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公开(公告)号：CN117890682B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311823319.X
申请日：2023-12-27
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R29/00
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法，具体涉及精细测量领域，其具体步骤如下：制作具有工程EP点的宇称时间反对称电路，对该电路进行振荡，得到宇称时间反对称破缺相。本发明针对在线性状态下提升系统灵敏度，即简并度，会导致系统鲁棒性降低的问题，解决了鲁棒性和灵敏度之间需要权衡的技术痛点；利用宇称时间反对称电路，通过实验证明了非线性对简并度提升的影响，在宇称时间反对称破缺相位下，特征模之间的非线性相互作用产生了十二阶非线性，导致了简并度提升，在保证检测极限的同时，六阶非线性分岔将灵敏度提高了11倍；方案结构简单、稳定性强，能够在不牺牲系统鲁棒性的情况下降系统的灵敏度提升一个数量级。
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公开(公告)号：CN117897043B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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公开(公告)号：CN117897043A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410012480.7
申请日：2024-01-04
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法，具体涉及功能性纳米复合材料领域，包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰，具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关，银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压，自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化，从而提高开关稳定性；自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用，在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关，还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性；为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
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公开(公告)号：CN117890682A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311823319.X
申请日：2023-12-27
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R29/00
Abstract: 本发明公开了一种基于非线性效应的提升EP灵敏度的方法，具体涉及精细测量领域，其具体步骤如下：制作具有工程EP点的宇称时间反对称电路，对该电路进行振荡，得到宇称时间反对称破缺相。本发明针对在线性状态下提升系统灵敏度，即简并度，会导致系统鲁棒性降低的问题，解决了鲁棒性和灵敏度之间需要权衡的技术痛点；利用宇称时间反对称电路，通过实验证明了非线性对简并度提升的影响，在宇称时间反对称破缺相位下，特征模之间的非线性相互作用产生了十二阶非线性，导致了简并度提升，在保证检测极限的同时，六阶非线性分岔将灵敏度提高了11倍；方案结构简单、稳定性强，能够在不牺牲系统鲁棒性的情况下降系统的灵敏度提升一个数量级。
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公开(公告)号：CN115718394B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211097630.6
申请日：2022-09-08
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明涉及一种基于非赫尔米特增强拓扑保护的混沌光源系统，包括光子零能模式产生模块和声子模式激发模块；所述光子零能模式产生模块，用于产生零能模式；所述声子模式激发模块，用于与所述零能模式非线性相互作用并产生声子，利用所述非线性相互作用的强度高于混沌光激发阈值，从而产生混沌光源。本发明利用光子零能模式，针对现有技术中光学芯片上混沌光源信号稳定性弱的不足，实现高稳定性的光学芯片混沌光源。本发明结构简单、稳定性强，能降低光学芯片系统研制的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115015181A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210750625.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种SPR生物传感芯片的制备方法和应用。该SPR生物传感芯片的制备方法包括如下步骤：S1.在基底的表面覆盖贵金属层，得基底‑贵金属层；S2.在基底‑贵金属层的表面依次沉积石墨烯纳米片层和纳米金刚石颗粒层，即得所述SPR生物传感芯片。该制备方法得到的SPR生物传感芯片具有高灵敏度、高检测精度，且易修饰和易功能化，且由于石墨烯纳米片相对大面积的层状石墨烯容易制备转移，故该制备方法的操作相对容易和简单。
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公开(公告)号：CN111710476B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010619784.1
申请日：2020-06-30
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及图案化制备透明导电电极技术领域，更具体地，涉及一种超声辅助的图案化透明导电电极制备方法。一种超声辅助的图案化透明导电电极制备方法，依次包括如下步骤：S1配置交联剂：配置水溶性光聚合交联剂；S2涂布成膜：按一定比例混合水溶性光聚合交联剂和金属纳米线分散液后涂布在衬底表面；S3选择性曝光：对待图案化的导电电极进行选择性曝光，得到曝光的导电电极；S4超声清洗：在极性溶剂中对曝光的导电电极进行超声清洗，干燥得到图案化透明导电电极。本发明超声辅助的图案化透明导电电极制备方法不仅工艺简单、效率高、成本低；而且超声清洗过程中使用的原料对人体和环境友好，是一种新型的图案化透明导电电极制备方法。
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公开(公告)号：CN111710475B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010618299.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种消影的图案化透明导电电极制备方法，具体包括以下步骤：S1在衬底上沉积金属纳米线，形成金属纳米线交联网络层；S2采用巯基化合物对金属纳米线交联网络进行选择性修饰，改变金属纳米线交联网络层部分区域的热稳定性，在修饰与未修饰区域之间形成热稳定性差异，得到结构化修饰的交联网络层；S3对结构化修饰的交联网络层进行加热，在金属纳米线交联网络层热稳定性差的部位得到绝缘区域，在金属纳米线交联网络层热稳定性好的部位得到导电区域，形成消影的图案化透明导电电极。本方法制备的图案化导电电极图案与非图案区域的光学性能差异小，具备消影的特点，能满足实际应用中不可视透明电极的需求。
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公开(公告)号：CN111175234A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010005891.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开的一种等离子体传感器的设计方法及其制备的传感器，先利用软件仿真计算获取双曲超材料的金属填充比ρ和金属-电介质层的对数Nbi的最佳组合参数，再将双曲超材料以最佳组合参数的多层膜结构与Kretschmann结构或侧边抛磨光纤的抛磨面结合制成对应的等离子体传感器。与现有技术相比，其有效果在于：本发明提供的设计方法能够通过对双曲超材料的金属填充比(ρ)和金属-电介质层的对数(Nbi)的调控，控制传感器的性能参数，实现性能参数的可控性；用该方法制备的等离子体传感器具有波长可调节、高灵敏度、高品质因素(FOM)、制造简单等优点，远胜于现在已有的等离子体传感器。
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公开(公告)号：CN109597003A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811600763.4
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及磁场传感器技术领域，具体公开了一种基于移动终端的便携式矢量磁场传感装置，包括传感单元、移动终端装置以及可与移动终端装置连接的附件装置；所述传感单元用于感应外界矢量磁场的变化，包括侧边抛磨光纤和围绕在侧抛光纤周围的磁流体；所述移动终端装置包括用于向传感单元发射光信号的LED，用于捕捉所述传感单元输出的光信号的摄像头，以及用于处理摄像头捕捉到的图像的处理装置。本发明通过设置传感单元感知外界待测磁场的变化，通过移动终端装置发射和接收传给所述传感单元的光信号，设置附件装置将传感单元与所述移动终端装置连接起来，这种装置实现了矢量磁场的精准检测，同时具有体积小、方便携带以及成本低的优势。
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