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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110914964A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880047460.6
申请日：2018-06-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆，且具备：形成于芯片形成区域内的内存单元；及形成于芯片形成区域内的检查用器件，且检查用器件具有：光电二极管，其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入，并输出对应于该泵浦光的电信号；及信号处理电路，其基于自光电二极管输出的电信号产生逻辑信号，并将该逻辑信号向内存单元输出。
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公开(公告)号：CN110892517A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880047476.7
申请日：2018-06-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆，且具备：形成于芯片形成区域内的内存单元，及形成于芯片形成区域外的检查用器件；检查用器件具有：光电二极管，其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入，并输出对应于该泵浦光的电信号；及信号处理电路，其基于自光电二极管输出的电信号产生逻辑信号，并将该逻辑信号向内存单元输出。
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公开(公告)号：CN107710380B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201680037897.2
申请日：2016-06-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , G01T1/241 , G01T1/28 , H01J43/24 , H01J49/06 , H01J49/067
Abstract: 本实施方式所涉及的带电粒子检测器(1)在组合具有偏角的MCP(10)和PD(80)的结构中，为了与现有技术相比更加提高响应特性，具备夹着聚焦电极(60)而配置的MCP和PD。MCP具有分别仅倾斜了偏角(θ)的多个贯通孔，以相对于MCP的中心轴(AX1)电子入射面的中心沿偏角方向(S3)仅偏离规定距离的方式，PD被偏心配置。
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公开(公告)号：CN102385064B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201110220208.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01T1/28
CPC classification number: G01T1/2006 , G01T1/185 , G01T1/28
Abstract: 本发明的离子检测装置(1)，具备设置有使正离子以及负离子进入的离子进入口(3)的腔室(2)、配置于腔室(2)内并被施加负电位的转换倍增极(8)、配置于腔室(2)内并具有与转换倍增极(8)相对并且入射从转换倍增极(8)释放的二次电子的电子入射面(11a)的闪烁器(11)、形成于电子入射面(11a)并被施加正电位的导电层(13)、以及检测对应于二次电子的入射而由闪烁器(11)发出的光的光电倍增管(15)。
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公开(公告)号：CN102385064A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110220208.0
申请日：2011-07-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01T1/28
CPC classification number: G01T1/2006 , G01T1/185 , G01T1/28
Abstract: 本发明的离子检测装置(1)，具备设置有使正离子以及负离子进入的离子进入口(3)的腔室(2)、配置于腔室(2)内并被施加负电位的转换倍增极(8)、配置于腔室(2)内并具有与转换倍增极(8)相对并且入射从转换倍增极(8)释放的二次电子的电子入射面(11a)的闪烁器(11)、形成于电子入射面(11a)并被施加正电位的导电层(13)、以及检测对应于二次电子的入射而由闪烁器(11)发出的光的光电倍增管(15)。
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