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公开(公告)号：CN115140702B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202210723630.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于高深宽比二氧化硅微纳结构的光学调制器的制备方法，包括：对硅晶圆正面进行刻蚀，形成硅微纳结构阵列；对硅晶圆背面进行刻蚀或腐蚀，完全释放出硅微纳结构阵列，同时在硅微纳结构阵列的外围形成支撑结构；对硅晶圆进行热氧化处理，将硅氧化为二氧化硅；在进行热氧化处理的硅晶圆表面沉积透明电极层；另取一块玻璃圆片，在玻璃圆片上加工出填充液出入口，并在玻璃圆片的一面沉积透明电极层；将玻璃圆片沉积有透明电极层的一面与二氧化硅微纳结构阵列外围的支撑结构进行键合，形成封闭腔体。本公开利用刻蚀结合热氧化工艺，实现了高深宽比的二氧化硅微纳结构阵列的制备，进而得到高深宽比的光学调制器。
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公开(公告)号：CN117008552A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311002997.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种面向数字化车间管理系统与制造装备的动态重构方法。本发明中，包括业务重构模块、设备重构模块以及IT和OT融合的产物可重构控制器。业务重构模块是通过原子事件、服务编排、服务绑定以及事件触发的形式应对当前生产过程业务变化需求，以零代码和低门槛的方式让业务人员参与到系统开发中来；设备重构模型通过将物理世界的资源抽象成计算机服务器，通过网络连接建立联系，经由资源的动作按照业务逻辑进行编排，形成一个完整的工作流，再通过专用的驱动与硬件PLC寄存器通讯，实时完成IT与OT的深层交互，可实现不同场景和不同设备的快速配置，减少开发，快速实施。
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公开(公告)号：CN114985022B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210477661.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
Abstract: 一种具有多环境参数的环境综合测试系统，包括压力腔、中空柱体、加热炉、振动台、压力控制系统和外部测试设备。压力腔设置于加热炉内部。加热炉为左右开合结构且底面设有通孔，固定于振动台之上，中空柱体穿过加热炉底面的通孔，振动台通过中空柱体驱动压力腔在加热炉的高温环境中做往复振动运动。压力腔底面设有待测对象的安装通道和压力输入通道，待测对象通过安装通道伸入压力腔内部，待测对象后端的信号传输线缆和压力输入导管穿过中空柱体内部，由中空柱体底部豁口引出，分别与外部测试设备和压力控制系统连接。利用本公开，能够模拟高温、压力、振动的单一或复合测试环境，有效验证待测对象在相应工况下的性能、稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN116456369A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310435472.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
IPC: H04W24/02 , H04L43/50 , H04L43/0852 , H04L43/0864 , H04L43/0894 , H04L43/08
Abstract: 本发明涉及一种5G工业应用的业务性能测试方法、系统、设备以及介质，其方法包括：依据获取的业务需求选择相应类别的5G工业应用，并针对所述5G工业应用的类别确定业务指标；依据所述业务指标和待测试终端的类型，选择网络时延测试方向或应用时延测试方向；在确定的测试方向下通过预先设置的测试设备和测试用例对所述待测试终端进行单向和/或双向时延测试。本发明依据客户需求搭建了一个满足客户业务需求且与实际运行场景贴近的模拟场景，达到了针对性测试的目的，减小了测量难度。同时，在测试中进行时延、带宽和可靠性等关键指标测量，充分考量了待测试终端的包括时效性、数据量以及系统稳定性等业务性能，提高了测试效率以及准确率。
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公开(公告)号：CN114716132B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210221075.7
申请日：2022-03-08
