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公开(公告)号：CN101794965B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010003506.X
申请日：2007-04-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/028 , H01S5/221 , H01S5/2231
Abstract: 本发明公开一种氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制造方法，是在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜的半导体发光元件，其中，光出射部由氮氧化物半导体构成，涂层膜由铝的氧化物膜或铝的氮化物膜构成，反射率调整膜由氧化物膜构成。
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公开(公告)号：CN102005699A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010510283.6
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/028 , H01S5/2036 , H01S5/22
Abstract: 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。
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公开(公告)号：CN101013794B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200710007716.4
申请日：2007-01-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光二极管(1)，半导体激光二极管(1)包括具有有源层(5)的半导体衬底(2)，在有源层(5)的两端上具有一对彼此相对的腔面(6a、6b)；以及顺序堆叠在一个腔面(6a)上的氧化物的第一介电膜(3)和氮氧化物的第二介电膜(4)，其具有足够的初始特性，和具有出色热辐射能力的膜结构，用于允许长时间的稳定的高输出激光发射，而不减小发射端上的灾变光学损伤水平。
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公开(公告)号：CN101499620B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910007990.0
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00 , H01S5/028 , H01L21/263 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN101499620A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910007990.0
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00 , H01S5/028 , H01L21/263 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101325310A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810125459.9
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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公开(公告)号：CN101034727A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710085508.6
申请日：2007-03-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0287 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/221 , H01S5/223 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选至少为6nm并且至多为200nm。
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公开(公告)号：CN1945909A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610142001.5
申请日：2006-10-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件，包括：III－V族氮化物半导体层；设置在III－V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。
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公开(公告)号：CN101034727B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200710085508.6
申请日：2007-03-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0287 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/221 , H01S5/223 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选至少为6nm并且至多为200nm。
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公开(公告)号：CN102170090B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110082164.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件。该发光元件包括：具有六方晶系结晶的氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜，其中，粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间，至少部分的该端面涂膜或粘合层包含AlNxOy，其中x＜1，y＜1，x+y＝1。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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