缩应力和横向应力产生的净应力，此横向应力在半导体材料制造过程中引入含硅层上。本发明的其它方面涉及形成本发明的半导体材料的方法。本发明的方法包括提供含硅 层；和在所述含硅 层中产生双轴应变。
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公开(公告)号：CN100536144C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710096453.9
申请日：2007-04-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/0922 , H01L27/1203 , H01L27/1207
Abstract: 本发明涉及包括具有一个或多个第一器件区域和一个或多个第二器件区域位于其上的基础半导体衬底的混合取向绝缘体上半导体(SOI)衬底结构。一个或多个第一器件区域包括具有第一半导体器件层位于其上的绝缘层。一个或多个第二器件区域包括具有第二半导体器件层位于其上的反掺杂的半导体层。第一和第二半导体器件层具有不同的结晶取向。优选，第一(或第二)器件区域为n-FET器件区域，而且所述第一半导体器件层具有提高电子迁移率的结晶取向，而所述第二(或第一)器件区域为p-FET器件区域，而且所述第二半导体器件层具有提高电子迁移率的不同的表面结晶取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499071A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810008872.7
申请日：2008-01-30
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G06F17/30887
Abstract: 公开了创建和使用用户定制的统一资源定位符CURL的设备和方法。所述创建方法包括：接收为通过普通URL访问的网络资源中的选定内容分配用户申请的CURL的请求；获取普通URL、申请的CURL及选定内容的描述信息；获取与选定内容相关的上下文信息，并将其与对应的普通URL、申请的CURL及选定内容的描述信息存储到CURL贮存库中。所述使用CURL的方法包括步骤：接受来自用户的CURL访问地址；从CURL贮存库中取出与该CURL对应的上下文信息、选定内容的描述信息和原始的普通URL；利用所取出的上下文信息恢复浏览器上下文、应用上下文和系统上下文；在恢复的上下文环境中重构所请求的网络资源并发送至客户端。
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公开(公告)号：CN100411180C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610002467.5
申请日：2006-01-26
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , Y10S438/973
Abstract: 本发明提供了一种使不同类型的器件被制作在混合衬底的提高各类型器件性能的特定晶向上的集成半导体器件的方法。具体地说，本发明提供了一种使pFET位于平坦混合衬底的(110)晶面上而nFET位于(100)晶面上的集成半导体器件的方法。本发明的方法还改善了用埋置绝缘体和反掺杂层的组合产生的类SOI器件的性能。本发明还涉及到利用本发明的方法形成的半导体结构。
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公开(公告)号：CN100407408C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480023498.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76275 , H01L21/823807 , H01L21/84
Abstract: 提供了一种集成的半导体结构，它包含至少一个形成在对器件最佳的第一晶面上的器件，而另一器件被形成在对此另一器件最佳的不同的第二晶面上。形成此集成结构的方法包括提供键合衬底，此键合衬底至少包括第一晶向的第一半导体层和不同的第二晶向的第二半导体层。部分键合衬底被保护以确定第一器件区，而键合衬底的其它部分不被保护。键合衬底的未被保护部分然后被腐蚀，以便暴露第二半导体层的表面，并在暴露的表面上再生长半导体材料。在整平之后，第一半导体器件被形成在第一器件区中，而第二半导体器件被形成在再生长材料中。
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公开(公告)号：CN1292473C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410060055.8
申请日：2004-06-25
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 布鲁斯·B·多丽丝 , 黛安·C·博伊德 , 杨美基 , 托马斯·S·卡纳斯基 , 加库博·T·克泽尔斯基 , 杨敏
IPC: H01L21/84 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L21/845 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种含有位于同一个SOI衬底上的平面单栅极FET和FinFET的集成半导体电路。具体地，该集成半导体电路包括位于绝缘体上硅衬底的埋置绝缘层顶上的FinFET和平面单栅极FET，平面单栅极FET位于绝缘体上硅衬底的构图的顶部半导体层的表面上，并且，FinFET具有垂直于该平面单栅极FET的垂直沟道。还提供形成这种集成电路的方法。在该方法中，在修整FinFET有源器件区的宽度中使用抗蚀剂成象和构图的硬掩模，并且随后在使FET器件区的厚度减薄中使用抗蚀剂成象和蚀刻。形成修整的有源FinFET器件区使其垂直于减薄的平面单栅极FET器件区。
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公开(公告)号：CN1828831A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610002745.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/02
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/1207 , Y10S438/938
Abstract: 本发明提供了一种形成半导体衬底的方法，包括以下步骤：提供初始结构，具有包括第一取向材料的第一器件区域和包括第二取向材料的第二器件区域；在第一取向材料顶部形成第一浓度的晶格调整材料；在第二取向材料顶部形成第二浓度的晶格调整材料；混合第一浓度的晶格调整材料与第一取向材料以形成第一晶格尺寸表面，并混合第二浓度的晶格调整材料与第二取向材料以形成第二晶格尺寸表面；以及在第一晶格尺寸表面顶部形成第一应变半导体层，并在第二晶格尺寸表面顶部形成第二应变半导体层。
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