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于纳米粉末制备玻璃的方法，包括：按照玻璃各组分的质量百分比准备纳米粉末原料；将准备好的纳米粉末原料加入烧杯中，加入去离子水混合均匀，然后将烧杯放入超声水槽中，使混合均匀的纳米粉末原料充分振荡，消除粉末间的团聚；将充分振荡的纳米粉末原料放入真空箱内，抽真空并保持真空环境一段时间；将纳米粉末原料从真空箱取出并填入耐高温样品选定区域，在高温管式炉内进行烧结，纳米粉末原料在高温管式炉内经软化、回流、冷却，形成块状玻璃。利用本公开，节省了自制玻璃粉末的过程，缩短了制备时间，提高了制备效率，同时保障了粉末粒径的一致性，有效地解决了现有技术中存在的工艺过程耗时长等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115140702A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210723630.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于高深宽比二氧化硅微纳结构的光学调制器的制备方法，包括：对硅晶圆正面进行刻蚀，形成硅微纳结构阵列；对硅晶圆背面进行刻蚀或腐蚀，完全释放出硅微纳结构阵列，同时在硅微纳结构阵列的外围形成支撑结构；对硅晶圆进行热氧化处理，将硅氧化为二氧化硅；在进行热氧化处理的硅晶圆表面沉积透明电极层；另取一块玻璃圆片，在玻璃圆片上加工出填充液出入口，并在玻璃圆片的一面沉积透明电极层；将玻璃圆片沉积有透明电极层的一面与二氧化硅微纳结构阵列外围的支撑结构进行键合，形成封闭腔体。本公开利用刻蚀结合热氧化工艺，实现了高深宽比的二氧化硅微纳结构阵列的制备，进而得到高深宽比的光学调制器。
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公开(公告)号：CN114985022A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210477661.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
Abstract: 一种具有多环境参数的环境综合测试系统，包括压力腔、中空柱体、加热炉、振动台、压力控制系统和外部测试设备。压力腔设置于加热炉内部。加热炉为左右开合结构且底面设有通孔，固定于振动台之上，中空柱体穿过加热炉底面的通孔，振动台通过中空柱体驱动压力腔在加热炉的高温环境中做往复振动运动。压力腔底面设有待测对象的安装通道和压力输入通道，待测对象通过安装通道伸入压力腔内部，待测对象后端的信号传输线缆和压力输入导管穿过中空柱体内部，由中空柱体底部豁口引出，分别与外部测试设备和压力控制系统连接。利用本公开，能够模拟高温、压力、振动的单一或复合测试环境，有效验证待测对象在相应工况下的性能、稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN109144007B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201811072926.6
申请日：2018-09-12
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明公开了一种面向数字化车间制造装备集成与互联互通的自动构造系统，主要包括信息模型建模方法模块、信息模型结构组织方法模块、信息模型编辑器以及信息模型加载器。信息模型建模方法模块包括设备、组件、组件集、属性、属性集、引用、方法、方法集的定义；信息模型结构组织方法模块中定义了模型元素的结构和标准描述；信息模型编辑器对信息模型建模方法和组织方法模块进行软件实现，通过信息模型编辑器可以生成制造装备信息模型XML描述文件；信息模型加载器对XML描述文件进行解析，自动构造制造装备信息模型OPC UA地址空间和服务器。利用该发明可以快速实现数字化车间内制造装备与云平台等系统的集成与互联互通。
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公开(公告)号：CN113405946A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110682858.0
申请日：2021-06-18
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
IPC: G01N11/16
Abstract: 本公开提供了一种微机电谐振式粘度传感器，包括依次键合连接的第一液体接触膜、SOI组合体和第二液体接触膜，第一液体接触膜与第二液体接触膜关于SOI组合体镜像对称，SOI组合体包括谐振器，第一液体接触膜具有第一薄膜，第二液体接触膜具有第二薄膜，第一薄膜与第二薄膜的中心通过刚性体连接于谐振器的中心；第一薄膜与第二薄膜之间形成有真空腔体，谐振器位于真空腔体内，谐振器在驱动力作用下带动第一薄膜与第二薄膜沿着垂直于薄膜平面的方向谐振工作。利用本公开，粘度变化与谐振能量损耗的转换过程简单，有利于提高粘度的检测灵敏度，降低后端算法处理难度，提高传感器的输出精度，并且使得传感器的量程有大幅提升。
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公开(公告)号：CN109928359B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201910231599.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
Abstract: 本公开提供了一种微结构封装方法，包括：在单晶硅圆片上表面刻蚀出导电硅柱和硅凹槽，硅凹槽底部与单晶硅圆片背面之间剩余的单晶硅材料为微结构功能层；将玻璃粉末填充至硅凹槽内；以玻璃粉末软化点以上的温度，高温烧结玻璃粉末，形成玻璃体；在单晶硅圆片背面刻蚀出包含功能结构和电学连接结构的微结构和边框；盖帽与边框通过键合工艺粘接，将微结构密闭封装；以及在导电硅柱上沉积金属电极，实现与外部电路的欧姆接触。
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