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公开(公告)号：CN115881612A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111157832.0
申请日：2021-09-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶圆夹持装置，安装在晶圆卡盘上，包括：基座，设置在晶圆卡盘上；支撑台，设置在基座上，支撑晶圆；导向柱，设置在基座上，引导并限位晶圆于设定位置；夹持件，与基座活动连接，用于晶圆被引导并限位于设定位置后，夹持并固定晶圆，夹持件与晶圆卡盘的径向方向成设定角度。此发明考虑了湿法药液的粘度、疏水性，从而设计出角度可调的加持件，实现了晶圆在晶圆卡盘不同转速的带动下，由于湿法药液离心力的不同，需要从不同角度来释放飞溅的湿法药液，提升了湿法工艺的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107615443B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201480079603.3
申请日：2014-06-06
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 一种去除晶圆背面边缘薄膜的装置与方法。该装置包括具有内槽(111)和外槽(1113)的真空吸盘(110)，外槽(1113)设置在真空吸盘(110)的外边缘，内槽(111)中设有内密封圈(1115)，外槽(1113)中设有外密封圈(1116)。当晶圆放置在真空吸盘(110)上时，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)包围的区域与晶圆所形成的空间抽真空以将晶圆固定在真空吸盘(110)上，真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间充有压缩气体，以使真空吸盘(110)上由内密封圈(1115)与外密封圈(1116)之间的区域和晶圆所形成的空间内保持正压，以防液体进入晶圆背面的中心区域。
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公开(公告)号：CN112470252A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201880093970.7
申请日：2018-06-07
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明揭示了清洗半导体硅片(202)的装置及方法。其中，方法包括以下步骤：将一片或多片硅片(202)依次输送到至少一个第一槽(201)内及一个或多个第二槽(207)内以执行槽式清洗工艺，所述第一槽(201)内盛有化学液，第二槽(207)内盛有清洗液；从一个或多个第二槽(207)内的清洗液中取出该一片或多片硅片(202)，并将该一片或多片硅片(202)传输至一个或多个单片清洗模组(510)内以执行单片硅片的清洗及干燥工艺；其中，从该一片或多片硅片(202)从所述至少一个第一槽(201)内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)浸入所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中，和/或从该一片或多片硅片(202)从所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)传输到一个或多个单片清洗模组(510)中，在该一片或多片硅片(202)上控制并保持一定厚度的液膜(204,504)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119921509A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311424276.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 清芯科技有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司
Abstract: 本发明公开了一种冷却装置及基板支撑装置，冷却装置用于对电机进行冷却，冷却装置包括主体、两个端盖、多个导流板、进液口和出液口，主体可拆卸地套设在电机的壳体外周，两个端盖分别连接在主体的两端；多个导流板沿主体的周向间隔设置在主体内部，以分隔出多个轴向通道，且各导流板的一端与和各导流板一端相对设置的端盖之间具有流动空间，多个流动空间沿主体的周向交替地分布在主体的两端，使得多个轴向通道首尾相连形成流通冷却介质的蛇形流道；其中冷却介质适于由进液口进入到主体内，经主体内部的蛇形流道流至出液口流出。本发明的冷却装置无需改变电机本身的整体尺寸，且对电机具有良好的冷却效果。
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公开(公告)号：CN119717415A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311280273.1
申请日：2023-09-28
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
Abstract: 本发明提出的显影喷嘴，包括依次连接的进液口、溢流腔体、溢流通道、竖直流道和出液口；所述溢流通道包括与溢流腔体连接的第一端和与竖直流道连接的第二端，所述第二端高于所述第一端；所述第一端高于所述溢流腔体的底部以使所述溢流腔体包括蓄液部分；所述竖直流道沿竖直方向延伸；多个所述出液口设置在所述竖直流道的下方，并与所述竖直流道连通。本发明通过溢流腔体和溢流通道，减弱了显影液流动的动能，从而减小了显影液喷洒到晶圆上的冲击力；并且显影液在溢流腔体和溢流通道内流动时，气泡会因为浮力作用向上移动，然后显影液通过竖直流道向下流动到出液口，进一步减少了显影液中的气泡，从而减少因气泡所产生的显影工艺缺陷。
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公开(公告)号：CN119045283A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310619894.1
申请日：2023-05-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明涉及集成电路芯片制造技术领域，具体为一种气体控制装置。装置包括：进风单元、过滤板、扩散板和导风单元；所述进风单元形成有用于将气体流向所述过滤板的开口，所述过滤板对应所述开口设置，所述扩散板设置在所述过滤板的下方，气体依次经所述进风单元、所述过滤板、所述扩散板后垂直吹向待处理晶圆的表面；所述导风单元包括至少一个导风板，所述至少一个导风板设在所述进风单元的导风口处。在进风的路径上增设导风板，导风板对气体进行导流，切块式的气体吹入至进风单元内部，由此使得吹向晶圆表面各处的风速保持均匀。
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公开(公告)号：CN112470252B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201880093970.7
申请日：2018-06-07
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明揭示了清洗半导体硅片(202)的装置及方法。其中，方法包括以下步骤：将一片或多片硅片(202)依次输送到至少一个第一槽(201)内及一个或多个第二槽(207)内以执行槽式清洗工艺，所述第一槽(201)内盛有化学液，第二槽(207)内盛有清洗液；从一个或多个第二槽(207)内的清洗液中取出该一片或多片硅片(202)，并将该一片或多片硅片(202)传输至一个或多个单片清洗模组(510)内以执行单片硅片的清洗及干燥工艺；其中，从该一片或多片硅片(202)从所述至少一个第一槽(201)内的化学液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)浸入所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中，和/或从该一片或多片硅片(202)从所述一个或多个第二槽(207)内的清洗液中出来的那一刻直至该一片或多片硅片(202)传输到一个或多个单片清洗模组(510)中，在该一片或多片硅片(202)上控制并保持一定厚度的液膜(204,504)。
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公开(公告)号：CN117826536A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211203651.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 , 盛美半导体设备韩国有限公司 , 清芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体生产中的设备，具体为一种热处理装置。装置包括冷却单元、加热单元和传输单元。冷却单元包括用于冷却基板的冷却板，加热单元包括用于加热基板的加热板；传输单元包括传输臂、升降模块和直线模块，传输臂承托基板并在冷却单元和加热单元之间传输基板；传输臂设置在升降模块上，升降模块驱动传输臂上升和下降，直线模块驱动传输臂在冷却板和加热板之间传输基板。本发明优化了装置的内部空间。
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