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公开(公告)号：CN103222037A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055568.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78633
Abstract: TFT(20)包括：由氧化物半导体构成的半导体层(12sl)；在半导体层(12sl)上相互分离地设置的源极电极(13sd)和漏极电极(13dd)；覆盖源极电极(13sd)与漏极电极(13dd)之间的半导体层部分的栅极绝缘膜(15)；和隔着栅极绝缘膜(15)与半导体层(12sl)重叠的栅极电极(18gd)，其中，源极电极(13sd)与源极配线(13sl)形成为一体，栅极电极(18gd)与栅极配线(18gl)形成为一体，半导体层(12sl)还延伸至源极配线(13sl)的下层，源极配线(13sl)和源极电极(13sd)以及漏极电极(13dd)整体配置在半导体层(12sl)上。
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公开(公告)号：CN101960607B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200880127891.X
申请日：2008-10-31
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 木村知洋
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L21/268 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明提供一种半导体装置、其制造方法以及显示装置，所述半导体装置可以抑制导通电流降低所造成的Ion不良。本发明是一种半导体装置，其在基板上具备薄膜晶体管和配线，所述薄膜晶体管具有包含沟道区域和源极/漏极区域的结晶性半导体层，所述配线被连接到上述源极/漏极区域，上述结晶性半导体层具有与上述源极/漏极区域相比杂质浓度低的低浓度杂质区域和接触上述配线的接触部，与除了上述沟道区域侧以外的区域的上述源极/漏极区域相邻而配置上述低浓度杂质区域。
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公开(公告)号：CN102834793A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180017427.7
申请日：2011-03-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G09F9/00 , G09F9/30
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F1/13338 , G06F3/0414
Abstract: 本发明的带触摸面板功能的显示装置是具有包括使第一颜色透射的第一颜色透射部和使第二颜色透射的第二颜色透射部的显示区域的显示装置，其中，在上述显示区域的内部，设置有用于检测向上述显示区域的按压的压力传感器（118），压力传感器（118）的一部分或全部为作为不透射光的非透射部的突起部（70），上述第一颜色透射部和上述第二颜色透射部由作为非透射部的突起部（70）隔开。
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公开(公告)号：CN101803031A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107582.6
申请日：2008-05-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/127 , H01L21/26513 , H01L27/1214 , H01L27/1237 , H01L29/105
Abstract: 本发明提供一种能够抑制泄露电流的产生的半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明是具有在基板的一方主面侧按顺序层叠了半导体层、绝缘膜以及栅极电极的构造的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括添加工序，在该添加工序中，对半导体层的至少与栅极电极相对的区域添加杂质，使得半导体层的端部的与栅极电极相对的区域的杂质浓度大于半导体层的端部以外的与栅极电极相对的区域的杂质浓度。
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